重庆低功耗40V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片代理

在轻载条件下，系统工作在断续模式下。故实际输入功率取决于电感电流峰值大小。为了降低系统损耗，随着负载的降低会自动降低峰值电流基准以满足**待机的要求。内集成有4ms(典型值)周期的软启动功能，当芯片***次启动时过流保护阈值逐渐增加，而且每次系统的重新启动都会伴随着一次软启动过程。当过流或短路情况发生时，输出电压和VDD将降低，如果在128ms(典型值)的时间内每次振荡器的周期里高压MOSFET都被开通，则芯片识别此情况为过流或短路故障已发生，并停止开关动作之后进入自动重启模式(如下描述)。在某些情况下(如重载或者输出短路等)，系统的电 感电流峰值将上升过于剧烈。重庆低功耗40V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片代理

设计在 4.5V 到 17V 范围内工作，BUCK 降压变换器要求输入电压高于输出电压才能正常工作，建议比较大工作占空比为75%，则建议的**小输入电压为VOUT/0.75。芯片不允许输出电压高于输入电压，这种情况下输出电压通过高侧功率体二极管向输入电源放电，由此产生的反向电流可能导致不可预测的行为。如果有这种应用条件出现，可以添加串联二极管等方式以阻断此反向电流。电感的选型关系到芯片方案的体积、成本、效率和暂态响应性能。主要考虑电感的3 个关键参数：电感量(L)，电感饱和电流(ISAT) 和电感直流电阻(DCR)。重庆低功耗40V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片代理集成 500V 高压 MOSFET 和高压启动电路。

高性能、低成本离线式PWM控制功率开关KP3112是一款高性能低成本PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP3112内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。此外，芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。KP3112集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、过热保护、过载保护等。主要特点•集成700V高压MOSFET和高压启动电路•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•支持**压输入(>20V)•空载功耗低于100mW•支持比较高30kHz开关频率•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•过温保护(OTP)•封装类型SOT23-5

降压非隔离电源芯片220V转5V，KP320X集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护(UVLO)、逐周期电流限制(OCP)、输出过压保护(OVP)、FB异常保护、过载保护(OLP)和过热保护等(OTP)。主要特点•固定5V输出•集成650V高压MOSFET和高压启动电路•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•待机功耗低于100mW•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•FB异常保护•异常过流保护(AOCP)•过热保护(OTP)•封装类型SOP-8逐周期峰值电流限制和前沿消隐。

在轻载条件下工作在强制脉宽调制模式(FPWM)，以保持开关频率的恒定和维持低的输出电压纹波。当HSF 处于关断状态时，LSF 将在 10ns 后的死区时间后被强制打开，直到在下一个周期HSF 打开前关闭。这种工作模式不检测电感电流过零点，允许电感电流通过LSF 的漏-源极从输出电容流到开关节点，称为反向电流。在这种情况下，开关频率在整个负载电流范围内几乎保持恒定，实现低轻载输出电压波纹。低功耗DCDC降压转换器，低纹波，高效率，电路简洁。芯片供电管脚，同时作为输出电压反馈端 (FB 悬空时)。典型应用 中 VDD 电容推荐采用 1uF 陶瓷电容。重庆低功耗40V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片代理

在轻载条件下，系统工作在断续模式下。故实际输 入功率取决于电感电流峰值大小。重庆低功耗40V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片代理

高效率低功耗30V降压DCDC电源芯片，30V3A，500kHz同步降压转换器KP52330X是一款简单易用高效率的同步降压直流/直流转换器，它具有4.5V至30V的宽输入电压范围，能够驱动高达3A的负载电流，非常适合用于12V和24V等常见的输入电源轨。KP523302轻载下工作在脉冲频率调制模式(PFM)以维持高轻载效率；KP523308轻载下工作在强制脉宽调制模式(FPWM)以实现全负载电流下固定的开关频率和低输出纹波。通过集成MOSFET并采用TSOT23-6封装，该器件可实现高功率密度，并且在印刷电路板(PCB)上的占用空间非常小。采用具有内部补偿的峰值电流模式控制架构，用于维持稳定运行和超小的输出电容。借助EN精密使能功能，可对器件启动和关断进行精确控制。内置有完善的保护功能：输入欠压锁定(UVLO)、逐周期电流限制(OCL)、输出过压保护(VOUTOVP)、输出欠压保护(VOUTUVP)，和过温保护(OTP)，以确保其在不同的工作条件下保持安全、可靠运行。重庆低功耗40V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片代理

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