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湖北大功率外置MOS非隔离BUCK电源芯片现货

来源: 发布时间:2023年06月11日

WIFI供电**芯片,精度高,动态优,功耗低,**精简。KP35026是一款高性能低成本PWM控制功率开关,适用于3.3V供电的应用场合,外围电路简单、器件个数少。同时IC内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同,KP35026内部无固定时钟驱动MOSFET,系统开关频率随负载变化可实现自动调节。芯片采用了多模式PWM控制技术和动态响应优化电路,有效提升了动态响应能力,优化了线性调整率和负载调整率,同时明显降低了系统工作中的可闻噪音。这款芯片适用于MUC供电,线路简单。湖北大功率外置MOS非隔离BUCK电源芯片现货

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输出电压可调,高压交流220V非隔离BUCK电路芯片,非常适用于智能照明,智能家电控制产品。KP35064是一款高性能低成本PWM控制功率开关,适用于离线式小功率降压型应用场合,外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同,KP35064内部无固定时钟驱动MOSFET,系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术,有效简化了外围电路设计,提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。湖北大功率外置MOS非隔离BUCK电源芯片现货芯片静态工作电流典型值为 200uA。如此 低的工作电流降低了对于 VDD 电容大小的要求, 同时也可以提高系统效率。

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主要特点•集成500V高压MOSFET和高压启动电路•优化轻载噪音、提升系统抗干扰能力•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•默认12V输出(FB脚悬空)•待机功耗<50mW•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能:•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•VDD过压、欠压和电压箝位保护•封装类型SOP-8,可以满足客户不同电压需求:220V交流转12V,220V交流转5V,220V交流转15V,220V交流转24V。

EN 引脚有一个内部上拉电流源,从而允许用户保持EN 引脚悬空来使能芯片。另外根据实际应用需要,EN 引脚可以接在外部逻辑控制接口上以实现芯片的使能控制。EN 引脚内部集成了一个5V 的稳压二极管(典型的击穿电压为6.9V) 以保护内部电路受到过压风险。在将EN 引脚外接到高于6V的电压比如VIN 电压时,串联加入上拉电阻(不小于100kΩ) 以限制EN 引脚的输入电流,防止损坏齐纳二极管。芯片内部集成了纹波注入电路来模拟输出电压纹波从而实现了在低ESR 的陶瓷输出电容(MLCC) 的低输出纹波条件下的稳定工作。另外,内部还集成了一个斜坡信号产生电路,以减少开关抖动。当 CS 电压高于该阈值时,内部功率MOSFET 即刻关 断并保持关断状态持续3 个PWM 周期.。

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设计在 4.5V 到 17V 范围内工作,BUCK 降压变换器要求输入电压高于输出电压才能正常工作,建议比较大工作占空比为75%,则建议的**小输入电压为VOUT/0.75。芯片不允许输出电压高于输入电压,这种情况下输出电压通过高侧功率体二极管向输入电源放电,由此产生的反向电流可能导致不可预测的行为。如果有这种应用条件出现,可以添加串联二极管等方式以阻断此反向电流。电感的选型关系到芯片方案的体积、成本、效率和暂态响应性能。主要考虑电感的3 个关键参数:电感量(L),电感饱和电流(ISAT) 和电感直流电阻(DCR)。在此时间内过流比较器不翻转且高压 MOSFET 不允许关断。湖北大功率外置MOS非隔离BUCK电源芯片现货

内部无固 定时钟驱动 MOSFET,系统开关频率随负载变化 可实现自动调节。湖北大功率外置MOS非隔离BUCK电源芯片现货

芯片引脚内部有一个上拉电流源(IEN(P)),使得芯片在EN 引脚外部悬空时处于使能状态。同时,上拉电流源同样也可被用于设置外部VIN UVLO 功能的电压阈值和迟滞。引脚EN 引脚电压 VEN 由 VIN 分压得到,当VEN 随着 VIN 上升而大于VEN(R) 时,额外的一个上拉迟滞电流源(IEN(H)) 会被打开从而改变VEN 的电压比,实现上升和下降阈值分别自定义配置的功能。使用如下公式9-1 和公式9-2 可以计算得到指定VIN UVLO 阈值的REN(TOP) 和 REN(BOT) 配置,其中VIN(START) 和 VIN(STOP) 为自定义配置的输入启动电压和关闭电压值。湖北大功率外置MOS非隔离BUCK电源芯片现货

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