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福建低功耗100V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片资料

来源: 发布时间:2023年12月04日

给蓝牙模块供电,220V降压3.3V,输出可调,电路简单。芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节,可以有效降低空载情况下的待机功耗。KP35062集成有完备的带自恢复功能的保护功能:VDD欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、过热保护、过载保护等。主要特点•集成500V高压MOSFET和高压启动电路•集成续流二极管•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•支持**压输入(>20V)•空载功耗低于100mW•支持比较高30kHz开关频率•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能:•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•过温保护(OTP)•封装类型SOP-8在某些情况下(如重载或者输出短路等),系统的电 感电流峰值将上升过于剧烈。福建低功耗100V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片资料

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高性能、低成本离线式PWM控制开关KP3501A是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关,适用于降压型电路。KP3501A采用高压单晶圆工艺,在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流模式控制的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的5V默认输出。在芯片内部,芯片内部**小Toff时间固定为20μs且带有抖频功能,在保证输出功率的条件下优化了EMI效果。同时,芯片设计有轻重载模式,可轻松获得低于50mW的待机功耗。KP3501A集成有完备的保护功能:VDD欠压保护、逐周期电流限制、异常过流保护、过热保护、过载保护和短路保护等。主要特点•高精度5V默认输出•集成500V高压MOSFET和高压启动电路•集成续流二极管•集成采样电阻,**系统成本•支持**压输入(15V以上)应用•支持降压电路•开关式峰值电流模式控制•**待机功耗小于50Mw•比较高45kHz开关频率•**工作电流,支持小VDD电容•集成软启动电路•集成式保护功能:•过载保护(OLP)•过热保护(OTP)•逐周期电流限制(OCP)•异常过流保护(AOCP)•前沿消隐(LEB)•VDD欠压保护•封装类型SOP-4福建低功耗100V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片资料通过芯片内部数字计数器对振荡周 期的计数,当振荡周期数超过200 次时芯片退出保 护模式并重新开始工作。

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BUCK降压芯片,小封装输出5V100mA,低功耗、高效率、线路简单,在某些情况下(如重载或者输出短路等),系统的电感电流峰值将上升过于剧烈。为避免电感峰值电流过大对系统元器件造成损坏,芯片内部设计有异常过流检测模块(AOCP,典型阈值为250mA)。当CS电压高于该阈值时,内部功率MOSFET即刻关断并保持关断状态持续2个周期。芯片内部集成的过热保护电路会检测芯片的芯片结温,当芯片结温超过155度(典型值)时系统进入到自动重启模式。

EN 引脚有一个内部上拉电流源,从而允许用户保持EN 引脚悬空来使能芯片。另外根据实际应用需要,EN 引脚可以接在外部逻辑控制接口上以实现芯片的使能控制。EN 引脚内部集成了一个5V 的稳压二极管(典型的击穿电压为6.9V) 以保护内部电路受到过压风险。在将EN 引脚外接到高于6V的电压比如VIN 电压时,串联加入上拉电阻(不小于100kΩ) 以限制EN 引脚的输入电流,防止损坏齐纳二极管。芯片内部集成了纹波注入电路来模拟输出电压纹波从而实现了在低ESR 的陶瓷输出电容(MLCC) 的低输出纹波条件下的稳定工作。另外,内部还集成了一个斜坡信号产生电路,以减少开关抖动。内部集成的平均电流反馈环路可以确保高输出电流 精度。

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40V降压DCDC低功耗电源芯片,主要特点•用于条件严苛的工业应用•输入电压范围:6V~40V•1A持续输出电流•100%比较大占空比可实现**压降•支持预偏置输出软启动•输出过压/欠压保护•输入过压保护/欠压锁定•过温保护•±1%输出电压精度•方案小巧且易于使用•集成270mΩP型高侧MOSFET•集成135mΩN型低侧MOSFET•内置补偿电路•内置软启动电路•固定5V输出(KP521405,KP521405A)•固定3.3V输出(KP521403,KP521403A)•为家电应用优化设计•可实现单层PCB布局•低开关速率减轻EMI问题典型应用•白电,小家电•电动工具•智能照明•通用宽输入电压轨芯片工作在准谐振工作模式下,可有 效降低开关损耗,提高系统效率。福建低功耗100V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片资料

低开关损耗的特 点, 适合于降压型拓扑。福建低功耗100V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片资料

输出电容选择:对于常规的5V-100mA规格,输出电容根据实际纹波电压需求选择100uF-220uF即可。假负载选择:需在空载输出电压和待机损耗上折中:即过大的假负载可以压制空载输出上飘电压,但系统待机损耗也随之加大;而过小的假负载则反之。一般而言,芯片系统推荐假负载阻值范围在1-2k范围内(随输出电压调整),假负载损耗控制在10-15mW左右即可。内集成有4ms(典型值)周期的软启动功能,当芯片***次启动时过流保护阈值逐渐增加,而且每次系统的重新启动都会伴随着一次软启动过程。福建低功耗100V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片资料

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