中国香港交流高压220V转5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片库存

设计在 4.5V 到 17V 范围内工作，BUCK 降压变换器要求输入电压高于输出电压才能正常工作，建议比较大工作占空比为75%，则建议的**小输入电压为VOUT/0.75。芯片不允许输出电压高于输入电压，这种情况下输出电压通过高侧功率体二极管向输入电源放电，由此产生的反向电流可能导致不可预测的行为。如果有这种应用条件出现，可以添加串联二极管等方式以阻断此反向电流。电感的选型关系到芯片方案的体积、成本、效率和暂态响应性能。主要考虑电感的3 个关键参数：电感量(L)，电感饱和电流(ISAT) 和电感直流电阻(DCR)。AC 同步检测及主动泄放电路。中国香港交流高压220V转5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片库存

40V低功耗降压DCDC电源芯片，40V,1A易用高性能同步降压转换器KP52140X(A)是一款简单易用的同步降压直流/直流转换器，能够驱动高达1A的负载电流。它具有6V至40V的宽输入范围，因此适用于工业领域中非稳压电源的电源调节。KP52140X(A)内部集成低导通电阻的P型高侧MOSFET和N型低侧MOSFET，省掉了外部自举电容和肖特基二极管。在内部实现了软启动和补偿电路减少了**元器件的数量，固定5V或3.3V的输出方式可进一步减少**元器件数量，从而轻松实现单层PCB布局。KP52140X(A)典型开关频率为100kHz，采用低开关速率设计适用于有EMI要求的应用场合。KP52140X(A)内置有完善的保护功能：输入过压保护(VINOVP)、输入欠压锁定(UVLO)、逐周期电流限制(OCL)、输出过压保护(VOUTOVP)、输出欠压保护(VOUTUVP)，和过温保护(OTP)，以确保其在不同的工作条件下保持安全、可靠运行。KP52140X(A)采用TSOT23-5和TSOT23-6封装，可节约布局空间。中国香港交流高压220V转5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片库存这款芯片是一种简单易用、高效集成的同步降压转换器。

芯片BST 引脚和 SW 引脚间需要加入一颗陶瓷电容以稳定支撑芯片内部高侧N-MOSFET 的驱动电源。此处推荐使用不低于10V 耐压的 X5R 或者 X7R 的 0.1μF 陶瓷电容(0603 封装)。采用 COT 控制架构可以实现超快的负载瞬态响应性能。在某些对负载瞬态响应要求更高的应用条件下，还可以通过在输出反馈分压电阻上添加前馈电阻RFF 和电容CFF 来进一步提升瞬态响应性能。考虑到噪声耦合影响，推荐使用RFF = 2 kΩ~10kΩ，另外不要使用高于100pF 的 CFF。注意，实际RFF 和 CFF 为可选器件，推荐以实测负载瞬态响应和输出调整率的结果优化选取。

芯片内部集成有AC同步检测电路，该电路通过Drain端对地内置的分压电阻检测AC信号。当芯片检测到Drain端电压低于VAC_sync_OFF以后，内部功率MOSFET随即打开对VDD电容进行充电。由于芯片Drain端对地存在寄生电容，导致Drain端电压可能过高，芯片将一直无法进入充电窗口。针对该问题，芯片内部设计了主动式泄放电路：该泄放电路在VDD电压低于VDD_OVP_hys后打开内部Drain-VDD的高压电流源泄放通道，并在VDD电压达到VDD_OVP以后关闭该泄放通道。通过对芯片Drain端寄生电容的主动式泄放控制，确保了足够的输入能量可以在充电窗口期间对VDD进行充电。此外，当各种保护（UVP,OLPorOTP）发生时，主动式泄放电路也将打开，对VDD电容进行充电，同时对Drain端寄生电容进行放电，以此确保后续保护逻辑的顺利展开和自恢复重启的顺利进行。在稳态工作时，芯片通过反馈二极管由输 出进行供电，同时借助高压启动电路，系统待机功 耗可以低至 50mW 以下。

芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。KP35064集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、过热保护、过载保护和VDD过压保护等。主要特点•集成500V高压MOSFET和高压启动电路•集成续流二极管•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•支持**压输入(>20V)•空载功耗低于100mW•支持比较高30kHz开关频率•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•过温保护(OTP)•封装类型SOP-8提升线性调整 率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。中国香港交流高压220V转5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片库存

可调输出电压，比较高输出电流限制的特 点，适用于非隔离型AC-DC。中国香港交流高压220V转5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片库存

集成了输出过压保护(OVP) 功能，以减小输出电压过冲，并保护下游用电设备免受在输出故障条件或者突减负载时可能出现的高压尖峰的损坏。OVP 电路通过监测反馈电压(VFB) 检测过压条件。当VFB 超过 OVP 阈值 (VOVP) 时，OVP 比较器输出置高，内置高侧和低侧MOSFET 都将关闭，以避免VOUT 进一步升高。一旦VOUT 低于 VOVP，芯片开始再次工作。输出过压保护功能为非锁存功能。IC内部集成了纹波注入电路来模拟输出电压纹波从而实现了在低ESR 的陶瓷输出电容(MLCC) 的低输出纹波条件下的稳定工作。另外，内部还集成了一个斜坡信号产生电路，以减少开关抖动。中国香港交流高压220V转5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片库存