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TFT探针台技术改造

来源: 发布时间:2023年06月15日

探针测试台x-y工作台的分类纵观国内外的自动探针测试台在功能及组成上大同小异,即主要由x-y向工作台,可编程承片台、探卡/探卡支架、打点器、探边器、操作手柄等组成,并配有与测试仪(TESTER)相连的通讯接口。但如果按其x-y工作台结构的不同可为两大类,即:以美国EG公司为**的平面电机型x-y工作台(又叫磁性气浮工作台)自动探针测试台和以日本及欧洲国家生产的采用精密滚珠丝杠副和直线导轨结构的x-y工作台型自动探针测试台。由于x-y工作台的结构差别很大,所以其使用维护保养不可一概而论,应区别对待。2022年探针台市场规模达到16亿美元。TFT探针台技术改造

    微纳探针台可在纳米尺度上对样品和测试设备进行电学表特征:1、快速、精确、稳定微纳探针台包含4个压电三轴探针臂,每个三轴配备1个可拆卸式电学探针接口,可在毫米级尺度上进行宏观运动并实现纳米尺度上的微观运动。2、使用场景多样化微纳探针台结构紧凑,占用空间小,运动行程大,可匹配各种显微镜样品台,真空室,光学试验台等工作条件。3、完善的技术解决方案微纳探针台与尼康金相显微镜/SR-Scopel集成形成的探针台电学测量系统,为宏观行程上进行的微观尺度电学及表征测量提供了具体的解决方案。4、直观、方便微纳探针台通过手柄控制,具有多级宏观调速,脉冲运动,以及位移微调功能,宏观运动速度跨度在5um/s~2mm/s,单点脉冲步进可达300nm以下,微调运动分辨率小于1nm,在显微镜下操作更直观,方便,精细。5、高度集成微纳探针台电学测量系统,配备完善的光学显微镜模块,配备亮度调节,增益和变焦等功能,与电脑连接后,可实现图像快照,尺寸测量和标注,视频记录等常规功能。 TFT探针台技术改造晶圆级测试自动探针台。

    根据新思界产业研究中心发布的《2022-2026年中国半导体探针台行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示,中国探针台市场和全球相似,在2020年受到行情影响,半导体芯片出货量略有下降,探针台市场规模同比上年减少了10%左右。但随着行情得到控制,在人工智能大背景下,半导体芯片出货量增长,探针台市场规模回升,预计到2022年达到16亿元。探针台行业具有较高的技术壁垒,在全球中市场呈现高度集中趋势,东京精密和东京电子垄断市场,二者占比高达74%左右。在国内市场,以上两家企业占比高达68%左右本土企业占比32%。我国也有企业布局在探针台领域,且技术不断创新,已取得实质性突破。

探针台是半导体行业重要的检测装备之一,其广泛应用于复杂、高速器件的精密电气测量,旨在确保质量及可靠性,并缩减研发时间和器件制造工艺的成本。半导体测试可以按生产流程可以分为三类:验证测试、晶圆测试测试、封装检测。探针台主要用于晶圆制造环节的晶圆检测、芯片研发和故障分析等应用。除探针台外,晶圆检测环节还需要使用测试仪/机,测试仪/机用于检测芯片功能和性能,探针台实现被测芯片与测试机的连接,通过探针台和测试机的配合使用,可以对晶圆上的裸芯片进行功能和电参数测试或射频测试,可以对芯片的良品、不良品的进行筛选。各钟规格国产射频探针。

高精度探针台例如OTS,QPU和TTG相关技术,这种全新的高精度系统为下一代小型化的设计及多种测试条件提供保证。特性1:OTS对正系统(光学目标对准)OTS通过对照相机相对位置的测量来保证其位置的精度。这是非常引人注目的技术,来源于TSK的度量技术。OTS实现了以自己为参照的光学对准系统。特性2:QPU-高刚性的硅片承载台(四方型系统)为了有效的达到接触位置的精度,硅片承载台各部分的刚性一致是非常重要的,UF3000使用新的4轴机械转换装置(QPU),达到高刚性,高稳定度的接触。特性3:装载部件令客户满意的测试环境,可以提供从前部开始的通常的8",12"及基本检查单元。也为自动物料输送系统应用做好了准备。特性4:TTG(一点即到)更加方便的操作,UF3000采用在显示屏上点一下,相关的屏幕就会切换到新的位置显示。相关的设定十分方便。屏幕的显示模式也可以由客户自行定义。选购手动探针台的注意事项。TFT探针台技术改造

探针台广泛应用于产品开发和故障失效分析。TFT探针台技术改造

手动探针台是广泛应用于半导体行业的综合经济型测试仪器,主要用于半导体芯片的电参数检测。手动探针台是通过两根探针以及吸片盘够成的回路以及相应大型电参数测试仪对芯片中的集成电路进行检测的。应用范围:手动探针台主要用于对生产及科研中的集成电路、三极管、二极管、可控硅及敏感元件管芯的电压、电流、电阻等参数进行手动测试。极低温测试:因为晶圆在低温大气环境测试时,空气中的水汽会凝结在晶圆上,会导致漏电过大或者探针无法接触电极而使测试失败。避免这些需要把真空腔内的水汽在测试前用泵抽走,并且保持整个测试过程泵的运转。高温无氧化测试:当晶圆加热至300℃,400℃,500℃甚至更高温度时,氧化现象会越来越明显,并且温度越高氧化越严重。过度氧化会导致晶圆电性误差,物理和机械形变。避免这些需要把真空腔内的氧气在测试前用泵抽走,并且保持整个测试过程泵的运转。晶圆测试过程中温度在低温和高温中变换,因为热胀冷缩现象,定位好的探针与器件电极间会有相对位移,这时需要针座的重新定位,针座位于腔体外部。我们也可以选择使用操作杆控制的自动化针座来调整探针的位置。TFT探针台技术改造

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