苏州电子元器件MOSFET高压MOS产品

1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3.场效应管可以用作可变电阻。

4.场效应管可以方便地用作恒流源。

5.场效应管可以用作电子开关。

场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。 商甲半导体的SGT系列MOSFET产品具备低内阻、低电容、低热阻的特点。苏州电子元器件MOSFET高压MOS产品

SOP（SmallOut-LinePackage）的中文释义为“小外形封装”它属于表面贴装型封装技术，其引脚设计呈海鸥翼状（L字形），从封装两侧引出。这种封装方式可使用塑料或陶瓷两种材料。此外，SOP也被称为SOL和DFP。2、SOP封装标准涵盖了SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等多种规格，其中数字部分表示引脚数量。在MOSFET的封装中，SOP-8规格被采用，且业界常将P*部分省略，简称为so（SmallOut-Line）。

SO-8采用塑料封装，未配备散热底板，因此散热效果一般，主要适用于小功率MOSFET。

SO-8封装技术初由PHILIP公司开发，随后逐渐演变为TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）以及TSSOP（薄的缩小型SOP）等标准规格。 苏州电子元器件MOSFET高压MOS产品功率因数校正（PFC），MOSFET用于提高电源系统的功率因数。

MOS管选型指南

评估开关性能

开关性能受栅极电容影响，影响导通和关闭过程中的损耗。在选择MOS管时，后一步是考察其开关性能。开关性能受到多个参数的影响，其中重要的是栅极/漏极、栅极/源极以及漏极/源极电容。这些电容在每次开关时都需要充电，从而产生开关损耗，降低器件的效率。特别需要注意的是，栅极电荷（Qgd）对开关速度的影响**为明显。

为评估MOS管的开关性能，设计者需分别计算开通过程和关闭过程中的损耗。开通过程中的损耗记为Eon，而关闭过程中的损耗则为Eoff。基于这两个关键参数，我们可以进一步推导出MOS管在开关过程中产生的总功率损耗，

20V产品主要用于手机、移动电源、可穿戴设备及消费类领域；

30V产品主要用于PC主板和显卡、马达驱动、BMS、电动工具、无线充；

40V产品主要用于无人机、BMS、电动工具、汽车电子；

60V产品主要用于马达控制、BMS、UPS、汽车雨刷、汽车音响；

80-250V产品主要用于低压系统新能源汽车、马达驱动、逆变器、储能、BMS、LED、PD Charger；600V以上产品主要用于工业电源、并网逆变、充电桩、家电、高压系统新能源汽车；

600V以上产品主要用于工业电源、并网逆变、充电桩、家电、高压系统新能源汽车；

公司秉承：“致力于功率半导体的设计与营销，参与和传承功率半导体的发展”的愿景，坚持“质量至上、创新驱动”的发展策略，遵循“问题解决+产品交付+售后服务”的营销 法则，努力将公司建设成一个具有国际竞争力的功率半导体器件供应商。 商甲半导体，以专业立足，为 MOSFET 、IGBT、FRD产品选型提供支持。

NMOS和PMOS晶体管

MOS（金属氧化物半导体）- NMOS（N 沟道 MOS）和 PMOS（P 沟道 MOS） 晶体管在现代电子产品中发挥着重要的作用。这些晶体管为从微处理器到存储芯片等各种设备提供了基本构件。MOSFET 晶体管**重要的用途是用于超大规模集成电路设计，因为它们体积小。一万亿个 MOSFET 可以制作在一个芯片上。这一发展带来了技术上的重大进步，使更多的电子元件实现了微型化。

在MOS晶体管领域，主要有两种类型：N沟道MOS（NMOS）和P沟道MOS（PMOS）晶体管。

NMOS晶体管的特点是源极和漏极区域使用n型（负掺杂）半导体材料，而衬底则由p型（正掺杂）半导体材料制成。当向NMOS晶体管的栅极施加正电压时，绝缘氧化层上产生的电场会吸引p型衬底中的自由电子，从而在源极和漏极区域之间形成一个n型导电通道。该通道的电导率随栅极电压的升高而增加，从而使源极和漏极之间的电流增大。

另一方面，PMOS晶体管的源极和漏极区域采用p型半导体材料，而衬底则由n型半导体材料构成。当在栅极端施加负电压时，绝缘氧化层上的电场会吸引n型衬底上的空穴，从而在源极和漏极区域之间形成p型导电通道。该沟道的电导率也会随着栅极电压的大小而增加，但与NMOS晶体管的电导率增加方向相反。 商甲半导体的产品多平台量产产品 EMI 表现好，应用场景多元，支持量身定制。苏州电子元器件MOSFET高压MOS产品

商甲半导体的MOSFET是汽车电子中的重要元器件。苏州电子元器件MOSFET高压MOS产品

针对无刷电机中MOS管的应用，推荐使用商甲半导体低压MOS-SGT系列，

其优势：采用SGT 工艺，突破性的FOM优化，覆盖更多的应用场景；极低导通电阻，低损耗，高雪崩耐量，高效率。可根据客户方案需求，对应器件选型档位，进行支持。

采用优化的沟槽屏蔽栅设计及工艺制造技术，提升了器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻Rsp和栅极电荷Qg。SGT系列MOSFET产品涵盖30V~150V,可广泛应用于电机驱动，同步整流等领域中。随着无人机技术的迅猛发展和广泛应用，对于低压MOS技术的需求将进一步增加。无人机领域的应用前景广阔，它将为无人机的性能提升、功能拓展和安全保障提供强大支持 苏州电子元器件MOSFET高压MOS产品

无锡商甲半导体有限公司成立于2023年8月3日，注册地位于无锡经济开发区太湖湾信息技术产业园1号楼908室。公司专注于功率半导体器件的研发设计与销售，采用Fabless模式开发TrenchMOSFET、IGBT等产品，截至2023年12月，公司已设立深圳分公司拓展华南市场，并获评2024年度科技型中小企业。无锡商甲半导体有限公司利用技术优势，以国内***技术代Trench/SGT产品作为***代产品；产品在FOM性能方面占据***优势，结合先进封装获得的更高电流密度；打造全系列N/P沟道车规级MOSFET，为日益增长的汽车需求助力；打造全系列CSPMOSFET，聚焦SmallDFN封装；未来两年内做全硅基产品线并拓展至宽禁带领域；