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MOSFET大致可以分为以下几类：平面型MOSFET；Trench （沟槽型）MOSFET，主要用于低压领域；SGT（...
导通电阻（RDS(on)）的工艺突破SGTMOSFET的导通电阻主要由沟道电阻（Rch）、漂移区电阻（Rdrift）和封装电阻（R...
SGT MOS管是国产功率半导体在先进技术领域的突破。它将低导通电阻、低栅极电荷、优异开关性能与高可靠性集于一身，是追求效率和...
热阻（Rth）与散热封装创新SGTMOSFET的高功率密度对散热提出更高要求。新的封装技术包括：1双面散热（DualCooling...
TrenchMOSFET制造：衬底选择在TrenchMOSFET制造之初，衬底的挑选对器件性能起着决定性作用。通常，硅衬底因成熟的...
SGTMOSFET制造：隔离氧化层形成隔离氧化层的形成是SGTMOSFET制造的关键步骤。当高掺杂多晶硅回刻完成后，先氧化高掺杂多...
SGTMOSFET制造：沟槽刻蚀工艺沟槽刻蚀是塑造SGTMOSFET独特结构的重要步骤。光刻工序中，利用光刻版将设计好的沟槽图案转...
SGTMOSFET在不同温度环境下的性能表现值得关注。在高温环境中，部分传统MOSFET可能出现性能下降甚至失效的情况。而SGTM...
无锡商甲半导体有限公司为一家功率半导体设计公司，专业从事各类MOSFET、IGBT产品的研发、生产与销售。总部位于江苏省无锡市经开区，是无锡市太湖人才计划重点引进项目。 公司目前已经与国内有名的8英寸、12英寸晶圆代工厂紧密合作，多平台产品实现量产，产品在开关特性、导通特性、鲁棒性、EMI等方面表现出色，得到多家客户的好评。 公司以新型Fabless模式，在设计生产高性能产品基础上，提供个性化...
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