硅基OPA芯片的制备主要依赖高校和研究所的实验室工艺线,产能极为有限、良率不稳定、成本居高不下,严重制约了其在激光雷达、光通信等领域的商业化应用。中试线的投产将有望大幅降低OPA芯片的制造成本、提升产品一致性和可靠性,为全固态激光雷达的量产铺平道路。与此同时,国内还出现了基于无源对准倒装芯片键合技术的混合集成III-V族-硅光学相控阵芯片方案,通过引入单芯片中的多线OPA实现了大范围的垂直光束转向。高功率适用的环形阵列硅基光学相控阵芯片及优化方法也获得了发明专利授权。从技术突破到产线落地,中国在硅光OPA的产业化进程中正加速追赶并有望实现**。OPA可协同工作,构建大面积的分布式光束阵列。光波导光学相控阵扫描

2025年4月,扬州群发光芯科技有限公司的硅光OPA中试线正式投产,这是全球首条实现硅基光学相控阵芯片规模化制备的产线。该硅光研发平台从2023年11月奠基,到2025年4月底投产,*用18个月即完成了从零到规模化生产的跨越。这条生产线采用全球**的基于波长调制的3D OPA硅光技术。这一产业化里程碑意味着光学相控阵技术正式从实验室研究阶段迈入规模化制造阶段。在此之前,硅基OPA芯片的制备主要依赖高校和研究所的实验室工艺线,产能极为有限、良率不稳定、成本居高不下,严重制约了其在激光雷达、光通信等领域的商业化应用。中试线的投产将有望大幅降低OPA芯片的制造成本、提升产品一致性和可靠性,为全固态激光雷达的量产铺平道路。光波导光学相控阵扫描光学相控阵在微波光子学中用于实现光控波束形成网络。

微波光子相控阵(Microwave Photonic Phased Array)是光学相控阵技术在射频领域的延伸应用,其**思想是利用光子学方法产生、处理和分配微波信号,从而实现宽带、灵活、抗波束倾斜的相控阵雷达系统。传统电子学相控阵采用移相器*改变载波相位,但对于宽带信号(如高分辨率雷达的线性调频脉冲),不同频率分量经过移相器后会产生不同的时延差,导致波束随频率发散,即“波束倾斜”效应。光学真延时(Optical True Time Delay, OTTD)技术完美解决了这一问题——通过可调光延时线(如光纤延迟线、光开关延时网络或环形谐振腔)直接控制每个阵元的信号传播时延,使得所有频率分量经历相同的延迟,从而在整个瞬时带宽内保持波束方向恒定。
近年来,薄膜铌酸锂(Thin-Film Lithium Niobate, TFLN)平台以其很好的电光系数(r₃₃ ≈ 30.9 pm/V)和极低的光学损耗,成为光学相控阵领域的新兴宠儿。与硅材料依赖载流子效应不同,铌酸锂的线性电光效应(普克尔效应)能够在不引入额外吸收损耗的前提下实现高速、高线性度的相位调制,其调制带宽可达上百GHz,而功耗只为硅基热光方案的十分之一左右。更重要的是,TFLN波导结构可采用智能切片(SmartCut)和干法刻蚀技术制备,形成亚微米级的高约束脊型波导,与硅光工艺有一定兼容性。不同材料体系(如聚合物)赋予OPA不同的性能特点。

随着硅光工艺的成熟和III-V激光异质集成的突破,OPA芯片正从实验室走向产业化。据市场研究机构统计,2025年全球OPA硅光芯片市场销售额达到3600万美元,预计2032年将达到1.42亿美元。OPA硅光芯片广泛应用于车载激光雷达、自动驾驶感知、3D成像、自由空间光通信(FSO)、AR/VR空间感知以及重要安防探测系统。在光通信领域,OPA芯片的重要优势在于高集成度、小型化、低功耗、无机械结构、高可靠性以及可批量CMOS制造能力。多家光通信、AI算力领域的行业头部企业技术专业人士认为,OPA硅光芯片大带宽、低延迟、低功耗、高集成度的特性,完美契合当前技术发展的核心需求。随着全球首条OPA硅光芯片中试线的投产,OPA光通信芯片有望在未来三至五年内实现规模化量产,推动自由空间光通信从高价专门用场景走向大众化应用。近场相位分布与远场光斑之间存在傅里叶变换关系。光波导光学相控阵扫描
该技术赋能自动驾驶,提升了环境感知的可靠性。光波导光学相控阵扫描
尽管前景广阔,OPA激光雷达的规模化应用仍面临若干关键工程挑战。首先是芯片制造良率问题——大规模波导阵列的相位一致性难以保证,需每片单独校准。其次是激光光源的耦合效率问题,高功率激光注入芯片易引发非线性效应和热应力。第三是环境适应性问题——在-40℃~85℃车规温度范围内,硅材料的热光系数变化会导致相位漂移,必须集成片上温度传感器和自适应补偿回路。第四是栅瓣抑制问题——由于光波的波长较短且受制造技术水平限制,光学相控阵在远场会产生比较严重的栅瓣问题。研究者们正在通过多种方案加以解决,包括非等间距阵列布局、阵元方向图编辑以及基于超表面的亚波长阵列等。中试线的建立正是为了解决这些工程化难题——通过工艺验证和优化,将实验室技术转化为可批量生产的成熟产品。光波导光学相控阵扫描
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