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本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除的电荷分布示意图;发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除后的电荷分布示意图。图8为本发明...
提供可靠性测试整体解决方案:可靠性设备,HTOL/LTOL、双85、HAST等几十项可靠性测试方案制定,PCB设计制作,测试试验,...
本发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除循环后再进行htol测试的输出电流iref分布图。闪存参考单元进行编译和擦除循环后,hto...
AEC-Q1001.对于非易失性存储器样品,在HTOL之前进行预处理:等级0:150℃,1000h等级1:125℃,1...
闪存HTOL测试方法与流程本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种闪存htol测试方法。背景技术:闪存(flashmemory)是一...