闪存HTOL测试方法与流程本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种闪存htol测试方法。背景技术：闪存(flashmemory)是一种非易失性的存储器，其具有即使断电存储数据也不会丢失而能够长期保存的特点。故近年来闪存的发展十分迅速，并且具有高集成度、高存储速度和高可靠性的闪存存储器被广泛应用于包括电脑、手机、服务器等电子产品及设备中。在半导体技术领域中，htol(hightemperatureoperatinglifetest，高温操作生命期试验)用于评估半导体器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力。对于闪存的可靠性而言，在数万次的循环之后的htol是一个主要指数。通常而言，闪存产品需要在10000次的循环之后，通过1000小时的htol测试。闪存htol实际测试中存在若干小时后闪存测试读点(例如读“0”)失效，亟需解决闪存htol测试中读点失效的问题。上海顶策科技自主研发智能HTOL测试机TH801，实时监测并记录每颗芯片电压，电流，频率，寄存器状态等数据。黄浦区国产HTOL测试机
HTOL的注意要点高温工作寿命的测试条件主要遵循JESD22-A108进行，除了给器件合适的偏置与负载外，主要包括温度应力和电压应力，这两者都属于加速因子。合理设置温度应力和电压应力，以便在合理的时间和成本下完成寿命评估。对于硅基产品，温度应力一般设置在结温>=125℃，GaAs等其它耐高温材料则可以设置更高的温度，具体根据加速要求而定。但无论哪种材料，均需要结温小于材料的极限工作温度或者热关断（thermalshutdown）温度。HTOL硬件的散热设计有利于加速因子的提高，这样可以节省试验时间。电压应力一般采用最高工作电压进行，如果需要提高加速度，则可以采用更高的电压进行试验，但是无论电压应力还是温度应力都不允许器件处于过电应力的状态。 黄浦区国产HTOL测试机上海顶策科技TH801智能老化系统，是一款全程数据实时记录的高效HTOL设备。
第二时间点读点、第三时间点读点至第n时间点读点。在每个时间点读点过程为：将闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值经由读出放大器进行比对判断，若iref＜i，则闪存读出“1”；若iref＞i，则闪存读出“0”。具体的，在闪存(例如norflash)产品htol可靠性验证的阶段的测试流程例如依次为：初始(***时间点)读点、48小时(第二时间点)读点、168小时(第三时间点)读点、500小时(第四时间点)读点、1000小时(第n时间点)读点。本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除循环而直接进行htol测试时，发现闪存htol可靠性验证在48小时(hrs)读点失效。
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本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除的电荷分布示意图；发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除后的电荷分布示意图。图8为本发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除循环后再进行htol测试的输出电流iref分布图。其中，具体标号如下：100-衬底；101-源极；102-漏极；103-隧穿氧化层；104-浮栅；105-栅间介质层；106-控制栅；107-侧墙；具体实施方式本发明提供一种闪存htol测试方法，以下结合附图和具体实施例作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精细的比例，*用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。图1为本发明实施例的闪存htol测试方法流程图，黄浦区国产HTOL测试机