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晶圆键合机研发生产

来源: 发布时间:2025年03月13日

EVG®501晶圆键合机(系统) ■研发和试生产的蕞/低购置成本 ■真正的低强度晶圆楔形补偿系统,可实现蕞/高产量 ■强劲的压力和温度均匀性 ■自动键合和数据记录 ■高真空键合室 (使用真空涡轮增压泵,低至10-5mbar) ■开放式腔室设计,可实现快速转换和维护 ■Windows®操作软件和控制界面 ■蕞小占地面积的200mm键合系统,只有0.88m2 EVG®510晶圆键合机(系统) ■拥有EVG®501键合机的所有功能 ■150和200mm晶圆的单腔系统 ■研发和试生产的蕞/佳购置成本 ■强劲的压力和温度均匀性 ■通过楔形补偿实现高产量 ■兼容EVG的HVM键合系统 ■高产量,加速加热和优异的泵送能力EVG的EVG®501 / EVG®510 / EVG®520 IS这几个型号用于研发的键合机。晶圆键合机研发生产

晶圆键合机研发生产,键合机

EVG®850DB自动解键合机系统全自动解键合,清洁和卸载薄晶圆特色技术数据在全自动解键合机中,经过处理的临时键合晶圆叠层被分离和清洗,而易碎的设备晶圆始终在整个工具中得到支撑。支持的剥离方法包括UV激光,热剥离和机械剥离。使用所有解键合方法,都可以通过薄膜框架安装或薄晶圆处理器来支撑设备晶圆。特征在有形和无形的情况下,都能可靠地处理变薄的、弯曲和翘曲的晶片自动清洗解键合晶圆程序控制系统实时监控和记录所有相关过程参数自动化工具中完全集成的SECS/GEM界面适用于不同基板尺寸的桥接工具功能模块化的工具布局→根据特定工艺优化了产量技术数据晶圆直径(基板尺寸)高达300毫米高达12英寸的薄膜面积组态解键合模块清洁模块薄膜裱框机选件ID阅读多种输出格式高形貌的晶圆处理翘曲的晶圆处理 晶圆键合机研发生产同时,EVG研发生产的的GEMINI系统是使用晶圆键合的量产应用的行业标准。

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临时键合系统:临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程,这对于3DIC,功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板(例如化合物半导体)非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上,从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后,将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到充分体现,该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号:EVG805解键合系统;EVG820涂敷系统;EVG850TB临时键合系统;EVG850DB自动解键合系统。 

EVG®850TB 自动化临时键合系统 全自动将临时晶圆晶圆键合到刚性载体上特色技术数据 全自动的临时键合系统可在一个自动化工具中实现整个临时键合过程-从临时键合剂的施加,烘焙,将设备晶圆与载体晶圆的对准和键合开始。与所有EVG的全自动工具一样,设备布局是模块化的,这意味着可以根据特定过程对吞吐量进行优化。可选的在线计量模块允许通过反馈回路进行全过程监控和参数优化。 由于EVG的开放平台,因此可以使用不同类型的临时键合粘合剂,例如旋涂热塑性塑料,热固性材料或胶带。EVG下的GEMINI系列是自动化生产晶圆键合系统。

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EVG®520IS晶圆键合机系统:单腔或双腔晶圆键合系统,用于小批量生产。EVG520IS单腔单元可半自动操作ZUI大200mm的晶圆,适用于小批量生产应用。EVG520IS根据客户反馈和EVGroup的持续技术创新进行了重新设计,具有EVGroup专有的对称快速加热和冷却卡盘设计。诸如独LI的顶侧和底侧加热器,高压键合能力以及与手动系统相同的材料和工艺灵活性等优势,为所有晶圆键合工艺的成功做出了贡献。特征:全自动处理,手动装卸,包括外部冷却站兼容EVG机械和光学对准器单室或双室自动化系统全自动的键合工艺执行和键合盖移动集成式冷却站可实现高产量选项:高真空能力(1E-6毫巴)可编程质量流量控制器集成冷却技术数据ZUI大接触力10、20、60、100kN加热器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸单芯片100毫米真空标准:1E-5mbar可选:1E-6mbar 晶圆级涂层、封装,工程衬底zhi造,晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底,如SOI(绝缘体上硅)。晶圆键合机研发生产

晶圆键合系统EVG501是适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合机。晶圆键合机研发生产

EVG®850LT特征利用EVG的 LowTemp™ 等离子基活技术进行SOI和直接晶圆键合适用于各种熔融/分子晶圆键合应用生产系统可在高通量,高产量环境中运行盒到盒的自动操作(错误加载,SMIF或FOUP)无污染的背面处理超音速和/或刷子清洁机械平整或缺口对准的预键合先进的远程诊断技术数据晶圆直径(基板尺寸)100-200、150-300毫米全自动盒带到盒带操作预键合室对准类型:平面到平面或凹口到凹口对准精度:X和Y:±50µm,θ:±0.1°结合力:蕞高5N键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活真空系统:9x10-2mbar(标准)和9x10-3mbar(涡轮泵选件)晶圆键合机研发生产