代理分销商WILLSEMI韦尔WPT2N41

    WNM2030是一种N型增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2030为无铅产品。小型SOT-723封装。

主要特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 优异的开启电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· DC/DC转换器

· 电源转换器电路

· 便携式设备的负载/电源切换

   WNM2030是专为现代电子系统电源管理设计的高性能MOS场效应晶体管。其RDS(ON)和低栅极电荷特性使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路中表现出色。采用先进沟槽技术，提供高密度和低功耗。快速开关操作适用于高频电源管理。小型SOT-723封装适合便携式设备，且无铅设计满足环保要求。WNM2030为现代电源管理提供高效、可靠和环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WL2803K33-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装：SOT-89-5。代理分销商WILLSEMI韦尔WPT2N41

    ESD5431Z-2/TR：电子设备的瞬态电压守护神

    ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的双向瞬态电压抑制器，专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压威胁而设计。其独特的双向保护机制，确保在数据线和控制线受到过应力时，能够迅速抑制电压波动，保护敏感电子元件免受损坏。 

    这款ESD具有出色的截止电压和瞬态保护能力，根据IEC61000-4-2标准，它能承受高达±30kV的接触放电，确保在极端情况下仍能有效保护电路，能够承受高达40A（5/50ns）的EFT和10A（8/20μs）的浪涌电流。其小型DFN0603-2L封装设计使得集成更为便捷，同时无铅和不含卤素的标准也符合环保要求。

    无论是手机、计算机还是微处理器，它都能为这些设备提供坚实的电压保护，确保它们在各种恶劣环境下都能稳定运行。应用在工业、医疗还是消费电子领域等。

    安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5431Z-2/TR这款ESD，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WPT2N41WPM3407-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23。

WNM6001：单N沟道、60V、0.50A功率MOSFET

产品描述：

     WNM6001是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的槽型技术和设计，以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM6001为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。

产品特性：

· 槽型技术

· 超高密度单元设计

· 出色的ON电阻，适用于更高的直流电流

· 极低的阈值电压

应用领域：

· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器

· DC-DC转换器

· 电路电源开关

· 负载开关充电

       WNM6001是一款采用先进槽型技术的N沟道MOSFET，专为高效能应用而设计。其出色的RDS(ON)和低栅极电荷使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。此外，WNM6001的超高密度单元设计和极低的阈值电压保证了在高直流电流下的高效运行。这款器件的小型SOT-23封装使其成为空间受限应用中的理想选择。无论是驱动继电器、电磁阀还是电机，或是为LED供电，WNM6001都能提供稳定、高效的性能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。

WPM1481：单P沟道、-12V、-5.1A功率MOSFET

产品描述：

    WPM1481是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1481为无铅产品。小型DFN2*2-6L封装。

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 适用于更高的直流电流

· 极低的阈值电压

应用领域：

· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器

· DC-DC转换电路

· 电源开关

· 负载开关

· 充电应用  

     WPM1481是一款高性能的P沟道功率MOSFET，专为高电流应用而设计。其出色的RDS(ON)和极低的阈值电压使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。同时，其小型DFN2*2-6L封装使得它在空间受限的应用中也能发挥出色。WPM1481作为无铅产品，还符合环保要求。无论是用于驱动继电器、电磁阀、电机还是LED，WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WUSB3801Q-12/TR USB芯片 封装：QFN1616-12L(1.6x1.6)。

    WNM2020是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计，以在低栅极电荷下提供出色的RDS（ON）。这款器件非常适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2020是无铅且无卤素的。

    WNM2020是一款高性能的N沟道MOS场效应晶体管，专为高效率的电源管理应用而设计。其采用的先进沟槽技术使得该晶体管在导通状态下具有很低的电阻（RDS（ON）），从而减少了功率损耗并提高了整体效率。同时，低栅极电荷使得该晶体管能够快速响应栅极驱动信号，进一步提高了开关速度。这款晶体管非常适合用于DC-DC转换器，其中高效率的电源开关是至关重要的。

    此外，它还可以用于各种充电电路，如电池充电器和太阳能充电器，以确保能量的有效转换和利用。作为一款标准产品，WNM2020不仅具有出色的电性能，还符合环保要求，不含有铅和卤素等有害物质。这使得它在各种环保法规日益严格的市场中具有广的适用性。总之，WNM2020是一款高性能、高效率且环保的N沟道增强型MOS场效应晶体管，非常适合用于各种电源管理和充电应用。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WPM3021-8/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOP-8。代理分销商WILLSEMI韦尔WPT2N41

WL2803E30-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5。代理分销商WILLSEMI韦尔WPT2N41

ESD5451N：双向瞬态电压保护神

     ESD5451N是一款高效的双向瞬态电压抑制器，专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压侵害而设计。它能承受高达±30kV的接触和空气放电，以及峰值脉冲电流达8A（8/20μs），为低速数据线和控制线提供强大的保护

    这款抑制器采用DFN1006-2L封装，具有无铅和无卤素等环保特性。其反向截止电压为±5VMax，电容典型值为17.5pF，漏电流极低，典型值小于1nA。此外，其低钳位电压特性使其在电流脉冲下仍能保持稳定的电压输出。

    ESD5451N适用于多种应用场景，包括手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备，以及网络通信设备等。其出色的瞬态电压抑制能力和稳定性，为电子设备提供了可靠的保障。

    安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销，可以提供样品供您测试。如有关于ESD5451N的进一步问题或需求，请随时与我们联系。我们期待与您合作，为您提供优异的产品和服务。 代理分销商WILLSEMI韦尔WPT2N41

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