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规格书WILLSEMI韦尔ESD5311X

来源: 发布时间:2024年03月06日

    RB521S30肖特基势垒二极管

特性:小型表面贴装类型、高可靠性低正向电压、、无铅器件

应用:低电流整流

介绍:

    RB521S30是一款肖特基势垒二极管,它具有一系列出色的特性,使其在各种应用中表现优异。首先,其小型表面贴装类型使得它在空间受限的环境中也能轻松安装,同时确保了高效的热量散发。其次,高可靠性确保了器件在长时间使用下仍能保持稳定的性能,减少了维护和更换的频率。

    此外,低正向电压是肖特基势垒二极管的一个关键特性,它允许在较低的电压下实现高效的整流功能。这一特性使得RB521S30在需要低电流整流的场合中表现出色,如某些电子设备中的电源管理部分。

    值得注意的是,RB521S30是无铅器件,符合现代环保标准。随着全球对环保意识的日益增强,无铅器件已成为许多行业的首要选择。这使得RB521S30在追求高性能的同时,也符合了环保要求。

    总的来说,RB521S30肖特基势垒二极管以其小型化、高可靠性、低正向电压和无铅环保等特性,成为低电流整流应用中的理想选择。无论是电子设备制造商还是电路设计工程师,都能从中受益。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WMM7027ATSN1-4/TR MEMS麦克风(硅麦)封装:LGA-4(1.9x2.8)。规格书WILLSEMI韦尔ESD5311X

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WPM3401:单P沟道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一种P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别定制于小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用、笔记本电脑的电源管理以及其他需要高侧开关的电池供电电路。

其主要特性包括:

· 沟槽技术

· 超高密度的单元设计

· 优异的导通电阻,适用于更高的直流电流

· 小型SOT-23-3L封装

应用领域包括:

· 笔记本电脑的电源管理

· 便携式设备

· 电池供电系统

· DC/DC转换器

· 负载开关

      WPM3401是一种高性能的功率MOSFET,专为需要高效、紧凑和可靠功率管理的应用而设计。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔ESD5311XWL2803E12-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5L。

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    ESD5311X是一款极低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,免受由静电放电(ESD)引起的过应力影响。ESD5311X包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD5311X可提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准,能承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封装,为标准无铅且无卤素产品。

主要特性:

截止电压:5V

根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电)

根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:4A(8/20μs)

极低电容:CJ=0.25pF(典型值)

极低漏电流:IR<1nA(典型值)

低钳位电压:VCL=22V(典型值)@IPP=16A(TLP)

固态硅技术

应用领域:

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便携式电子设备

笔记本电脑

    ESD5311X是一款专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,可承受高达±20kV的静电放电和4A的峰值脉冲电流,保护电子组件免受损害。适用于USB、HDMI、SATA等接口,确保数据传输的稳定性。紧凑、环保,广泛应用于便携式设备和笔记本电脑。如需更多信息,请查阅手册或联系我们。

WNM2016A:N沟道增强型MOSFET场效应晶体管

产品描述:

WNM2016A它采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2016A为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。

产品特性:

· 沟槽技术

· 超高密度单元

· 设计出色的ON电阻

· 极低的阈值电压


应用领域:

· DC/DC转换器

· 电源转换器

· 电路便携式设备的负载/电源开关      

      WNM2016A是一款高性能的N沟道MOSFET,专为现代电子设备中的高效能量转换和开关应用而设计。其独特的沟槽技术和高密度单元设计提供了优越的电气性能,包括低RDS(ON)和低栅极电荷,从而实现高效能量转换和减少热量损失。此外,极低的阈值电压和SOT-23小型封装使其成为便携式设备中的理想选择,因为它既能够提供强大的性能,又能够节省空间。无论是DC/DC转换器、电源转换器电路,还是便携式设备的负载/电源开关,WNM2016A都是一个出色的选择,能够确保设备的稳定运行和高效能量管理。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WAS4766C-9/TR 模拟开关 封装:WLCSP-9L。

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WS4612:60mΩ电流限制型电源分配开关

产品描述

    WS4612是一款具有高侧开关和极低导通电阻的P-MOSFET。其集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入,从而保护电源。此外,WS4612还集成了反向保护功能,当设备关闭时,可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时,输出自动放电,使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4612提供SOT-23-5L和TSOT-23-5L两种封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性

· 输入电压范围:2.5-5.5V

· 主开关RON:60mΩ@VIN=5.0V

· 电流限制精度:±15%

· 调整电流限制范围:0.1A-2.5A(典型值)

· 典型上升时间:600μS

· 静态供电电流:26μA

· 欠压锁定

· 自动放电

· 反向阻断(无“体二极管”)

· 过温保护


应用领域

· USB外设

· USB Dongle

· USB 3G数据卡

· 3.3V或5V电源开关

· 3.3V或5V电源分配

     WS4612是功能丰富的电源分配开关,专为现代电子设备电源管理和保护设计。极低导通电阻和集成电流限制功能,应对高电容负载和短路情况。反向保护和自动放电功能增强安全性。适用于USB外设、数据卡和电源分配,确保设备稳定运行。紧凑封装,环保无铅无卤素设计,易集成。详情查阅数据手册或联系我们。 WL2851E33-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5L。规格书WILLSEMI韦尔ESD5311X

WPM2080-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-23-3L。规格书WILLSEMI韦尔ESD5311X

WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升压转换器

产品描述:

     WD3133是一款高效率、高功率的峰值电流模式升压转换器。内部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET,小电流限制为1A。对于使用锂离子电池的便携式设备,WD3133可以从3.3V~5V的输入电压输出典型的12V/200mA~300mA。这款升压转换器WD3133采用脉冲宽度调制(PWM)模式,固定开关频率为1.2MHz,以减少输出纹波并提高转换效率。它还允许使用小型外部组件。在轻负载电流下,转换器进入跳过模式,以在绝大部分的负载电流范围内保持高效率。内置的软启动电路可以小化启动时的涌入电流。WD3133采用SOT-23-5L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性:

宽输入电压范围:2.7V至5.5V1.25V(±2%)

高精度参考电压1.2MHz开关频率

高达93%的效率

超过1A(小值)的功率开关电流限制

从3.3V~5V的输入提供典型的12V/200mA~300mA输出

内置软启动


应用领域:

智能手机

平板电脑

便携式游戏机

平板电脑(PADs)

      WD3133是专为便携式设备设计的高效升压转换器,1.2MHz开关频率和宽输入电压范围使其适用于多种场景,如智能手机、平板电脑和游戏机等。其软启动电路和电流限制功能增强了安全性和可靠性,是电源管理的理想选择。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔ESD5311X

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