TO220封装的快恢复二极管MUR1640CTR

二极管质量的好坏取决于芯片工艺。目前，行业内使用的二极管芯片工艺主要有两种：玻璃钝化（GPP）和酸洗（OJ）。二极管的GPP工艺结构，其芯片P-N结是在钝化玻璃的保护之下。玻璃是将玻璃粉采用800度左右的烧结熔化，冷却后形成玻璃层。这玻璃层和芯片熔为一体，无法用机械的方法分开。而二极管的OJ工艺结构，其芯片P-N结是在涂胶的保护之下。采用涂胶保护结，然后在200度左右温度进行固化，保护P-N结获得电压。OJ的保护胶是覆盖在P-N结的表面。玻璃钝化（GPP）和酸洗（OJ）特性对比玻璃钝化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工艺由于结构的不同，当有外力产生时，冷热冲击，OJ工艺结构的二极管，由于保护胶和硅片不贴合，会产生漏气，导致器件出现一定比率的失效。GPP工艺结构的TVS二极管，可靠性很高，在150度的HTRB时，表现仍然很出色；而OJ工艺的产品能够承受100度左右的HTRB。常州市国润电子有限公司是一家专业提供快恢复二极管 的公司，有需求可以来电咨询！TO220封装的快恢复二极管MUR1640CTR

快恢复二极管是极有发展前景的电力、电子半导体器件。性能特点1）反向恢复时间反向恢复时间trr的概念是：电流通过零点由正向变换到规定低值的时间间距。它是衡量高频续流及整流器件性能的主要技术指标。IF为正向电流，IRM为反向回复电流。Irr为反向回复电流，当t≤t0时，正向电流I=IF。当t＞t0时，由于整流器件上的正向电压忽然变为反向电压，因此正向电流很快下降，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR日渐增大；在t=t2日子达到反向回复电流IRM值。此后受正向电压的效用，反向电流日趋减少，并在t=t3日子达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相像之处。2）快回复、超快恢复二极管的结构特点快恢复二极管的内部构造与平常二极管不同，它是在P型、N型硅材质中间增加了基区I，组成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向回复电荷很小，减少了trr值，还下降了瞬态正向压降，使管子能经受很高的反向工作电压。快回复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷更进一步减少，使其trr可低至几十纳秒。TO220封装的快恢复二极管MUR1640CTR快恢复二极管 ，就选常州市国润电子有限公司，用户的信赖之选，欢迎您的来电哦！

   2）快恢复、超快恢复二极管的结构特点快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C20-04型快恢复二极管（单管）的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型（共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装，主要技术指标见表1。几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。2．检测方法（1）测量反向恢复时间测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF，脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号。

   我们都知道在选择快恢复二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的快恢复二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。在快恢复二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为，硅管约为）以后，快恢复二极管才能真正导通。但快恢复二极管的导通压降是恒定不变的吗？它与正向扩散电流又存在什么样的关系？通过下图1的测试电路在常温下对型号为快恢复二极管进行导通电流与导通压降的关系测试，可得到如图2所示的曲线关系：正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽为，但对于功率快恢复二极管来说它影响效率也影响快恢复二极管的温升，所以在价格条件允许下，尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的快恢复二极管常州市国润电子有限公司力于提供快恢复二极管 ，有想法的可以来电咨询！

   20世纪80年代初，绝缘栅双极晶体管(IGBT)和功率M0S场效应管(P0WERM0SFET)的研制成功，并得到急剧发展和商业化，这不仅对电力电子逆变器向高频化发展提供了坚实的器件基础，同时，为用电设备高频化(20kHz以上)和高频设备固态化，为高效、节电、节材，实现机电体化，小型轻量化和智能化提供了重要的技术基础。与此同时，给IGBT,功率MOSFET等高频逆变装置配套的、且不可缺少的FRED也得到了很快的发展。因为，随着装置工作开关频率的提高，若没有FRED给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、箝位、隔离输出整流器和输入整流器。那么IGBT、功率MOSFET、IGCT等开关器件就不能发挥它们的功能和独特作用，这是由于FRED的关断特性参数(反向恢复时间trr、反向恢复电荷Qrr，反向峰值电流IRM)的作用所致，合适参数的FRED与高频开关器件的协调工作。使高频逆变电路内因开关器件换相所引起的过电压尖峰，高频干扰电压以及EMI降低，使开关器件的功能得到充分发挥，FRED模块现已批量在大功率开关电源、高频逆变电焊机、高频逆变开关型电镀电源、高频快速充电器以及高频调速装置等场合使用，结果非常令人满意。本文将简要介绍该FRED模块的工艺结构，技术参数。常州市国润电子有限公司力于提供快恢复二极管 ，有需要可以联系我司哦！TO220封装的快恢复二极管MUR1640CTR

快恢复二极管 常州市国润电子有限公司值得用户放心。TO220封装的快恢复二极管MUR1640CTR

   继电器线圈可以储存能量的（线圈会阻止电流的突变，即电流只能慢慢增大和减少），如果一下使线圈断电，它两端就会产生很大的电压，这样就可能使线圈损坏、相连接的元器件击穿。这时，我们只要在线圈两端接上快恢复二极管，便可以使它产生一个回路（断电时相当于在线圈两端接根短路线），使线圈储存的能量放完。这个快恢复二极管在这里起到续流的作用，我们通常称它为续流快恢复二极管。电感在电路中常用“L”加数字表示，电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电感的特性是通直流阻交流TO220封装的快恢复二极管MUR1640CTR