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江西快恢复二极管MUR3060CS

来源: 发布时间:2024年06月15日

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   二极管的软度可以获取更进一步操纵。图3SONIC软恢复二极管的寿命控制该二极管回复波形异常的平滑从未振荡,所以电磁扰乱EMI值十分低。这种软恢复二极管不仅引致开关损失缩减,而且容许除去二极管的并联RC缓冲器。使用轴向寿命抑制因素可以取得较佳性能的二极管。电力电子学中的功率开关器件(IGBT、MOSFET、BJT、GTO)总是和迅速二极管相并联,在增加开关频率时,除传导损耗以外,功率开关的固有的功用和效率均由二极管的反向恢复属性决定(由图2的Qrr,IRM和Irr特点表示)。所以对二极管要求正向瞬态压降小,反向回复时间断,反向回复电荷少,并且具备软恢复特点。反向峰值电流IRM是另一个十分关键的属性。反向电流衰变的斜率dirr/dt由芯片的工艺技术和扩散参数决定。在电路中,这个电流斜率与寄生电感有关,例如连接引线,引起过电压尖峰和高频干扰电压。dirr/dt越高(“硬回复”属性),二极管和并联的开关上产生的附加电压越高。反向电流的缓慢衰减(“软恢复”特点)是令人令人满意的属性。所有的FRED二极管都使用了“软恢复”特点,SONIC二极管的恢复属性更“软”,它们的阻断电压范围宽,使这些迅速软恢复二极管能够作为开关电源(SMPS)的输出整流器江西快恢复二极管MUR3060CSMUR2060CD是什么类型的管子?

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目前,行业内使用的二极管芯片工艺主要有两种:玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)。二极管的GPP工艺结构,其芯片P-N结是在钝化玻璃的保护之下。玻璃是将玻璃粉采用800度左右的烧结熔化,冷却后形成玻璃层。这玻璃层和芯片熔为一体,无法用机械的方法分开。而二极管的OJ工艺结构,其芯片P-N结是在涂胶的保护之下。采用涂胶保护结,然后在200度左右温度进行固化,保护P-N结获得电压。OJ的保护胶是覆盖在P-N结的表面。玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)特性对比玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)芯片工艺由于结构的不同,当有外力产生时,冷热冲击,OJ工艺结构的二极管,由于保护胶和硅片不贴合,会产生漏气,导致器件出现一定比率的失效。GPP工艺结构的TVS二极管,可靠性很高,在150度的HTRB时,表现仍然很出色;而OJ工艺的产品能够承受100度左右的HTRB。

行业内使用的二极管芯片工艺主要有两种:玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)。二极管的GPP工艺结构,其芯片P-N结是在钝化玻璃的保护之下。玻璃是将玻璃粉采用800度左右的烧结熔化,冷却后形成玻璃层。这玻璃层和芯片熔为一体,无法用机械的方法分开。而二极管的OJ工艺结构,其芯片P-N结是在涂胶的保护之下。采用涂胶保护结,然后在200度左右温度进行固化,保护P-N结获得电压。OJ的保护胶是覆盖在P-N结的表面。玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)特性对比玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)芯片工艺由于结构的不同,当有外力产生时,冷热冲击,OJ工艺结构的二极管,由于保护胶和硅片不贴合,会产生漏气,导致器件出现一定比率的失效。GPP工艺结构的TVS二极管,可靠性很高,在150度的HTRB时,表现仍然很出色;而OJ工艺的产品能够承受100度左右的HTRB。MUR2040CTR是什么类型的管子?

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   继电器并联快恢复二极管电路形式见图1,其作用主要是为了保护晶体管等驱动元器件。流经线圈的电流变化时,线圈会产生自激电压来抑制电流的变化,当线圈中的电流变化越快时,所产生的电压越高。在继电器开通到关断的瞬间,由于线圈有电感的性质,所以瞬间会在继电器的线圈的低电压端产生一个瞬间电压尖峰,通常能高达数十倍的线圈额定工作电压。当图中晶体管VT由导通变为截止时,流经继电器线圈的电流将迅速减小,这时线圈会产生很高的自感电动势与电源电压叠加后加在VT的c、e两极间,会使晶体管击穿,并联上快恢复二极管后,即可将线圈的自感电动势钳位于快恢复二极管的正向导通电压,此值硅管约,锗管约,从而避免击穿晶体管等驱动元器件。并联快恢复二极管时一定要注意快恢复二极管的极性不可接反,否则容易损坏晶体管等驱动元器件。继电器线圈断电瞬间,线圈上可产生高于线圈额定工作电压值30倍以上的反峰电压,对电子线路有极大的危害,通常采用并联瞬态抑制(又叫削峰)快恢复二极管或电阻的方法加以抑制,使反峰电压不超过50V,但并联快恢复二极管会延长继电器的释放时间3~5倍。MUR3020CTR是什么类型的管子?江西快恢复二极管MUR3060CS

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 选择快恢复二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的快恢复二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。快恢复二极管的反向恢复时间为电流通过零点由正向转换成反向,再由反向转换到规定低值的时间间隔,实际上是释放快恢复二极管在正向导通期间向PN结的扩散电容中储存的电荷。反向恢复时间决定了快恢复二极管能在多高频率的连续脉冲下做开关使用,如果反向脉冲的持续时间比反向恢复时间短,则快恢复二极管在正向、反向均可导通就起不到开关的作用。PN结中储存的电荷量与反向电压共同决定了反向恢复时间,而在高频脉冲下不但会使其损耗加重,也会引起较大的电磁干扰。所以知道快恢复二极管的反向恢复时间正确选择快恢复二极管和合理设计电路是必要的,选择快恢复二极管时应尽量选择PN结电容小、反向恢复时间短的,但大多数厂家都不提供该参数数据。江西快恢复二极管MUR3060CS

标签: 整流桥