I-CORE中微爱芯AiP8P004A 发布时间：2024.05.02

AIP3368是一款由中微爱芯生产的数码管驱动芯片，它集成了数码管、按钮和LED指示灯的驱动功能。作为一款内建双锁存的16路恒流LED驱动控制电路，AIP3368具有按键扫描和LED灯光控制功...

ST先科ESD3Z12 发布时间：2024.04.25

BC817-40是一款双极性晶体管，具体为NPN通用晶体管。它采用了小型SOT23表面安装器件（SMD）塑料封装，这种封装形式使得BC817-40在电路板上占用空间较小，有利于实现电路的小型化和高集成...

中文资料I-CORE中微爱芯AiP1722 发布时间：2024.04.19

AIP1640是一款LED驱动电路，专为LED显示面板设计，特别适用于家电产品如电磁炉、电饭煲、空调和电子秤等的显示屏驱动。它集成了MCU数字接口、数据锁存器和LED驱动等电路，具有、高效稳定...

代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5641D10 发布时间：2024.04.08

WNM2020是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计，以在低栅极电荷下提供出色的RDS（ON）。这款器件非常适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品...

规格书BEILING贝岭BL32F3232NQ 发布时间：2024.04.01

BL3085A(H)是一款由上海贝岭（Belling）生产的RS-485/RS-422接口芯片，采用SOP-8封装形式。 这款芯片的主要特性和规格如下： 接口类型：BL3085A(...

代理分销商I-CORE中微爱芯AiP8F7364 发布时间：2024.03.29

AIP4953是一款双P沟道增强型MOSFET，由中微爱芯生产。其主要应用在笔记本电脑的电源管理、便携式设备以及电池供电系统中。 该器件的主要功能和特点如下： 1.高效的电...

中文资料BEILING贝岭BL24CM2A 发布时间：2024.03.25

BL8071CLATR33是一款由上海贝岭（Belling）生产的线性稳压器/LDO（LowDropoutRegulator）。 以下是BL8071CLATR33的主要特点和规格： ...

代理分销商BEILING贝岭BL8310 发布时间：2024.03.23

BLM3401是一款由上海贝岭（Belling）生产的功率MOSFET，属于P沟道增强型功率MOSFET，其型号为BLM3401。该MOSFET具有VDS=30V、VGS=±20V、ID=4....

中文资料BEILING贝岭BL8078CC3TR33 发布时间：2024.03.20

BL3085A(H)是一款由上海贝岭（Belling）生产的RS-485/RS-422接口芯片，采用SOP-8封装形式。 这款芯片的主要特性和规格如下： 接口类型：BL3085A(...

中文资料WILLSEMI韦尔WHS3802Q 发布时间：2024.03.19

WAS4729QB：低导通电阻（0.8Ω）双SPDT模拟开关，具有负摆幅音频功能 产品描述： WAS4729QB是一款高性能的双单极双掷（SPDT）模拟开关，具有负摆幅音频功能...

中文资料WILLSEMI韦尔ESD5305FB 发布时间：2024.03.16

ESD9X5VL是一款单向瞬态电压抑制器（TVS），为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供极高水平的保护。它被设计用于替代消费设备中的多层变阻器（MLV），适用于手机、笔记本电脑...

中文资料BEILING贝岭BL32F3232NR 发布时间：2024.03.15

BL1590是一款高速RS-485收发器芯片 具有以下特点和优势： 宽电源供电范围：BL1590可以在3~5.5V的宽电源范围内正常工作，这为设计师提供了更大的灵活性，使得该芯片能...

规格书WILLSEMI韦尔ESD63124D 发布时间：2024.03.14

WL2803E：极低压差、500mA、CMOSLDO（低压差线性稳压器 产品描述 WL2803E系列是一款具有极低压差、低静态电流和高电源抑制比（PSRR）的CMOSLDO。...

规格书BEILING贝岭BL8034 发布时间：2024.03.14

BL5372是一款由上海贝岭（Belling）生产的低功耗实时时钟电路。具有以下特点和功能： 功耗：BL5372在典型工作条件下的功耗为400nA@3.6V，非常适合对功耗有严格要求的应...

规格书WILLSEMI韦尔WS4695C 发布时间：2024.03.13

RB521C30：肖特基势垒二极管 · 重复峰值反向电压 VRM 30 V · 直流反向电压 VR 30 V · 平均整流正向电流 IO 100 mA 产品特性： ...

代理分销商WILLSEMI韦尔WPT2N41 发布时间：2024.03.13

WNM2030是一种N型增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM203...

中文资料BEILING贝岭BL8566 发布时间：2024.03.11

BL24C64A-PARC是一款基于EEPROM技术的高可靠性、高稳定性的存储芯片。它采用24C64A芯片作为中心，具有抗干扰能力强、数据存储密度大、存储寿命长等特点。 BL24C6...

规格书BEILING贝岭BL8023C 发布时间：2024.03.11

BL24C02F-PARC是一款由上海贝岭（Belling）生产的EEPROM（ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory，电可擦写可编程只...

规格书WILLSEMI韦尔ESD5311X 发布时间：2024.03.06

RB521S30肖特基势垒二极管 特性：小型表面贴装类型、高可靠性低正向电压、、无铅器件 应用：低电流整流 介绍： RB521S30是一款肖特基势垒二极管，...

中文资料WILLSEMI韦尔WL2861K 发布时间：2024.03.05

BL1551B是一款模拟开关，具体地说：它是一个单通道、高带宽的单刀双掷（SPDT）模拟开关。这种开关特别适用于数据和音频信号的切换。 以下是BL1551B的主要特性和优势： ...

中文资料WILLSEMI韦尔ESD5302V 发布时间：2024.03.02

WNM2016A：N沟道增强型MOSFET场效应晶体管 产品描述： WNM2016A它采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源...

规格书WILLSEMI韦尔SPD81581A 发布时间：2024.03.01

WL2803E系列是一种采用CMOS工艺制造的低压差线性稳压器，具有极低的压降、低静态电流和高电源抑制比（PSRR）等特点。在500mA的负载电流下，其压降只有130mV（典型值）。这使得...