AlN陶瓷基片一般采用无压烧结，该烧结方法是一种较普通的烧结，虽然工艺简单、成本较低、可制备形状复杂，但烧结温度一般偏高，再不添加烧结助剂的情况下，一般无法制备高性能陶瓷基片。传统烧结方式一般通过外部...

氮化铝陶瓷作为一种先进的陶瓷材料，近年来在科技领域备受瞩目。随着新材料技术的不断发展，氮化铝陶瓷凭借其出色的性能，正逐渐成为市场的新宠。氮化铝陶瓷拥有高热导率、低电导率、高绝缘性等优异特性，使其在电子...

高电阻率、同热导率和低介电常数是集成电路对封装用基片的基本要求.封装用基片还应与硅片具有良好的热匹配.易成型高表面平整度、易金属化、易加工、低成本等特点和一定的力学性能.大多数陶瓷是离子键...

氮化铝陶瓷：科技新宠，未来可期在高科技产业的浪潮中，氮化铝陶瓷以其独特的性能，正逐渐成为新材料领域的一颗璀璨明星。作为一种高性能陶瓷，氮化铝陶瓷拥有优异的热导率、低介电常数和高绝缘性，使其在电子、通信...

氮化铝陶瓷——高效能与经济效益的完美结合在现代工业材料领域，氮化铝陶瓷以其独特的性能优势，成为众多行业的前面选择。作为一种高性能陶瓷，氮化铝不仅具备优异的热导率、低介电常数和高绝缘性，更在成本效益方面...

氮化铝陶瓷作为新型高性能陶瓷材料，近年来在科技领域的应用逐渐受到很广关注。随着先进制造技术的飞速发展，氮化铝陶瓷以其优1越的热稳定性、高导热率及优良的机械性能，正成为高温、高频及高功率电子器件封装的多...

氮化铝陶瓷——高效能与经济效益的完美结合在现代工业材料领域，氮化铝陶瓷以其独特的性能优势，正逐渐成为高性价比的代名词。这种陶瓷不仅具备出色的耐高温、抗腐蚀和高绝缘性能，更在降低成本、提高效益方面展现出...

另外，用AlN晶体做高铝（Al）组份的AlGaN外延材料衬底还可以降低氮化物外延层中的缺陷密度，极大地提高氮化物半导体器件的性能和使用寿命。基于AlGaN的高质量日盲探测器已经获得成功应用...

在氮化铝一系列重要的性质中，为的是高的热导率。关于氮化铝的导热机理，国内外已做了大量的研究，并已形成了较为完善的理论体系。主要机理为：通过点阵或晶格振动，即借助晶格波或热波进行热的传递。量...

随着集成电路成为了战略性产业，除碳化硅以外，很多半导体材料得以被研究开发，氮化铝无疑是其中有发展前景的半导体材料之一。在离将于2021年8月在河南郑州举办“2021第四届新型陶瓷技术与产业...

陶瓷先驱体是用化学方法合成的一类聚合物。1976年，Yajima等利用有机高分子先驱体聚碳硅烷裂解制备出SiC陶瓷纤维，开创了先驱体转化制备陶瓷及其复合材料的先河。无机陶瓷可通过陶瓷先驱体即有机聚合物...

与金属和聚合物相比，许多陶瓷的极高熔点对增材制造提出了挑战。由于陶瓷不易铸造或机加工，因此3D打印可实现几何灵活性的巨大飞跃。HRL所开发的陶瓷前树脂体系可以使用目前商业化的立体光刻3D打印机进行...