氮化铝陶瓷：科技新材料，带领未来产业发展在当今高科技产业迅猛发展的时代，氮化铝陶瓷以其独特的性能优势，正逐渐成为新材料...

AlN陶瓷基片一般采用无压烧结，该烧结方法是一种较普通的烧结，虽然工艺简单、成本较低、可制备形状复杂，但烧结温度一般偏高，再不添加...

氮化铝粉体的制备工艺主要有直接氮化法和碳热还原法，此外还有自蔓延合成法、高能球磨法、原位自反应合成法、等离子化学合成法...

AlN陶瓷基片一般采用无压烧结，该烧结方法是一种较普通的烧结，虽然工艺简单、成本较低、可制备形状复杂，但烧结温度一般偏高，再不添加...

氮化铝陶瓷作为一种先进的陶瓷材料，近年来在科技领域备受瞩目。随着新材料技术的不断发展，氮化铝陶瓷凭借其出色的性能，正逐渐成为市场的...

氮化铝陶瓷：科技新宠，未来可期在当今高科技产业迅猛发展的浪潮中，氮化铝陶瓷以其独特的性能优势，正逐渐成为材料科学领域的新星。作为一...

作为压申薄膜已经被广泛应用;作为电子器件和集成申路的封装、介质隔离和绝缘材料有着重要的应用前景；作为蓝光.紫外发光材料...

高电阻率、同热导率和低介电常数是集成电路对封装用基片的基本要求.封装用基片还应与硅片具有良好的热匹配.易成型高表面平整...

高能球磨法是指在氮气或氨气气氛下，利用球磨机的转动或振动，使硬质球对氧化铝或铝粉等原料进行强烈的撞击、研磨和搅拌，从而...