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SiP模块可靠度及失效分析，由于内部线路和基板之间的复杂链接，当模块出现问题时，分析微米级组件的异常变得特别具有挑战性，尤其是在电性测试期间，其他部件的导电性会影响测定结果。而且某些异常污染可能光只有几奈米的厚度，如：氧化或微侵蚀，使用一般的光学或电子显微镜根本无法发现。为了将制程问题降至较低，云茂电子在SiP模块失效分析领域持续强化分析能力，以X射线检测(3D X–ray)、材料表面元素分析(XPS) 及傅立叶红外线光谱仪（FTIR）等三大品管仪器找出解决之道。 SiP封装通常在一块大的基板上进行，每块基板可以制造几十到几百颗SiP成品。河南模组封装精选厂家

合封电子、芯片合封和SiP系统级封装经常被提及的概念。但它们是三种不同的技术，还是同一种技术的不同称呼？本文将帮助我们更好地理解它们的差异。合封电子与SiP系统级封装的定义，首先合封电子和芯片合封都是一个意思合封电子是一种将多个芯片（多样选择）或不同的功能的电子模块（LDO、充电芯片、射频芯片、mos管）封装在一起的定制化芯片，从而形成一个系统或者子系统。以实现更复杂、更高效的任务。云茂电子可定制组成方式包括CoC封装技术、SiP封装技术等。河南模组封装精选厂家SiP可以说是先进的封装技术、表面安装技术、机械装配技术的融合。

PiP封装的优点：1）外形高度较低；2）可以采用标准的SMT电路板装配工艺；3）单个器件的装配成本较低。PiP封装的局限性：（1）由于在封装之前单个芯片不可以单独测试，所以总成本会高（封装良率问题）；（2）事先需要确定存储器结构，器件只能有设计服务公司决定，没有终端使用者选择的自由。TSV，W2W的堆叠是将完成扩散的晶圆研磨成薄片，逐层堆叠而成。层与层之间通过直径在10µm以下的细微通孔而实现连接。此种技术称为TSV（Through silicon via）。与常见IC封装的引线键合或凸点键合技术不同，TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度更大、外形尺寸更小，并且较大程度上改善芯片速度和降低功耗，成为3D芯片新的发展方向。

通信SiP 在无线通信领域的应用较早，也是应用较为普遍的领域。在无线通讯领域，对于功能传输效率、噪声、体积、重量以及成本等多方面要求越来越高，迫使无线通讯向低成本、便携式、多功能和高性能等方向发展。SiP 是理想的解决方案，综合了现有的芯核资源和半导体生产工艺的优势，降低成本，缩短上市时间，同时克服了 SOC 中诸如工艺兼容、信号混合、噪声干扰、电磁干扰等难度。手机中的射频功放，集成了频功放、功率控制及收发转换开关等功能，完整地在 SiP 中得到了解决。SiP并没有一定的结构形态，芯片的排列方式可为平面式2D装和立体式3D封装。

合封芯片、芯片合封和SiP系统级封装经常被提及的概念。但它们是三种不同的技术，还是同一种技术的不同称呼？本文将帮助我们更好地理解它们的差异。合封芯片与SiP系统级封装的定义，首先合封芯片和芯片合封都是一个意思，合封芯片是一种将多个芯片（多样选择）或不同的功能的电子模块（LDO、充电芯片、射频芯片、mos管）封装在一起的定制化芯片，从而形成一个系统或者子系统。以实现更复杂、更高效的任务。合封芯片可定制组成方式包括CoC封装技术、SiP封装技术等。SiP系统级封装作为一种集成封装技术，在满足多种先进应用需求方面发挥着关键作用。河南模组封装精选厂家

SIP工艺流程划分，SIP封装制程按照芯片与基板的连接方式可分为引线键合封装和倒装焊两种。河南模组封装精选厂家

SIP工艺解析，引线键合封装工艺工序介绍：圆片减薄，为保持一定的可操持性，Foundry出来的圆厚度一般在700um左右。封测厂必须将其研磨减薄，才适用于切割、组装，一般需要研磨到200um左右，一些叠die结构的memory封装则需研磨到50um以下。圆片切割，圆片减薄后，可以进行划片，划片前需要将晶元粘贴在蓝膜上，通过sawwing工序，将wafer切成一个 一个 单独的Dice。目前主要有两种方式：刀片切割和激光切割。芯片粘结，贴装的方式可以是用软焊料(指Pb-Sn合金，尤其是含Sn的合金)、Au—Si低共熔合金等焊接到基板上，在塑料封装中较常用的方法是使用聚合物粘结剂粘贴到金属框架上。河南模组封装精选厂家