中山MB10S二极管参数

晶体二极管：  也称为半导体二极管。  1947年由美国人发明。半导体二极管内部有一个PN结和两个端子。 本征半导体：指不含任何掺杂元素的半导体，如纯硅片、纯锗片等。  P型半导体：掺杂有产生空穴且价态较低的杂质的半导体，如本征半导体中在Si(4)中掺杂Al(3)的半导体。  N型半导体：掺杂有产生空穴且电价较低的杂质的半导体，例如本征半导体中的硅Si(4)中掺杂有磷P(5)的半导体。  当P型半导体和N型半导体接触时，产生独特的PN结界面，界面两侧形成空间电荷层，形成自建电场。二极管的电流承受能力也有多种选择。中山MB10S二极管参数

二极管具有防反作用和整流功能主电路中串联一个二极管，利用二极管的单向导通特性，实现简单、可靠的低成本防反接电路。这种低成本的方案一般用在小电流的场合，比如小玩具。因为二极管导通时会有0.7V（硅管）的导通压降，如果实际电流很大，就会有热损失，从而引起发热。而且，如果反向电压很大，超过反向截止电压，也会击穿二极管本身，导致二极管失效，无法防止反接，从而无法保护后续电路。整改整流电路的作用是将交流降压电路输出的较低电压交流电转变为单向脉动直流电。这就是交流电的整流过程。整流电路主要由整流二极管组成。整流电路后的电压不再是交流电压，而是包含直流电压和交流电压的混合电压，习惯上称为单向脉动直流电压。中山MB10S二极管参数二极管的结构简单，制造工艺成熟。

变容二极管 变容二极管是利用PN结电容随外加偏置电压变化的特性而制成的非线性电容元件。 广泛应用于参量放大器、电子调谐、倍频器等微波电路中。   瞬态电压抑制器TVS 专门用于ESD保护的固态二极管。  TVS二极管与被保护电路并联。 当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管就会发生雪崩，为瞬态电流提供通路，保护内部电路不被过电压击穿。  发光二极管采用磷化镓、砷化镓磷材料制成。 它们体积小，向前行驶时会发光。 工作电压低、工作电流小、发光均匀、寿命长，可发出红、黄、绿单色光。  肖特基二极管 基本原理是：在金属（如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，形成的肖特基用来阻挡反向电压。 肖特基结和PN结的整流原理有根本的区别。

整流二极管是一种将交流电转换为直流电的半导体器件。通常包含一个PN结，有两个端子：正极和负极。整流二极管一般为平面硅二极管，用于各种电源整流电路中。整流二极管具有非常明显的单向导电性。电路中，电流只能从二极管的正极流入，从负极流出。一般来说，整流二极管是p型半导体和n型半导体烧结而成的pn结界面。这里我们主要总结一下整流二极管的三个作用：1、防止电流倒灌。2、起到保护电路、防止正负极接错的作用。3、反向击穿效应。二极管的引线焊接过程需要注意焊接剂的选择。

为了保护数据接口电路，还必须注意选择电容c合适的TVS器件。 根据应用选择TVS的极性和封装结构。 交流电路选择双极性TVS比较合理； 选择TVS阵列进行多线保护更有优势。 温度考虑：瞬态电压抑制器可以在-55℃~150℃下工作。如果TVS需要在不同的温度下工作，其反向漏电流ID将会增加。 功耗随着 TVS 结温的升高而降低。 从25到175，线性下降约50%。 随着温度的升高，雨击穿电压VBR以一定的系数增加。 因此，有必要查阅相关产品资料，考虑温度变化对其特性的影响。二极管的引线材料一般为铜。中山MB10S二极管参数

常见的有DO-35、SMA和SMB等尺寸。中山MB10S二极管参数

变容二极管是一种特殊二极管。当施加正向偏压时，产生大量电流，PN（正负极）结的耗尽区变窄，电容变大，产生扩散电容效应；当施加反向偏压时，会发生过渡电容效应。然而，由于施加正向偏压时会产生漏电流，因此在应用中总是提供反向偏压。变容二极管，也称为电压控制变容二极管，是根据供电电压的变化而改变其结电容的半导体。换句话说，作为可变电容器，可用于FM调谐器和电视调谐器等谐振电路以及FM调制电路。变容二极管是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件，在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。中山MB10S二极管参数