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山东优势西门康可控硅模块

来源: 发布时间:2023年06月02日

指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧,则表明可控硅良好,且触发电压(或电流)小。若保持接通A极或T2极时断开G极,指针立即退回∞位置,则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量,对于单向可控硅,闭合开关K,灯应发亮,断开K灯仍不息灭,否则说明可控硅损坏。对于双向可控硅,闭合开关K,灯应发亮,断开K,灯应不息灭。然后将电池反接,重复上述步骤,均应是同一结果,才说明是好的。否则说明该器件已损坏。左手665收藏时间:2016年2月6日18:40如何鉴别可控硅的三个极关键字:可控硅检测方法鉴别可控硅三个极的方法很简单,根据P-N结的原理,只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上,阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结,而且方向相反,因此阳极和控制极正反向都不通)。控制极与阴极之间是一个P-N结,因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围,反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻断状态的,可以有比较大的电流通过,因此,有时测得控制极反向电阻比较小,并不能说明控制极特性不好。在规定环境温度和散热条件下,允许通过阴极和阳极的电流平均值。山东优势西门康可控硅模块

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一、可控硅的结构和特性■可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种(见图表-25)。螺旋式的应用较多。■可控硅有三个电极----阳极(A)阴极(C)和控制极(G)。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构,共有三个PN结。其结构示意图和符号见图表-26。■从图表-26中可以看到,可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用,为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时,只要在控制极加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。■可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。山东优势西门康可控硅模块可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。

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    在门极G上加以正电压或正脉冲信号,则GT0导通;当门极上信号消失后,GTO仍然保持导通状态,这与普通SCR性能完全一样。这时如在门极与阴极之间加入反向电压或较强的反向脉冲信号,可使GTO关断。GTO在门极加负脉冲关断信号时,有一个反向偏置工作安全区问题。就是指一定条件下GT0能可靠关断的阳极电流和阳极电压的轨迹。以上图可控硅模块来说,怎么判断可控硅模块如下1、这种模块已经标注有详细的图,在门极上部也清楚标注有希拉数字4、5、6、7。也就是说可控硅模块无需极性判别。简单的判别,可用数字万用表的电阻挡位200Ω,测量一下k1=4、G1=5、k2=7、G2=6,是否一一对应。如不对应表示模块内部已经出现损坏了。正常时k1与G1正反向电阻值都为一样14Ω。K2与G2的两个端点的电阻也应该是14Ω。如果测得阴极k与门极G电阻值等于o时,说明元件内部己经短路击穿损坏。上面三个电流紧固电极(1~AK2)、(2~K1)、(3~A)。2、将万用表200MΩ挡位测量,它们之间的电阻值,均为∞无穷大均为好。如果它们三点之中其中有二点有电阻值,表明模块已坏。3、可将用于整流作用的模块可控硅单独分为一只可控硅看,为安全起见,采用24V直流稳压电源,与一直流24V5W灯泡如下图进行简单的判别。

    电动机端电压波形为正弦波,即全导通状态;(图示两种状态)当可控硅导通角α1《180°时,电动机端电压波形如图实线所示,即非全导通状态,有效值减小;α1越小,导通状态越少,则电压有效值越小,所产生的磁场越小,则电机的转速越低。但这时电动机电压和电流波形不连续,波形差,故电动机的噪音大,甚至有明显的抖动,并带来干扰。这些现象一般是在微风或低风速时出现,属正常。由以上的分析可知,采用可控硅调速其电机转速可连续调节。3.各元器件作用及注意事项D15、R28、R29、E9、Z1、R30、C1组成降压、整流、虑波稳压电路,获得相对直流电压12V,通过光电偶合器PC817给双向可控硅BT131提供门极电压;R25、C15组成RC阻容吸收网络,解决可控硅导通与截止对电网的干扰,使其符合EMI测试标准;同时防止可控硅两端电压突变,造成无门极信号误导通。TR1选用1A/400V双向可控硅,TR1有方向性,T1、T2不可接反,否则电路不能正常工作。L2为扼流线圈,防止可控硅回路中电流突变,保护TR1,由于它是储能元件,在TR1关断和导通过程中,尖峰电压接近50V,R24容易受冲击损坏。可控硅模块的发展历史比较悠久,发展到现代它的特点有很多,可应用的范围也非常广。

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晶闸管等元件通过整流来实现。除此之外整流器件还有很多,如:可关断晶闸管GTO,逆导晶闸管,双向晶闸管,整流模块,功率模块IGBT,SIT,MOSFET等等,这里只探讨晶闸管。晶闸管又名可控硅,通常人们都叫可控硅。是一种功率半导体器件,由于它效率高,控制特性好,寿命长,体积小等优点,自上个世纪六十长代以来,获得了迅猛发展,并已形成了一门单独的学科。“晶闸管交流技术”。晶闸管发展到,在工艺上已经非常成熟,品质更好,成品率大幅提高,并向高压大电流发展。目前国内晶闸管大额定电流可达5000A,国外更大。我国的韶山电力机车上装载的都是我国自行研制的大功率晶闸管。晶闸管的应用:一、可控整流如同二极管整流一样,可以把交流整流为直流,并且在交流电压不变的情况下,方便地控制直流输出电压的大小即可控整流,实现交流——可变直流二、交流调压与调功利用晶闸管的开关特性代替老式的接触调压器、感应调压器和饱和电抗器调压。为了消除晶闸管交流调压产生的高次谐波,出现了一种过零触发,实现负载交流功率的无级调节即晶闸管调功器。交流——可变交流。三、逆变与变频直流输电:将三相高压交流整流为高压直流,由高压直流远距离输送以减少损耗。按电流容量分类:可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三种。山东优势西门康可控硅模块

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可控硅模块从内部封装芯片上可以分为可控模块和整流模块两大类;从具体的用途上区分,可以分为:普通晶闸管模块(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模块(MDC)、普通晶闸管、整流管混合模块(MFC)、快速晶闸管、整流管及混合模块(MKC\MZC)、非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块(也就是通常所说的电焊机模块MTG\MDG)、三相整流桥输出可控硅模块(MDS)、单相(三相)整流桥模块(MDQ)、单相半控桥(三相全控桥)模块(MTS)以及肖特基模块等。山东优势西门康可控硅模块

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