晶间腐蚀,操作方法:从腐蚀机台上取下烧瓶,根据不同制样将配制好的溶液取一定量加入瓶中。将样品用镊子夹住缓慢放入烧瓶,注意不能高空放入,避免损坏烧瓶。擦干烧瓶底部水或者溶液,保证烧瓶表面干燥。烧瓶放入加热台上方中间,将带有锥口的冷凝器装入烧瓶口,确保连接可靠不漏气。固定好烧瓶夹,将烧瓶和冷凝器固定好。装入温度传感器至烧瓶测口,并且调整好线的长度,使传感器探头完全浸入溶液中,比较好是溶液中部,不与烧瓶壁接触。电解抛光腐蚀,可控制样品的抛光/腐蚀面积(样品罩开孔直径15mm,20mm,30mm)。重庆电解抛光腐蚀性价比高
电解抛光腐蚀,电解浸蚀参考资料
试验材料 |
浸蚀液配比 |
电解参数 |
时间 |
阴极材料 |
备注 |
铝和铝合金 |
蒸馏水 90ml磷酸(1.71) 10ml |
1~8V |
5~10秒 |
不锈钢 |
纯铝,铝一铜,铝一?铝一?硅合金 |
铜 |
正磷酸/蒸馏水=2:1 |
0.8V 24。C |
30秒 |
铜 |
除锡青铜外的合金 |
黄铜 |
正磷酸/水=3:5 |
0.01A/cm2 16~27。C |
几秒 |
铜 |
α黄铜,β黄铜 |
黄铜 |
正磷酸/水=4:6 |
0.08~0.012A/cm2 24。C |
几秒 |
铜 |
α黄铜 |
黄铜 |
正磷酸/硫酸(浓)/蒸馏水=67:10:23 |
0.8V 24。C |
30秒 |
铜 |
含Sn≤6%的青铜 |
青铜 |
正磷酸/硫酸(浓)/蒸馏水=47:20:33 |
0.8V 24。C |
30秒 |
铜 |
含Sn≤6%的青铜 |
低倍组织热腐蚀,测试目的:通过宏观检验发现钢中的缺陷及不均匀性,如:疏松、气泡、白点、翻皮、偏析、残余缩孔等。这些缺陷及不均匀性的存在将会导致钢材的机械性能、物理性能的降低,所以低倍检查在产品验收、新品试制、工艺调整与控制方面占有十分重要的地位。项目介绍:低倍组织检验是用肉眼或放大适当的倍数来观察试样浸蚀面的宏观组织缺陷及断口形貌的一种检测方法。低倍检验常用的方法有酸蚀、断口形貌、硫印、塔形发纹等,其中酸蚀又包括热酸腐蚀法、冷酸腐蚀法及电解腐蚀法,如需仲裁是推荐使用热酸腐蚀法。低倍检验所需设备简单,操作简便迅速结果直观,易于掌握。
晶间腐蚀,GB/T3246.1-2002 铝及铝合金加工制品显微组织检验方法,GB/T3246.2-2002 铝及铝合金加工制品低倍组织检验方法,GB/T7998-87 铝合金晶间腐蚀测定法, GB/T7998-2005 铝合金晶间腐蚀测定法生产中主要是过烧检验,特征为:复熔球、晶界三角、晶界加宽。晶粒度也是很重要的检验项目,经覆膜处理后在偏光下观察。请查阅GB/T3246-2000 由国家标准的。可以用NaOH溶液80~100g/L,室温下浸蚀3~30分钟。可以看到组织缺陷。软合金制品及铸轧板带浸蚀检测晶粒度:42%的HF5ml37%的HC175ml65%~68%的HNO3 25ml适当时间立即用水清洗。反复多次至晶粒清楚为止。低倍加热腐蚀控制单元和酸蚀槽工作分开设计,增加控制单元工作寿命。
电解抛光腐蚀原理,关于电解抛光原理的争论很多,被公认的主要为薄膜理论。薄膜理论解释的电解抛光过程是:电解抛光时,靠近试样阳极表面的电解液,在试样上随着表面的凸凹不平形成了一层薄厚不均匀的黏性薄膜,这种薄膜在工件的凸起处较薄,凹处较厚,此薄膜具有很高的电阻,因凸起处薄膜薄而电阻小,电流密度高而溶解快;凹处薄膜厚而电阻大,电流密度低而溶解慢,由于溶解速度的不同,凹凸不断变化,粗糙表面逐渐被平整,然后形成光亮平滑的抛光面。电解抛光过程的关键是形成稳定的薄膜,而薄膜的稳定与抛光材料的性质、电解液的种类、抛光时的电压大小和电流密度都密切相关。根据实验得出的电压和电流的关系曲线称为电解抛光特性曲线,根据它可以决定合适的电解抛光规范。晶间腐蚀,温度可选择控制溶液温度,更精确。重庆电解抛光腐蚀性价比高
低倍加热腐蚀采用计算机及可控硅控制低倍组织热酸蚀过程,独特的PID温度控制计算方法。重庆电解抛光腐蚀性价比高
电解抛光腐蚀后面板上面前面一个为电源总开关;下排左起前面一个为电源输入插座;下排左起第二个:插座的开/关与工作电流输出同步;下排左起第三、四个和电源的总电源同步。注意事项:开机前将电压、电流调节电位器逆时针调到底;空栽或轻负载时输出电压由高处至低端时,动作不宜过快以免失控;面板输出接线柱不可当输入接线柱使用;对稳压电源进行维修时,必须将输入电压断开;输入电源线的保护接地端,必须可靠接地,以确保使用安全。重庆电解抛光腐蚀性价比高
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