氮化铝化铝陶瓷是以氮化铝(AlN)为主晶相的陶瓷,氮化铝晶体以四面体为结构单元共价键化合物,具有纤锌矿型结构,属六方晶系。化学组成Al(65.81%)、N(34.19%),比重3.261g/cm3,白色或灰白色,单晶无色透明,常压下的升华分解温度为2450°C,为一种高温耐热材料。热膨胀系数(4.0-6.0)*10-6/℃。多晶氮化铝热导率达260W/(m.k),比氧化铝高5-8倍,所以耐热冲击好,能耐2200℃的高温。此外,氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性,特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。氮化铝陶瓷有很多优良特性,但是其难加工属性限制了氮化铝陶瓷的发挥。氮化铝陶瓷用普通CNC不能很好的加工,主要是因为氮化铝陶瓷材料较硬,普通CNC不适合加工硬度过高的材料,并且机床内部的精密零件也容易受到陶瓷粉末的侵蚀,加工氮化铝陶瓷可以用鑫腾辉陶瓷CNC,刚性强,防护等级高,专门加工氮化铝陶瓷等特种陶瓷材料。氮化铝陶瓷是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。成都高导热氮化铝供应商
提高氮化铝陶瓷热导率的途径:选择合适的烧结工艺,热压烧结:热压烧结是指在机械压力和温度同时作用下,对粉料进行烧结获得致密块体的过程。热压烧结可以使加热烧结和加压成型同时进行。在高温下坯体持续受到压力作用,粉末原料处于热塑性状态,有利于物质的扩散和流动,并且外加压力抵消了形变阻力,促进了粉末颗粒之间的接触。热压烧结可以降低氮化铝陶瓷的烧结温度,而且不用烧结助剂也能使氮化铝烧结致密,且除氧能力强,但是缺点是设备昂贵,而且只能制备形状简单的样品。成都高导热氮化铝供应商高温自蔓延合成法的本质与铝粉直接氮化法相同,但该法不需要在高温下对Al粉进行氮化。
影响氮化铝陶瓷热导率的因素:影响氮化铝陶瓷热导率的主要因素有晶格的氧含量、致密度、显微结构、粉体纯度等。氧含量及杂质:对于氮化铝陶瓷来说,由于它对氧的亲和作用强烈,氧杂质易于在烧结过程中扩散进入AlN晶格,与多种缺陷直接相关,是影响氮化铝热导率的很主要根源。在声子-缺陷的散射中,起主要作用的是杂质氧和氧化铝的存在,由于氮化铝易于水解和氧化,表面形成一层氧化铝膜,氧化铝溶入氮化铝晶格中产生铝空位。使得氮化铝晶格出现非谐性,影响声子散射,从而使氮化铝陶瓷热导率急剧降低。
AlN陶瓷金属化的方法主要有:厚膜金属化法是在陶瓷基板上通过丝网印刷形成封接用金属层、导体(电路布线)及电阻等,通过烧结形成钎焊金属层、电路及引线接点等。厚膜金属化的步骤一般包括:图案设计,原图、浆料的制备,丝网印刷,干燥与烧结。厚膜法的优点是导电性能好,工艺简单,适用于自动化和多品种小批量生产,但结合强度不高,且受温度影响大,高温时结合强度很低。直接覆铜法利用高温熔融扩散工艺将陶瓷基板与高纯无氧铜覆接到一起,所形成的金属层具有导热性好、附着强度高、机械性能优良、便于刻蚀、绝缘性及热循环能力高的优点,但是后续也需要图形化工艺,同时对AlN进行表面热处理时形成的氧化物层会降低AlN基板的热导率。氮化铝的热导率主要由晶体缺陷和声子自身对声子散射控制。
活性金属钎焊法是在普通钎料中加入一些化学性质较为活泼的过渡元素如:Ti、Zr、Al、Nb、V等。一定温度下,这些活泼元素会与陶瓷基板在界面处发生化学反应,形成反应过渡层,如图7所示。反应过渡层的主要产物是一些金属间化合物,并具有与金属相同的结构,因此可以被熔化的金属润湿。共烧法是通过丝网印刷工艺在AlN陶瓷生片表面涂刷一层难熔金属(Mo、W等)的厚膜浆料,一起脱脂烧成,使导电金属与AlN陶瓷烧成为一体结构。共烧法根据烧结温度的高低可分为低温共烧(LTCC)和高温共烧(HTCC)两种方式,低温共烧基板的烧结温度一般为800-900℃,而高温共烧基板的烧结温度为1600-1900℃。烧结后,为了便于芯片引线键合及焊接,还需在金属陶瓷复合体的金属位置镀上一层Sn或Ni等熔点较低的金属。利用AIN陶瓷耐热耐熔体光学性能可作红外线窗口。成都高导热氮化铝供应商
氮化铝是纤锌矿型的晶体结构,无毒,呈白色或灰白色。成都高导热氮化铝供应商
氮化铝陶瓷的注射成型:陶瓷注射成型技术(CIM)是一种制造复杂形状陶瓷零部件的新兴技术,在制备复杂小部件方面有着其不可比拟的独特优势。随着近年来全球范围内电子陶瓷产业化规模的不断扩大,CIM 技术诱人的应用前景更值得期待。该工艺主要包括喂料制备、注射成型、脱脂和烧结。粘结剂是氮化铝陶瓷粉末的载体,决定了喂料注射成形的流变性能和注射性能。良好的粘结剂可起到形状维持的作用,且有效减少坯体变形和脱脂缺陷的产生。陶瓷注射成型粘结剂须具备以下条件:流动特性好,注射成型黏度适中,且黏度随温度不能波动太大,以减少缺陷产生;对粉体的润湿性和粘附作用好;具有高导热性和低热膨胀系数。 一般由多组分有机物组成,单一有机粘结剂很难满足流动性要求。成都高导热氮化铝供应商
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