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    指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏。左手665收藏时间：2016年2月6日18：40如何鉴别可控硅的三个极关键字：可控硅检测方法鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。 可控硅模块是有PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极，阳极a，阴极K和控制机G所构成的。陕西进口西门康SEMIKRON可控硅货源充足

    它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。一、可控硅的结构和特性■可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种（见图表-25）。螺旋式的应用较多。■可控硅有三个电极----阳极（A）阴极（C）和控制极（G）。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结。其结构示意图和符号见图表-26。■从图表-26中可以看到，可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。■可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。■首先，我们可以把从阴极向上数的第1、二、三层看面是一只NPN型号晶体管，而二、三四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。这样就可画出图表-27。 陕西进口西门康SEMIKRON可控硅货源充足可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。

    通过上面对工作原理的分析可知，可控硅只具有导通和关断两种工作状态，那么这两种工作状态之间如何进行转换呢？状态的转换需要什么条件呢？下图将会告诉你答案。可控硅主要参数⒈额定通态电流（IT）即大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。⒉反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。⒊控制极触发电流（IGT），俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。4，在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值可控硅用途普通晶闸管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。以简单的单相半波可控整流电路为例，在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。画出它的波形（c）及（d），只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出。Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早；Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间。

    只有可控硅模块能够满足上述条件，才能说明可控硅模块是质量的。当然，判断起来也非常简单，只需要使用万用表的欧姆档测量可控硅的极间电阻。具体的做法就是：用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。接着就是检测可控硅模块的三个PN结是否完好或者损坏，可以用万用表的R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上，若电阻值很小表明可控硅击穿短路。用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。反向阻值应很大，但不能为无穷大。正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。基本上来说，通过以上方法就能够判断出可控硅模块的好坏了。 可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductormodule)。

    可控硅概况可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流，还可以用作无触点开关的快速接通或切断；实现将直流电变成交流电的逆变；将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样，有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。目前可控硅在自动控制、机电应用、工业电气及家电等方面都有的应用。可控硅从外形上区分主要有螺旋式、平板式和平底式三种。螺旋式应用较多。可控硅工作原理解析可控硅结构原件可控硅有三个极----阳极（A）、阴极（C）和控制极（G），管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结，与只有一个PN结的硅整流二极管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引入，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。可控硅应用时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。 体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装。陕西进口西门康SEMIKRON可控硅货源充足

结构重复性好，装置的机械设计可以简化，价格比分立器件低等诸多优点。陕西进口西门康SEMIKRON可控硅货源充足

    答；可控硅有两种叫法，精细一点叫晶闸管。常用的电力半导体器件有；普通可控硅（SCR）、门极（GTO）关断可控硅、电力可控硅（GTR）、电力MoS场效应晶体管（MosFET）、绝缘栅双极型晶体管、（lGBT）、Mos栅控可控硅等等。可控硅模块；是根据不同的用途与技术要求，将单向可控进行组合。两只单向可控硅的串联（一只的阳极A与另一只的阴极K相接）这样就组成了一个可控硅模块。常用于大功率三相桥式、单相桥式整流电路之中。两只单相可控硅反向并联（就是一只的阳极A与另一只的阴极K联接，另一端点一只阴极k与一只阳极A相接）组成一只双向可控硅模块。常用于大功率三相或单相交流调压电路中。例如软启动器中改变电压控制电动机启动的电路中。无论是什么结构，它们的控制端都是由阴极K与门极G有二根线引出来控制的。下面简述一下GT0门极可关断可控硅的组成。见下面图门极可关断晶闸管简称可关断晶闸管，用GTO表示。它是一种耐高电压大电流全控器件。它属全控型三端器件。GT0可控硅的基本结构与普通可控硅ScR类似，它的三个极也是阳极A、阴极k、门极G。其内部结构及符号如上图所示。其阳极伏安特性如下图所示。当阳极加有正电压、阴极加有负电压时。 陕西进口西门康SEMIKRON可控硅货源充足