二极管特性参数:用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。[4]伏安特性二极管具有单向导电性,二极管的伏安特性曲线如图2所示[5]。在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;当电压超过,电流开始按指数规律增大,通常称此为二极管的开启电压;当电压达到约,二极管处于完全导通状态,通常称此电压为二极管的导通电压,用符号UD表示[4]。对于锗二极管,开启电压为,导通电压UD约为。在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时,电流开始急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏[4]。正向特性外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。[4]当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变。 二极管的小型化和集成化是电子元件发展的重要趋势。STTH20R04FP
二极管,作为电子学中的基础元件,承载着电流单向导通的重要功能。它的内部结构由P型半导体和N型半导体紧密结合而成,形成了一个PN结。这个PN结是二极管工作的重要部分,它决定了电流只能从一个方向流过。二极管,这个在电子世界中不可或缺的元件,就像一位沉默的守护者,默默地在电路中发挥着关键作用。它的结构简单,却拥有非凡的功能,能够控制电流的流向,实现电路的开关操作。当二极管正向偏置时,它就像一个打开的闸门,允许电流顺利通过;而当反向偏置时,它则紧闭门户,阻止电流的流动。这种特性使得二极管在整流、检波、放大等多种电路中都有广泛的应用。STTH20R04FP不同类型的二极管,如硅二极管和锗二极管,具有不同的特性。
如何快速判断二极管好坏?1.示波器测试法:使用示波器测试二极管时,给二极管正向施加电压,观察示波器显示的波形。正常的二极管会导通并显示一个较小的正向导通电压(正向滞后),而坏的二极管会出现打火、无明显的波形或没有反应。这种方法需要有示波器和一定的电路测试知识。2.万用表测试法:使用万用表进行二极管测试是一种简单快速的方法。将万用表调整到二极管测试档位(通常是二极管符号),然后将二极管的正极和负极分别连接到万用表的测试引脚上。正常的二极管在正向导通时,万用表会显示一个较低的电压值(通常是几百毫伏),而在反向关断时,万用表会显示一个较高的电阻值(通常是无穷大)。3.二极管灯泡测试法:准备一个电池、一个灯泡和一根导线。将导线插入灯泡的两个端口中,然后将一端连接到电池的正极,另一端用于测试二极管。将二极管的正负极分别接触到导线的两端,如果灯泡亮起则说明二极管是好的,如果灯泡不亮则说明二极管可能损坏。4.口试法:这是一种简单粗暴的方法,适用于二极管外观没有明显损坏的情况。用手指触摸二极管的金属端子,如果感觉到有热或轻微震动,则说明二极管可能是好的。当然,这种方法只能初步判断,不能完全准确。
二极管的基本原理:二极管是一种基本的电子元件,其重要特性是单向导电性。它由半导体材料制成,通常是硅或锗,内部有一个PN结。当正向偏置时,即P区接正极、N区接负极,二极管导通,电流可以顺畅通过;而反向偏置时,二极管截止,几乎不导电。这种特性使得二极管在整流、检波、稳压等电路中发挥着重要作用。二极管的历史发展:二极管的发明是电子学发展史上的重要里程碑。早期的二极管采用矿石晶体或金属触点,性能不稳定。随着半导体材料的发现和研究,硅和锗等半导体二极管逐渐取代了早期产品。现代二极管制造工艺先进,体积小、性能稳定,已成为电子设备中不可或缺的元件。二极管的正向电压降是评价其性能的重要指标之一。
二极管在电子行业中的作用还包括:变容:在电视机的高频头中,二极管起到变容的作用,对高频信号进行调谐。通过改变二极管的电容值,可以实现对不同频率信号的接收和选择。显示:二极管还可以用于VCD、DVD、计算器等显示器上,作为显示元件使用。例如,发光二极管(LED)就是一种常见的显示元件,可以发出不同颜色的光,用于指示或显示信息。稳压:稳压二极管是一种特殊的二极管,其工作在反向击穿状态,可以将电压稳定在一个固定的值上,起到稳压的作用。在电路中,稳压二极管可以保证电压的稳定,防止因电压波动而对电路造成损害。触发:触发二极管是一种具有对称性的二端半导体器件,可以用于信号的触发和变换。在电路中,触发二极管可以实现对特定信号的识别和响应,从而触发相应的电路动作。 在电路中,二极管常被用作整流器,将交流电转换为直流电。STTH20R04FP
二极管作为电子元件的基石,在电路中发挥着整流和开关的关键作用。STTH20R04FP
二极管PN结形成原理:P型半导体是在本征半导体(一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体)掺入少量三价元素杂质,如硼等。因硼原子只有三个价电子,它与周围的硅原子形成共价键,因缺少一个电子,在晶体中便产生一个空位,当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位,使硼原子成了不能移动的负离子,而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子,形成了空穴,但整个半导体仍呈中性。这种P型半导体中以空穴导电为主,空穴为多数载流子,自由电子为少数载流子。[6]N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子,如磷等。掺入后,它与硅原子形成共价键,产生了自由电子。在N型半导体中,电子为多数载流子,空穴为少数载流子。[6]因此,在本征半导体的两个不同区域掺入三价和五价杂质元素,便形成了P型区和N型区,根据N型半导体和P型半导体的特性,可知在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差异,电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散,它们的扩散使原来交界处的电中性被破坏。 STTH20R04FP