北京自动化DDR测试

2.PCB的叠层（stackup）和阻抗对于一块受PCB层数约束的基板（如4层板）来说，其所有的信号线只能走在TOP和BOTTOM层，中间的两层，其中一层为GND平面层，而另一层为VDD平面层，Vtt和Vref在VDD平面层布线。而当使用6层来走线时，设计一种拓扑结构变得更加容易，同时由于Power层和GND层的间距变小了，从而提高了电源完整性。互联通道的另一参数阻抗，在DDR2的设计时必须是恒定连续的，单端走线的阻抗匹配电阻50Ohms必须被用到所有的单端信号上，且做到阻抗匹配，而对于差分信号，100Ohms的终端阻抗匹配电阻必须被用到所有的差分信号终端，比如CLOCK和DQS信号。另外，所有的匹配电阻必须上拉到VTT，且保持50Ohms，ODT的设置也必须保持在50Ohms。在DDR3的设计时，单端信号的终端匹配电阻在40和60Ohms之间可选择的被设计到ADDR/CMD/CNTRL信号线上，这已经被证明有很多的优点。而且，上拉到VTT的终端匹配电阻根据SI仿真的结果的走线阻抗，电阻值可能需要做出不同的选择，通常其电阻值在30-70Ohms之间。而差分信号的阻抗匹配电阻始终在100Ohms。不同种类的DDR协议测试探头；北京自动化DDR测试

6.信号及电源完整性这里的电源完整性指的是在比较大的信号切换情况下，其电源的容差性。当未符合此容差要求时，将会导致很多的问题，比如加大时钟抖动、数据抖动和串扰。这里，可以很好的理解与去偶相关的理论，现在从”目标阻抗”的公式定义开始讨论。Ztarget=Voltagetolerance/TransientCurrent（1）在这里，关键是要去理解在差的切换情况下瞬间电流（TransientCurrent）的影响，另一个重要因素是切换的频率。在所有的频率范围里，去耦网络必须确保它的阻抗等于或小于目标阻抗（Ztarget）。在一块PCB上，由电源和地层所构成的电容，以及所有的去耦电容，必须能够确保在100KHz左右到100-200MH左右之间的去耦作用。频率在100KHz以下，在电压调节模块里的大电容可以很好的进行去耦。而频率在200MHz以上的，则应该由片上电容或用的封装好的电容进行去耦。北京自动化DDR测试主流DDR内存标准的比较；

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DDR测试

什么是DDR？

DDR是双倍数据速率(DoubleDataRate)。DDR与普通同步动态随机内存（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（现在被称为SDR）与标准DRAM有所不同。标准的DRAM接收的地址命令由二个地址字组成。为节省输入管脚，采用了复用方式。地址字由行地址选通（RAS）锁存在DRAM芯片。紧随RAS命令之后，列地址选通（CAS）锁存第二地址字。经过RAS和CAS，存储的数据可以被读取。同步动态随机内存（SDRDRAM)将时钟与标准DRAM结合，RAS、CAS、数据有效均在时钟脉冲的上升边沿被启动。根据时钟指示，可以预测数据和其它信号的位置。因而，数据锁存选通可以精确定位。由于数据有效窗口的可预计性，所以可将内存划分成4个组进行内部单元的预充电和预获取。通过突发模式，可进行连续地址获取而不必重复RAS选通。连续CAS选通可对来自相同行的数据进行读取。 DDR平均速率以及变化情况；

对于DDR2-800，这所有的拓扑结构都适用，只是有少许的差别。然而，也是知道的，菊花链式拓扑结构被证明在SI方面是具有优势的。对于超过两片的SDRAM，通常，是根据器件的摆放方式不同而选择相应的拓扑结构。图3显示了不同摆放方式而特殊设计的拓扑结构，在这些拓扑结构中，只有A和D是适合4层板的PCB设计。然而，对于DDR2-800，所列的这些拓扑结构都能满足其波形的完整性，而在DDR3的设计中，特别是在1600Mbps时，则只有D是满足设计的。协助DDR有那些工具测试；北京自动化DDR测试

DDR测试信号问题排查；北京自动化DDR测试

14.在本发明的一个实施例中，所述相关信号包括dqs信号、clk信号和dq信号，所述标志信号为dqs信号。15.在本发明的一个实施例中，所述根据标志信号对示波器进行相关参数配置，具体包括：16.利用示波器分别采集标志信号在数据读取和数据写入过程中的电平幅值；17.对标志信号在数据读取和数据写入过程中的电平幅值进行比较，确定标志信号的电平阈值；18.在示波器中配置标志信号的电平阈值。19.在本发明的一个实施例中，所述利用示波器的触发功能将ddr4内存的读写信号进行信号分离，具体包括：20.将标志信号的实时电平幅值与标志信号的电平阈值进行比较；21.将大于电平阈值的标志信号和小于电平阈值的标志信号分别进行信号的分离，得到数据读取和数据写入过程中的标志信号。北京自动化DDR测试