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MSA FACTORYPA2025-PCC10A加热板经销

来源: 发布时间:2022年11月16日

    本发明半导体加工领域,尤其涉及一种晶圆加热器。背景技术:现有的晶圆加热设备,加热丝呈螺旋状从中心向**旋转,加热丝在热盘中的分布不够均匀,无法达到均匀加热的目的,无法满足晶圆的高精度加热,而高精度加热对半导体的工艺至关重要。如中国发明专利cna所公开的一种能够提高照射效率的加热器。实施方式所涉及的加热器具备发光管、发热体及反射膜。发光管呈筒状,且所述发光管透光。发热体设置在发光管的内部,且发热体以碳作为主要成分。反射膜设置在发光管的外周面,并对光进行反射。上述现有技术的晶圆加热器无法恒温的均匀加热。技术实现要素:一、要解决的技术问题本发明的目的是针对现有技术所存在的上述问题,特提供一种晶圆加热器,解决现有加热器无法恒温的均匀加热的问题。二、技术方案为解决上述技术问题,本发明提供一种晶圆加热器,包括:加热盘、底板和若干垫柱;加热盘上设有七个加热区域,分别为***加热区域、第二加热区域、第三加热区域、第四加热区域、第五加热区域、第六加热区域和第七加热区域;***加热区域设置于中心区域,第二加热区域和第三加热区域设置于***加热区域外圆周。传统加热板留置区分配不合理引致加热不平衡,也易于引致局部变形等疑问。MSA FACTORYPA2025-PCC10A加热板经销

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    **名称:一种高频加热时精确控制温度的方法技术领域:本发明涉及一种高频加热时温度控制的方法,具体涉及一种晶体管高频加热时精确控制温度的装置及方法。背景技术:在冶炼、锻造、热拉、热装、焊接、热处理等金属制造业领域,高频加热的方法已开始逐渐代替传统的加热方法,高频加热作为一种新型的加热方式具有节约能源、加热灵活、操作方便等优点。在金属材料热处理领域,由于不同的材料比较好淬火温度有所不同,因此需要能够精确的控制温度。高频加热的方式虽然具有一系列的优点,但在其温度控制方法上仍然存在以下的不足1,通过传统的时间控制的热处理的淬火温度在士30°C左右,并且受输入电压、环境温度、工件尺寸公差、感应器等因素影响可能温度波动还要大,而理想的热处理的淬火温度是在目标温度士10°c范围内,因此在加工温度精度要求比较高的材料时,传统的方法不能满足质量的要求;2,即使通过红外温度控制等方式,排除输入电压、环境温度、工件尺寸公差、感应器等因素的影响,晶体管高频加热工件,当外界给出高频断开信号时,由于电源控制系统的问题,高频不能在这一瞬间断开,高频断开往往有个时间滞后,并且这个滞后时间存在一定误差。MSA FACTORYPA2025-PCC10A加热板经销控制模块降低温度较高的分区的功率继电器的输出功率。

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    实际关乎一种mocvd反应腔用加热板。背景技术:半导体芯片在发育时,对温场的均匀性要求较高,因此一种加热均匀且使用寿命较久的加热板对半导体芯片的制作具有至关关键的效用。通过检索,在**称谓:一种用以mocvd装置的钨涂层加热片及其制备方式(cnb)中公开了一种加热片,但是这种加热片由于中心为镂空构造并不适合半导体领域的芯片发育采用。在目前,芯片生长中用到到的加热板的构造如附图1所示,中间是形状为ω的热弧板1,在热弧板1的两侧分别连通两组拱形热片2,两组半圆形热片2是直线对称的,在半圆形热片2的自由端是分别接着电源的左电极和右电极。将这种传统的加热片放在陶瓷上通电后给上方的芯片提供平稳的热源。这种平板型加热板是一种电阻式加热方法,通过热辐射的方法,给上方的生长芯片的载体(石墨盘)加热,提供芯片生长所需的热能和温场。由于加热板的空隙22部分对应上方的载盘位置的是从未直接热辐射加热的,石墨盘此部分的受热能量是靠其他部分的热传导。另外,石墨盘是通过高速转动的(1000rpm)实现载体(石墨盘)的表面温场的均匀性(±℃)。传统的对称式构造加热片中,加热板的空隙22部分是分布在同一个同心圆圆弧上。

    辅助加热水套与中心加热筒2连通的一端用于辅助加热,封闭端用于线圈7的安装检修。内筒体3与中心加热筒2之间均匀设置有线圈固定装置8,沿线圈固定装置8外侧螺旋绕装有线圈7。线圈7截面为正方形,线圈上端距离顶部端面不低于150mm。中心加热筒体2与外侧水套中间形成的圆环形空腔用于放置线圈7,该开口圆环面积*占空腔总表面积的%,且线圈距离开口端面150mm以上,所以理论漏磁量非常小。将%的空间表面封闭在一个金属空腔内,减少了漏磁、增加电感量。当多个单元体组装时,无需考虑两个单元体之间或单元体与周边环境之间的电磁干扰或感应,从而缩减设备整体尺寸,满足设计要求。如图2-图3所示,线圈固定装置8设有三组,以中心加热筒2轴线为中心呈正三角形分布。包括绝缘支柱83,材料推荐为耐高温二苯醚层压板,压板外侧设有陶瓷套。绝缘支柱83上端通过支柱定位管82与支柱固定块81固定连接,下端与固定于底端平面的支柱底座85连接。绝缘支柱83上设有若干用于线圈7定位的定位螺栓84。线圈7绕过定位螺栓84,可以有效调节线圈7缠绕的节距。线圈7采用上密下疏的布置方式。采用线圈的分区段设计,针对立式管内被加热工质存在预热段、过冷沸腾段、核态沸腾段等不同区段。晶圆放置在垫柱3上,使晶圆与加热盘1之间形成间隙。

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    晶圆热处理在涂敷光刻胶之前,将洗净的基片表面涂上附着性增强剂或将基片放在惰性气体中进行热处理。这样处理是为了增加光刻胶与基片间的粘附能力,防止显影时光刻胶图形的脱落以及防止湿法腐蚀时产生侧面腐蚀(sideetching)。光刻胶的涂敷是用转速和旋转时间可自由设定的甩胶机来进行的。首先、用真空吸引法将基片吸在甩胶机的吸盘上,把具有一定粘度的光刻胶滴在基片的表面,然后以设定的转速和时间甩胶。由于离心力的作用,光刻胶在基片表面均匀地展开,多余的光刻胶被甩掉,获得一定厚度的光刻胶膜,光刻胶的膜厚是由光刻胶的粘度和甩胶的转速来控制。所谓光刻胶,是对光、电子束或X线等敏感,具有在显影液中溶解性的性质,同时具有耐腐蚀性的材料。一般说来,正型胶的分辨率高,而负型胶具有感光度以及和下层的粘接性能好等特点。光刻工艺精细图形(分辨率,清晰度),以及与其他层的图形有多高的位置吻合精度(套刻精度)来决定,因此有良好的光刻胶,还要有好的曝光系统。晶圆晶圆的背面研磨工艺晶圆的集成电路制造,为了降低器件热阻、提高工作散热及冷却能力、便于封装,在硅晶圆正面制作完集成电路后,需要进行背面减薄。晶圆的背面研磨工艺。每一个芯片的电性能力和电路机能都被检测到。MSA FACTORYPA2025-PCC10A加热板经销

在高温下加热器周围形成油脂或石灰石,从而降低热导率、缩短加热器的寿命、增大耗电率。MSA FACTORYPA2025-PCC10A加热板经销

    为了保证测控精度,采用红外线温度测控模块作为温度测控模块。图1是本发明实施例的结构原理示意图;图2是未采用本发明技术方案的温度与时间关系示意图;图3为采用本发明技术方案的温度与时间关系示意图。具体实施例方式下面结合附图和实施例对本发明技术方案进一步说明如图1、图2和图3所示,本发明提供一种精确控温的高频加热装置,包括有对物件进行升温的高频机1,监测物件温度并反馈正比电压信号的美国雷泰红外线温度测控模块2和接收电压信号并控制高频机输出功率的信号调理模块3.采用上述精确控温高频加热装置的方法,包括如下步骤第一步,开始高频加热,高频机1满负荷加热升温,美国雷泰红外线温度测控模块2监测物件温度,当物件温度距目标温度80120°C时,改为动态功率加热;第二步,美国雷泰红外线温度测控模块2根据不同温度,反馈与温度成正比的电压值,信号调理模块3根据电压值的大小反比例调节高频机1的功率输出,使其越接近目标温度,输出功率越小;第三步,信号调理模块3动态调节高频机1的功率输出,物件温度保持在目标温度值的士5°C的范围内。本申请人在未采用上述高频加热温度控制装置及方法时,连续生产过程中测试分析数据。MSA FACTORYPA2025-PCC10A加热板经销

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