淄博MTAC75晶闸管智能模块配件

传统的电加热行业使用的功率器件一般采用分离晶闸管+晶闸管触发板的方式来完成对变压器初级或次级的调压；加热行业往往工作环境很恶劣，粉尘飞扬，温度变化较大，湿度较高，长时间工作后会出现触发板工作失常，造成晶闸管击穿，导致设备停产，产品报废等，给生产造成严重损失。并且普通电工无法完成维修工作，必须专业人员进行操作。为了避免出现上述问题，比较好采用密封性好，工作环境适应能力强，安装维修方便的晶闸管智能模块来替代传统的方式。晶闸管智能模块是把晶闸管主电路与移向触发系统（即触发板）集成共同封装在一个塑料外壳内，从而省去了触发板与晶闸管之间的连接线、晶闸管与晶闸管之间的连接线，减小了接线错误的几率，维护方便，普通电工即可完成操作，省去人员成本。把触发板封装到模块内，环境中的粉尘、湿气等都不会对其产生影响，增加了可靠性。 正高电气具有一支经验丰富、技术力量过硬的专业技术人才管理团队。淄博MTAC75晶闸管智能模块配件

 某加热炉控制柜，需要控制额定电压为380V，比较大工作电流为150A的加热炉，应使用什么规格型号的模块？

《使用说明书》中的选型计算公式：I>K×I负载×U比较大/U实际

K：安全系数，阻性负载K=1点5，感性负载K=2

I负载：负载流过的比较大电流

U比较大：负载上的**小电压

U实际：模块能输出的比较大电压（三相整流模块为输入电压的1点35倍，单相整流模块为输入电压的0点9倍，其余规格均为1点0倍）

I：需要选择模块的**小电流，模块标称的电流必须大于该值。 淄博MTAC75晶闸管智能模块配件正高电气在客户和行业中树立了良好的企业形象。

    1)安装1)按电路元件明细表配齐元件，并对元件进行检测。2)在面包板上根据电路图合理安排元件的位置。3)安装元件，确认无误后调试。(2)调试安装完毕的电路经检查确认无误后，接通电源进行调试。先调控制电路，然后再调试主电路。控制电路的调试步骤是：在控制电路接上电源后，先用示波器观察稳压管两端的电压波形，应为梯形波；再观察电容器两端的电压波形，应为锯齿波；调节电位器RP，锯齿波的频率有均匀的变化。表12—2所示为触发电路各点的波形图。主电路的调试步骤是：用调压器给主电路加一个低电压(40～50V)，用示波器观察晶闸管阳、阴极之间的电压波形。波形上有一部分是一条平线，它是晶闸管的导通部分；调节电位器RP，波形中平线的长度随之变化，表示晶闸管导通角可调，电路工作正常。否则要检查原因，排除故障后，重新调试。待检查无误后，给主电路加工作电压，灯泡EL发光。调节RP，当增大RP时，则EL变暗；当减小RP时，则EL变亮，说明电路工作正常。

晶闸管智能模块的保护

在实际应用中，除合理选择智能可控硅调压模块的额定电压及电流外，还必须采取有效的保护措施来保证晶闸管智能模块能可靠工作。

过热保护：晶闸管智能模块与其他功率器件一样，在实际工作中由于自身功耗，都会引起芯片温度上升，温度过高后，会使漏电流增加，芯片特性变软，直至过热击穿，在实际应用中，通常采用强迫风冷的方法来及时散除晶闸管工作时产生的热量，控制散热器比较高温度不超过75°，使晶闸管智能模块在安全温度下工作。 正高电气受行业客户的好评，值得信赖。

    对其它情况电阻值均为无穷大。由此可迅速判定G、K极，剩下的就是A极。2．检查触发能力如图2(a)所示，首先将表Ⅰ的黑表笔接A极，红表笔接K极，电阻为无穷大；然后用黑表笔尖也同时接触G极，加上正向触发信号，表针向右偏转到低阻值即表明GTO已经导通；脱开G极，只要GTO维持通态，就说明被测管具有触发能力。3．检查关断能力现采用双表法检查GTO的关断能力，如图2(b)所示，表Ⅰ的档位及接法保持不变。将表Ⅱ拨于R×10档，红表笔接G极，黑表笔接K极，施以负向触发信号，如果表Ⅰ的指针向左摆到无穷大位置，证明GTO具有关断能力。4．估测关断增益βoff进行到第3步时，先不接入表Ⅱ，记下在GTO导通时表Ⅰ的正向偏转格数n1；再接上表Ⅱ强迫GTO关断，记下表Ⅱ的正向偏转格数n2。根据读取电流法按下式估算关断增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG＝K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1档的电流比例系数；K2—表Ⅱ在R×10档的电流比例系数。βoff≈10×n1/n2此式的优点是，不需要具体计算IAT、IG之值，只要读出二者所对应的表针正向偏转格数，即可迅速估测关断增益值。注意事项：（1）在检查大功率GTO器件时，建议在R×1档外边串联一节′，以提高测试电压和测试电流，使GTO可靠地导通。。以客户至上为理念，为客户提供咨询服务。淄博MTAC75晶闸管智能模块配件

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    [1]单结管即单结晶体管，又称为双基极二极管，是一种具有一个PN结和两个欧姆电极的负阻半导体器件。常见的有陶瓷封装和金属壳封装的单结晶体管。[2]单结晶体管可分为N型基极单结管和P型基极单结管两大类。单结晶体管的文字符号为“VT”，图形符号如图所示。[3]单结晶体管的主要参数有：①分压比η，指单结晶体管发射极E至基极B1间的电压（不包括PN结管压降）在两基极间电压中所占的比例。②峰点电压UP，是指单结晶体管刚开始导通时的发射极E与基极B1的电压，其所对应的发射极电流叫做峰点电流IP。③谷点电压UV，是指单结晶体管由负阻区开始进入饱和区时的发射极E与基极B1间的电压，其所对应的发射极电流叫做谷点电流IV。[4]单结晶体管共有三个管脚，分别是：发射极E、基极B1和第二基极B2。图示为两种典型单结晶体管的管脚电极。[5]单结晶体管**重要的特性是具有负阻性，其基本工作原理如图示（以N基极单结管为例）。当发射极电压UE大于峰点电压UP时，PN结处于正向偏置，单结管导通。随着发射极电流IE的增加，大量空穴从发射极注入硅晶体，导致发射极与基极间的电阻急剧减小，其间的电位也就减小，呈现出负阻特性。[6]检测单结晶体管时，万用表置于“R×1k”挡。淄博MTAC75晶闸管智能模块配件

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