基质辅助外延系统产品描述

该系统在拓扑量子材料研究领域具有前瞻性应用。拓扑绝缘体、狄拉克半金属等新型量子材料因其奇特的物理性质而备受关注，如碲化铋、碲化钼等。利用MBE技术，可以在绝缘衬底上实现原子级平整的拓扑绝缘体薄膜的外延生长。通过与其他材料（如磁性掺杂的超晶格）结合，可以研究其表面态的拓扑输运性质，并为未来低功耗电子器件和拓扑量子计算提供材料基础。除此之外，在新能源材料探索方面，该系统是制备高效催化剂薄膜的理想平台。例如，用于电解水制氢的析氧反应催化剂，其活性与表面原子结构密切相关。利用PLD技术，可以精确制备出具有特定晶面取向的钙钛矿氧化物、尖晶石氧化物薄膜模型催化剂。通过在这种清洁、结构明确的模型体系上进行电化学测试和原位表征，能够建立催化剂结构与性能之间的构效关系，为指导设计下一代高效、稳定的实用化催化剂提供理论基础。双冷却罩设计有效控制工艺过程中热负载。基质辅助外延系统产品描述

在规划实验室空间布局时，控制区应设置在操作人员便于观察设备运行状态的位置，配备操作控制台、计算机等设备，方便操作人员对设备进行参数设置、监控和故障排查。由于设备采用PLC单元和软件全程控制沉积工艺和设备，控制区的计算机性能要满足软件运行的需求，且操作控制台的布局要符合人体工程学原理，提高操作人员的工作效率。安全通道要保持畅通无阻，宽度应符合安全标准，一般不小于1.1米，确保在紧急情况下人员能够迅速疏散。同时，要合理安排设备与通道的距离，避免设备突出部分阻碍通道通行。基质辅助外延系统产品描述干式机械泵无需换油，相比油式泵维护更简便，降低使用成本。

对于追求更高通量和更复杂工艺的研究团队，多腔室分子束外延（MBE）系统提供了高品质平台。该系统将样品制备、分析、生长等多个功能腔室通过超高真空传送通道连接起来。样品可以在完全不破坏真空的条件下，在不同腔室之间安全、快速地传递。这意味着，研究人员可以在一个腔室中对基板进行清洁和退火处理，然后传送到生长腔室进行原子级精密的MBE或PLD生长，之后再传送到分析腔室进行X射线光电子能谱（XPS）、俄歇电子能谱（AES）等原位表面分析，从而实现对材料从制备到表征的全程超净环境控制，避免了大气污染对界面和表面科学研究的致命影响。

样品搬运室（或称进样室）的设计极大地提升了系统的科研效率。它作为一个真空缓冲区，允许用户在不对主生长腔室破真空的情况下，快速更换样品。其本底真空度维持在5E-5Pa量级，通过一个高真空隔离阀与主腔室相连。当需要更换样品时，只需将样品从大气环境传入搬运室，抽至预定真空后，再打开隔离阀，通过磁力传输杆或机械手将样品送入主腔室的样品架上。这一设计将主生长腔室暴露于大气的频率降至较低，不仅保护了昂贵且精密的源炉和监测仪器，也使得连续、不间断的科研工作得以顺利进行。该 PLD 系统可满足 1-2 英寸靶材使用需求，适配多种实验场景。

在完成检查且确认无误后，按照以下步骤启动设备。先打开总电源开关，为设备提供电力。然后启动真空泵，开始抽真空，观察真空计的读数，当真空度达到设备要求的基本压力范围，即从 5×10⁻¹⁰至 5×10⁻¹¹mbar 时，可进行后续操作。在启动过程中，要密切关注设备各部件的运行状态，如发现异常声音、振动或异味等情况，应立即停止启动，排查故障。

实验结束后，要按照正确的步骤关闭设备。首先停止沉积过程，关闭激光器和相关的加热装置，停止向设备输入能量。然后逐渐降低真空度，先关闭分子泵，再关闭机械泵，然后打开放空阀门，使设备内的压力恢复到大气压。在关闭真空泵时，要注意先关闭与真空系统相连的阀门，防止泵油倒吸进入真空系统。 本系统专为半导体材料与氧化物外延生长研究设计。基质辅助外延系统产品描述

实验室需配备适用电源，满足基板加热电源等部件的供电需求。基质辅助外延系统产品描述

在启动系统进行薄膜沉积之前，必须执行一套严格的标准操作流程。首先，需要检查所有真空泵、阀门、电源和冷却水系统是否连接正确、状态正常。然后，按照操作规程，依次启动干式机械泵和分子泵，对样品搬运室和主生长腔室进行抽真空。在此过程中，应密切监控真空计读数，确保真空度平稳下降。当腔体真空度达到高真空范围后，可以对腔体进行烘烤除气，通过温和加热腔壁以加速解吸其表面吸附的水分子和其他气体，这是获得超高真空环境的关键步骤。基质辅助外延系统产品描述

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