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随着全球经济的快速发展，能源需求不断增长，传统能源面临着日益严峻的危机。同时，环境问题也越来越受到人们的关注，减少碳排放、发展清洁能源成为了全球共识。在这种情况下，太阳能作为一种取之不尽、用之不竭的清洁能源，具有巨大的市场潜力。为了推动新能源产业的发展，各国纷纷出台了一系列政策支持措施，如补贴、税收优惠、上网电价等。这些政策的出台为太阳能产业的发展提供了有力的保障，也为HJT技术的推广应用创造了良好的政策环境。高效HJT技术加速化石能源替代，推动全球能源结构转型。广州国产HJTCVD

釜川公司的HJT技术拥有诸多优势。其一，它具备超高的光电转换效率。通过独特的结构设计和先进的工艺制程，釜川的HJT电池能够将更多的太阳能转化为电能，高于传统的光伏电池。这意味着在相同的光照条件下，能够产生更多的电力，为用户带来更高的经济效益。例如，在实际的光伏电站应用中，采用釜川HJT技术的组件相比传统组件，发电量提升了可观的比例，缩短了投资回报周期。其二，HJT技术具有出色的温度系数。在高温环境下，其性能衰减相对较小，能够保持稳定的发电输出。这一特性使得釜川的HJT产品在炎热的气候条件下依然能够高效运行，不受温度变化的过多影响。无论是在沙漠地区还是热带地区，都能稳定地为当地提供清洁能源。广州国产HJTCVD耐腐蚀排水三通适配不同管道系统。

HJT电池在弱光条件下的表现优于其他电池技术。这对于电动汽车在低光照条件下的充电效率和续航能力具有积极意义，尤其是在阴天或黎明、黄昏等光照较弱的时段。工艺简单、成本降低潜力大HJT电池的生产工艺相对简单，关键工艺流程只为四步。这不仅提高了生产效率，降低了生产成本，还为未来的规模化生产和成本降低提供了更大的空间。薄片化潜力大HJT电池的低温工艺和对称结构使其更容易实现薄片化。目前，HJT电池的硅片厚度已经可以做到120μm，甚至正在向110μm/100μm发展。薄片化不仅可以减少硅材料的使用量，降低材料成本，还能进一步提高电池的比能量。

HJT电池为对称的双面结构，主要由N型单晶硅片衬底、正面和背面的本征/掺杂非晶硅薄膜层、双面的透明导电氧化薄膜(TCO)层和金属电极构成。其中，本征非晶硅层起到表面钝化作用，P型掺杂非晶硅层为发射层，N型掺杂非晶硅层起到背场作用。HJT电池转换效率高，拓展潜力大，工艺简单并且降本路线清晰，契合了光伏产业发展的规律，是有潜力的下一代电池技术。HJT电池为对称的双面结构，主要由N型单晶硅片衬底、正面和背面的本征/掺杂非晶硅薄膜层、双面的透明导电氧化薄膜(TCO)层和金属电极构成。其中，本征非晶硅层起到表面钝化作用，P型掺杂非晶硅层为发射层，N型掺杂非晶硅层起到背场作用。HJT电池高短路电流，提升组件功率输出能力。

光伏发电站HJT电池在大型地面光伏电站中应用范围广，其高转换效率和低衰减特性能够显著提高电站的发电量和经济效益。2024年，全球HJT电池在光伏电站中的应用比例预计超过10%，并呈逐年上升趋势。分布式光伏HJT电池在分布式光伏发电系统中也表现出色，尤其是在城市和工业区域的屋顶光伏项目中。其高双面率和良好的弱光性能使其在复杂光照条件下仍能保持高效发电。建筑一体化（BIPV）HJT电池适用于建筑一体化项目，如光伏幕墙、光伏屋顶等。其美观的外观和高效能使其能够与建筑完美融合，同时提供清洁能源。分布式光伏项目采用HJT组件，有效利用屋顶空间，降低用地成本。广州国产HJTCVD

山地电站采用柔性HJT组件，适应复杂地形安装需求。广州国产HJTCVD

HJT 是 “异质结太阳能电池”（Heterojunction Solar Cell）的英文缩写，是一种高效的太阳能电池技术，其关键在于利用不同半导体材料构成的异质结结构来提升光电转换效率。基底材料：采用 n 型硅片（如 n 型单晶硅），相比传统 p 型硅片，n 型硅片的少子（电子）寿命更长，降低了复合损耗，为高效率奠定基础。异质结形成：在硅片正面沉积一层超薄的非晶硅 p 型层（a-Si:H），背面沉积非晶硅 n 型层，形成 “p-n 异质结”，而非传统电池的同质结（单一硅材料掺杂形成 pn 结）。非晶硅层的作用是钝化硅片表面，减少表面缺陷导致的载流子复合，同时形成内建电场，促进电荷分离。透明导电层：在非晶硅层外侧覆盖 TCO（如 ITO、AZO），用于收集电荷并导电，同时保证高透光率。广州国产HJTCVD