苏州凌存科技有限公司(以下简称凌存科技)成立于2021年12月,坐落于美丽的阳澄湖畔。公司是基于电压控制磁性技术开发不同品类产品的高科技初创公司,并在该领域处于先进的地位。凌存科技取得技术原始、核心专利授权20项,涵盖材料、器件、工艺与电路等全套技术。此外,公司已申请国家发明专利15项。目前,凌存科技已经完成涵盖8英寸和12英寸多种技术节点的流片,性能指标处于先进地位。 公司拥有一支国际化团队,成员来自中国大陆,美国,中国台湾,日本等地。公司研发人员占比超70%。凌存科技将助力我国突破“卡脖子”技术,旨在开发出世界上高速度、高容量、低成本和低功耗的第三代磁存储芯片---电压控制磁存储器(MeRAM)芯片,磁性真随机数发生器芯片。
单硅电容作为硅电容的基础类型,发挥着重要作用且具有较大的发展潜力。单硅电容结构简单,制造成本相对较低,这使得它在一些对成本较为敏感...
晶圆级国产硅电容在制造过程中直接集成于晶圆上,实现了电容与芯片的高度一体化。这种集成方式不仅节省了空间,还大幅提升了电容的电气性能...
面向未来的6G通信技术对电子元件提出了更为多样化和精细化的需求。国产硅电容在这一领域展现出多种类型以适应不同应用场景的特点,涵盖了...
在现代电子设备日益追求稳定与精密的背景下,单晶硅基底硅电容的性能参数成为设计师和工程师关注的焦点。温度稳定性控制在50ppm每开尔...
单晶硅基底硅电容的主要功能是实现高精度的电荷存储与释放,保证电路的稳定运行和信号的准确传递。其优异的电压稳定性(≤0.001%/V...
射频高Q值电容在通信系统中发挥着重要作用,其应用原理基于其高频特性和低损耗特点。在通信系统的接收端,射频高Q值电容用于构建带通滤波...
面对市场上众多高频特性硅电容供应商,如何选择合适的合作伙伴成为关键。靠谱的供应商要具备先进的制造工艺,还应拥有完善的质量控制体系和...
随着6G通信技术的探索不断深入,相关硬件对元器件的性能指标提出了更严苛的挑战。国产硅电容凭借其采用单晶硅为衬底,通过半导体工艺制造...
射频电容是专门用于射频电路的电容,而高Q值特性则是射频电容所追求的重要性能之一。在射频电路中,信号的频率较高,电容的寄生参数(如等...