苏州凌存科技有限公司(以下简称凌存科技)成立于2021年12月,坐落于美丽的阳澄湖畔。公司是基于电压控制磁性技术开发不同品类产品的高科技初创公司,并在该领域处于先进的地位。凌存科技取得技术原始、核心专利授权20项,涵盖材料、器件、工艺与电路等全套技术。此外,公司已申请国家发明专利15项。目前,凌存科技已经完成涵盖8英寸和12英寸多种技术节点的流片,性能指标处于先进地位。 公司拥有一支国际化团队,成员来自中国大陆,美国,中国台湾,日本等地。公司研发人员占比超70%。凌存科技将助力我国突破“卡脖子”技术,旨在开发出世界上高速度、高容量、低成本和低功耗的第三代磁存储芯片---电压控制磁存储器(MeRAM)芯片,磁性真随机数发生器芯片。
硅中介层的价值在于其所采用的材料体系,这直接决定了其作为2.5D/3D先进封装“立交桥”的性能表现。硅片本身具备优异的机械强度和热...
在高速电子设备中,减少能量损耗是提升整体效率和延长使用寿命的重要环节,低损耗高容值硅电容的出现为此提供了理想方案。以单晶硅为衬底,...
在选择硅中介层时,市场上存在多种方案,各自拥有不同的技术特点和适用场景,进行多方面的选型对比有助于找到合适的解决路径。硅中介层作为...
在现代高频电子系统中,谐振现象常导致信号失真与能量损耗,严重影响系统整体性能。无谐振超宽频硅电容的出现,彻底改变了这一局面。凭借独...
在数据传输和通信技术迅猛发展的背景下,超高带宽的超宽频硅电容成为关键组件,尤其在需要处理大容量高速信号的应用中表现出不可替代的优势...
高级工业设备的通讯模块往往需要长期连续运行,对元器件的稳定性和耐用性都有很高要求,传统单层陶瓷电容器在长期运行中,容易因为安装过程...
在高精度射频系统设计中,电容器的容差直接影响电路的性能稳定性和重复性。低容差高Q射频硅电容凭借其极小的容差值,能够实现更精确的电容...
随着5G网络的快速部署,毫米波频段的应用成为无线通信技术发展的重要方向。5G毫米波超宽频硅电容凭借其覆盖kHz至200GHz以上的...
选择合适的硅中介层,是实现高性能封装设计的关键一步。硅中介层位于芯片与封装基板之间,承担着信号传输和电气连接的重任。针对不同应用,...