产品中心
半导体大功率器件，如绝缘栅双极性晶体管（IGBT）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）以及碳化硅（SiC）基功率器件等，...
当电路中的电压或电流出现瞬态变化时，瞬态抑制二极管能够迅速响应，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，从而吸收浪涌功率并限制电压的上升。这...
氮化镓功率器件具有较宽的工作温度范围和良好的热稳定性。宽禁带材料的特性使得氮化镓器件能够在高温环境下保持稳定的性能，这对于一些需要...
SiC功率器件展现出极高的转换效率和良好的耐高温性能。其高导热性使得SiC器件能够在高温环境下保持稳定工作，减少能量损失，并明显提...
多路静电保护器件具有多通道保护的能力。在复杂的电子系统中，往往存在多个潜在的静电放电路径。传统的静电保护方案通常只能保护单一的通道...
半导体芯片的制造材料：为了满足量产上的需求，半导体的电性必须是可预测并且稳定的，因此包括掺杂物的纯度以及半导体晶格结构的品质都必须...
