“纳米制造”路线图强调了未来纳米表面制造的发展。问卷调查探寻了纳米表面制备所面临的机遇。调查中提出的问题旨在获取纳米表面特征的相关信息:这种纳米表面结构可以是形貌化、薄膜化的改良表面区域,也可以是具有...
研究应着眼于开发一种新型的可配置、可升级的微纳制造平台和系统,以降低大批量或是小规模定制产品的生产成本。新一代微纳制造系统应满足下述要求:(1)能生产多种多样高度复杂的微纳产品;(2)具有微纳特性的组...
在等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺中,由等离子体辅助化学反应过程。在等离子体辅助下,200 到500°C的工艺温度足以实现成品膜层的制备,因此该技术降低了基材的温度负荷。等离子可在接近基片的周...
半导体器件加工是指将半导体材料制作成各种功能器件的过程,包括晶圆制备、光刻、薄膜沉积、离子注入、扩散、腐蚀、清洗等工艺步骤。随着科技的不断进步和市场需求的不断变化,半导体器件加工也在不断发展和创新。未...
真空镀膜的方法:溅射镀膜:溅射镀膜有很多种方式。按电极结构、电极相对位置以及溅射的过程,可以分为二极溅射、三极或四极溅射、磁控溅射、对向靶溅射、和ECR溅射。除此之外还根据制作各种薄膜的要求改进的溅射...
影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例,反应气体过量就会导致靶中毒。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生...
真空镀膜的方法:溅射镀膜:溅射镀膜是指在真空室中,利用荷能粒子轰击靶表面,使靶材的原子或分子从表面发射出来,进而在基片上沉积的技术。在溅射镀钛的实验中,电子、离子或中性粒子均可作为轰击靶的荷能粒子,而...
半导体制程是一项复杂的制作流程,先进的 IC 所需要的制作程序达一千个以上的步骤。这些步骤先依不同的功能组合成小的单元,称为单元制程,如蚀刻、微影与薄膜制程;几个单元制程组成具有特定功能的模块制程,如...
微纳加工技术在许多领域都有广泛的应用,下面将详细介绍微纳加工的应用领域。微流体控制:微纳加工技术在微流体控制中有着广泛的应用。例如,微纳加工可以用于制造微流体芯片、微流体器件、微流体控制系统等。通过微...
目前微纳制造领域较常用的一种微细加工技术是LIGA。这项技术由于可加工尺寸小、精度高,适合加工半导体材料,因而在半导体产业中得到普遍的应用,其较基础的中心技术是光刻,即曝光和刻蚀工艺。随着LIGA技术...
真空镀膜技术一般分为两大类,即物理的气相沉积技术和化学气相沉积技术。物理的气相沉积技术是指在真空条件下,利用各种物理方法,将镀料气化成原子、分子或使其离化为离子,直接沉积到基体表面上的方法。制备硬质反...
真空镀膜:反应磁控溅射法:制备化合物薄膜可以用各种化学气相沉积或物理的气相沉积方法。但目前从工业大规模生产的要求来看,物理的气相沉积中的反应磁控溅射沉积技术具有明显的优势,因而被普遍应用,这是因为:反...
刻蚀工艺是:把未被抗蚀剂掩蔽的薄膜层除去,从而在薄膜上得到与抗蚀剂膜上完全相同图形的工艺。在集成电路制造过程中,经过掩模套准、曝光和显影,在抗蚀剂膜上复印出所需的图形,或者用电子束直接描绘在抗蚀剂膜上...
在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺:干法刻蚀和湿法腐蚀。干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体,等离子体通过光刻胶中开出的窗口,与硅片发生物理或化学反应(或这两种反应),从而去掉曝露的表面材料...
在微纳加工过程中,有许多因素会影响加工质量和精度,包括材料选择、加工设备、工艺参数等。下面将从这些方面详细介绍如何保证微纳加工的质量和精度。工艺参数:工艺参数是影响微纳加工质量和精度的重要因素。工艺参...
光刻涂底方法:气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积,200~250C,30秒钟;优点:涂底均匀、避免颗粒污染;旋转涂底。缺点:颗粒污染、涂底不均匀、HMDS用量大。目的:使表面具有疏水性,增强基底表...
湿法刻蚀是化学清洗方法中的一种,化学清洗在半导体制造行业中的应用,是用化学方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程。其基本目的是在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形,有图形的光刻胶层在刻蚀中不受到腐蚀源...
铝膜湿法刻蚀:对于铝和铝合金层有选择性的刻蚀溶液是居于磷酸的。遗憾的是,铝和磷酸反应的副产物是微小的氢气泡。这些气泡附着在晶圆表面,并阻碍刻蚀反应。结果既可能产生导致相邻引线短路的铝桥连,又可能在表面...
光刻胶是光刻工艺的中心材料:光刻胶又称光致抗蚀剂,它是指由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分构成的对光敏感的混合液体。在紫外光、电子束、离子束、X 射线等辐射的作用下,其感光树脂的溶解度及亲和性由于光...
真空镀膜:离子镀膜法:离子镀膜技术是在真空条件下,应用气体放电实现镀膜的,即在真空室中使气体或蒸发物质电离,在气体离子或被蒸发物质离子的轰击下、同时将蒸发物或其反应产物蒸镀在基片上。根据不同膜材的气化...
真空镀膜的方法:化学气相沉积:在等离子化学气相沉积法中,等离子体中电子温度高达104K,电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程,生成活性很高的各种化学基团,产生大量反应活性物...
光刻在半导体器件加工中的作用是什么?分辨率提高:光刻技术的另一个重要作用是提高分辨率。随着集成电路的不断发展,器件的尺寸越来越小,要求光刻技术能够实现更高的分辨率。分辨率是指光刻机能够分辨的很小特征尺...
磁控溅射是在阴极靶的表面上方形成一个正交电磁场,当溅射产生的二次电子在阴极位降区内被加速为高能电子后,并不直接飞向阳极,而是在正交电磁场作用下作来回振荡的近似摆线的运动。高能电子不断与气体分子发生碰撞...
半导体分类及性能:半导体是指在常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体是指一种导电性可控,范围从绝缘体到导体之间的材料。元素半导体是指单一元素构成的半导体,其中对硅、硒的研究比较早。它是由相同...
光刻胶是光刻工艺中较关键材料,国产替代需求紧迫。光刻工艺是指在光照作用下,借助光刻胶将掩膜版上的图形转移到基片上的技术,在半导体制造领域,随着集成电路线宽缩小、集成度大为提升,光刻工艺技术难度大幅提升...
脉冲磁控溅射是采用矩形波电压的脉冲电源代替传统直流电源进行磁控溅射沉积。脉冲磁控溅射可以有效地抑制电弧产生进而消除由此产生的薄膜缺陷,同时可以提高溅射沉积速率,降低沉积温度等一系列明显的优点,是溅射绝...
磁控溅射的工艺研究:1、磁场。用来捕获二次电子的磁场必须在整个靶面上保持一致,而且磁场强度应当合适。磁场不均匀就会产生不均匀的膜层。磁场强度如果不适当,那么即使磁场强度一致也会导致膜层沉积速率低下,而...
交流磁控溅射和直流溅射的区别如下:交流磁控溅射和直流溅射相比交流磁控溅射采用交流电源代替直流电源,解决了靶面的异常放电现象。交流溅射时,靶对真空室壁不是恒定的负电压,而是周期一定的交流脉冲电压。设脉冲...
坚膜,以提高光刻胶在离子注入或刻蚀中保护下表面的能力;进一步增强光刻胶与硅片表面之间的黏附性;进一步减少驻波效应(StandingWaveEffect)。常见问题:a、烘烤不足(Underbake)。...
半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。1833年,英国科学家电子学之父法拉第先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属,一般情况下,金属的电阻随温度升高而增加,但法拉第发现硫化银材料的电阻是随...