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国产HTOL测试机怎么用

来源: 发布时间:2023年04月03日

一种闪存htol测试方法,包括:提供待测闪存,所述闪存包括闪存参考单元和闪存阵列单元;所述闪存参考单元中捕获有空穴;对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除,以在所述闪存参考单元中引入电子;对所述闪存进行htol测试,所述引入电子在所述htol测试过程中部分丢失,以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。具体的,待测闪存在同一闪存芯片(die)中的不同区域分布有闪存参考单元和闪存阵列单元,闪存阵列单元用于存储数据,闪存参考单元用于提供参考阈值电压以区分闪存阵列单元的状态。提供的待测闪存在其生产工艺过程中易在闪存参考单元中捕获。引入)空穴,所述空穴在htol测试过程中存在丢失。图2为本发明实施例的闪存参考单元的结构示意图,上海顶策科技有限公司智能一体化HTOL测试机TH801可以为芯片HTOL测试节省更多时间、FA成本。国产HTOL测试机怎么用

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闪存HTOL测试方法与流程本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种闪存htol测试方法。背景技术:闪存(flashmemory)是一种非易失性的存储器,其具有即使断电存储数据也不会丢失而能够长期保存的特点。故近年来闪存的发展十分迅速,并且具有高集成度、高存储速度和高可靠性的闪存存储器被广泛应用于包括电脑、手机、服务器等电子产品及设备中。在半导体技术领域中,htol(hightemperatureoperatinglifetest,高温操作生命期试验)用于评估半导体器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力。对于闪存的可靠性而言,在数万次的循环之后的htol是一个主要指数。通常而言,闪存产品需要在10000次的循环之后,通过1000小时的htol测试。闪存htol实际测试中存在若干小时后闪存测试读点(例如读“0”)失效,亟需解决闪存htol测试中读点失效的问题。上海顶策科技TH801智能老化系统,是一款全程数据实时记录的高效HTOL设备。国产HTOL测试机怎么用

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闪存参考单元包括:衬底100,位于所述衬底中的导电沟道、位于所述导电沟道两侧的源极101和漏极102,位于导电沟道上方的栅极单元,所述栅极单元从下到上依次包括隧穿氧化层103、浮栅104、栅间介质层105以及控制栅106,所述栅极单元的两侧分布有侧墙107。栅间介质层105例如可以为依次层叠的氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层的多层结构,即为ono结构。具体的,闪存在其生产工艺过程中易在闪存参考单元的隧穿氧化层103中捕获(引入)空**3为本发明实施例的对闪存参考单元进行编译示意图,如图3所示,对所述闪存参考单元进行编译,包括:在所述源极101上施加***编程电压vb1,在所述漏极102上施加第二编程电压vb2,在所述控制栅106上施加第三编程电压vb3,在所述衬底100上施加第四编程电压vb4;其中,所述***编程电压vb1小于所述第二编程电压vb2;所述第二编程电压vb2小于所述第三编程电压vb3。所述***编程电压的范围为~0v,所述第二编程电压的范围为~,所述第三编程电压vb3的范围为8v~10v,所述第四编程电压vb4的范围为~-1v,编译过程中的脉冲宽度为100μs~150μs。编译通过热电子注入的方式对所述浮栅104中注入电子。国产HTOL测试机怎么用

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