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青浦区一体化HTOL测试机

来源: 发布时间:2023年02月22日

    AEC-Q1001.对于非易失性存储器样品,在HTOL之前进行预处理:等级0:150℃,1000h等级1:125℃,1000h等级2:105℃,1000h等级3:85℃,1000h2.各等级温度对应的时间是比较低要求,通过计算或测量获取HTOL的Tj(结温);3.当进行HTOL的器件Tj大于或等于最高工作温度时的Tj,那么Tj可以代替Ta(环境温度),但是要低于***比较大Tj;4.如果Tj被用来作为HTOL的条件,在Ta和1000h条件下的器件需要使用;(max)需要保证交直流参数。————————————————版权声明:本文为CSDN博主「月丶匈」的原创文章,遵循,转载请附上原文出处链接及本声明。原文链接:。 上海顶策科技智能HTOL系统,可灵活配置芯片工作状态,并施加信号,非常方便HTOL Setup。青浦区一体化HTOL测试机

    HTOL的注意要点高温工作寿命的测试条件主要遵循JESD22-A108进行,除了给器件合适的偏置与负载外,主要包括温度应力和电压应力,这两者都属于加速因子。合理设置温度应力和电压应力,以便在合理的时间和成本下完成寿命评估。对于硅基产品,温度应力一般设置在结温>=125℃,GaAs等其它耐高温材料则可以设置更高的温度,具体根据加速要求而定。但无论哪种材料,均需要结温小于材料的极限工作温度或者热关断(thermalshutdown)温度。HTOL硬件的散热设计有利于加速因子的提高,这样可以节省试验时间。电压应力一般采用最高工作电压进行,如果需要提高加速度,则可以采用更高的电压进行试验,但是无论电压应力还是温度应力都不允许器件处于过电应力的状态。 青浦区一体化HTOL测试机上海顶策科技有限公司智能一体化HTOL测试机TH801通过监测数据,可实时发现问题并介入分析,大幅提高效率。

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闪存参考单元包括:衬底100,位于所述衬底中的导电沟道、位于所述导电沟道两侧的源极101和漏极102,位于导电沟道上方的栅极单元,所述栅极单元从下到上依次包括隧穿氧化层103、浮栅104、栅间介质层105以及控制栅106,所述栅极单元的两侧分布有侧墙107。栅间介质层105例如可以为依次层叠的氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层的多层结构,即为ono结构。具体的,闪存在其生产工艺过程中易在闪存参考单元的隧穿氧化层103中捕获(引入)空**3为本发明实施例的对闪存参考单元进行编译示意图,如图3所示,对所述闪存参考单元进行编译,包括:在所述源极101上施加***编程电压vb1,在所述漏极102上施加第二编程电压vb2,在所述控制栅106上施加第三编程电压vb3,在所述衬底100上施加第四编程电压vb4;其中,所述***编程电压vb1小于所述第二编程电压vb2;所述第二编程电压vb2小于所述第三编程电压vb3。所述***编程电压的范围为~0v,所述第二编程电压的范围为~,所述第三编程电压vb3的范围为8v~10v,所述第四编程电压vb4的范围为~-1v,编译过程中的脉冲宽度为100μs~150μs。编译通过热电子注入的方式对所述浮栅104中注入电子。上海顶策科技有限公司智能HTOL测试机TH801有全程数据记录,让报告更有说服力,下游客户更放心。

提供可靠性测试整体解决方案:可靠性设备,HTOL/LTOL、双85、HAST等几十项可靠性测试方案制定,PCB设计制作,测试试验,满足各类芯片可靠性测试需求。涵盖模拟,数字,混合信号,SOC,RF等各类芯片的可靠性方案设计,原理图设计,PCBlayout加工制作,老化程序开发调试,可靠性测试试验,出具可靠性报告等一条龙服务。自主研发在线实时单颗监测技术,通过监测数据,可实时发现问题并介入分析,大幅提高HTOL效率,节省更多时间、FA成本,让HTOL问题更容易分析,更有追溯性,让报告更有说服力,下游客户更放心。TH801智能老化系统,监测数据异常自动报警,实时发现问题并介入分析,可以整体降低30~50%的成本。青浦区一体化HTOL测试机

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