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上海有哪些HTOL测试机

来源: 发布时间:2023年01月30日

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包括:将所述源极101和漏极102均悬空,在所述控制栅106上施加***擦除电压vc1,在所述衬底100上施加第二擦除电压vc2;其中,所述***擦除电压vc1为负电压,所述第二擦除电压vc2为正电压。所述***擦除电压vc1的范围为-10v~-8v,本实施例中例如为-9v;所述第二擦除电压vc2的范围为8v~10v,本实施例中例如为9v;擦除过程中的脉冲宽度为10ms~20ms。本实施例中,闪存参考单元的擦除原理是基于fowler-nordheim隧穿(简称为fn隧穿),通过在衬底100上施加正电压,在控制栅106上施加负电压,以在隧穿氧化层103中注入空穴,同时减少浮栅104中的电子。上海有哪些HTOL测试机上海顶策科技有限公司智能一体化HTOL测试机TH801通过监测数据,可实时发现问题并介入分析,大幅提高效率。

在每个时间点读点过程为:将闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值经由读出放大器进行比对判断,若iref<i,则闪存读出“1”;若iref>i,则闪存读出“0”。与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:本发明所提供的闪存htol测试方法,对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除,以在所述闪存参考单元中引入电子;对所述闪存进行htol测试,所述引入电子在所述htol测试过程中存在丢失,以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。降低了闪存参考单元的输出电流iref的偏移量,从而使闪存htol读“0”通过,解决了闪存htol测试中读点失效的问题,提高闪存质量。附图说明图1为本发明实施例的闪存htol测试方法流程图;图2为本发明实施例的闪存参考单元的结构示意图;图3为本发明实施例的对闪存参考单元进行编译示意图;图4为本发明实施例的对闪存参考单元进行擦除示意图;图5为本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除直接进行htol测试的输出电流iref分布图;

    1.试验目的标准试验目的备注JESD22-A108F-2017确定偏置条件和温度对于固态器件随时间的影响。试验可以加速地模拟器件的运行状态,主要用于器件的可靠性测试。本实验在较短时间内对器件施加高温偏置,通常也被称为老化或老炼。,这些器件随着时间和应力变化而产生的失效。GJB548B-2015方法,这些器件随着时间和应力变化而产生的失效。AEC-Q100参照JESD220-A108F-2017————————————————版权声明:本文为CSDN博主「月丶匈」的原创文章,遵循,转载请附上原文出处链接及本声明。原文链接:。 上海顶策科技自主研发智能HTOL测试机TH801,实时监测并记录每颗芯片电压,电流,频率,寄存器状态等数据。

一种闪存htol测试方法,包括:提供待测闪存,所述闪存包括闪存参考单元和闪存阵列单元;所述闪存参考单元中捕获有空穴;对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除,以在所述闪存参考单元中引入电子;对所述闪存进行htol测试,所述引入电子在所述htol测试过程中部分丢失,以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。具体的,待测闪存在同一闪存芯片(die)中的不同区域分布有闪存参考单元和闪存阵列单元,闪存阵列单元用于存储数据,闪存参考单元用于提供参考阈值电压以区分闪存阵列单元的状态。提供的待测闪存在其生产工艺过程中易在闪存参考单元中捕获。引入)空穴,所述空穴在htol测试过程中存在丢失。图2为本发明实施例的闪存参考单元的结构示意图,上海顶策科技有限公司智能一体化HTOL测试机TH801可以为芯片HTOL测试节省更多时间、FA成本。上海有哪些HTOL测试机

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