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来源: 发布时间:2022年12月15日

闪存参考单元包括:衬底100,位于所述衬底中的导电沟道、位于所述导电沟道两侧的源极101和漏极102,位于导电沟道上方的栅极单元,所述栅极单元从下到上依次包括隧穿氧化层103、浮栅104、栅间介质层105以及控制栅106,所述栅极单元的两侧分布有侧墙107。栅间介质层105例如可以为依次层叠的氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层的多层结构,即为ono结构。具体的,闪存在其生产工艺过程中易在闪存参考单元的隧穿氧化层103中捕获(引入)空**3为本发明实施例的对闪存参考单元进行编译示意图,如图3所示,对所述闪存参考单元进行编译,包括:在所述源极101上施加***编程电压vb1,在所述漏极102上施加第二编程电压vb2,在所述控制栅106上施加第三编程电压vb3,在所述衬底100上施加第四编程电压vb4;其中,所述***编程电压vb1小于所述第二编程电压vb2;所述第二编程电压vb2小于所述第三编程电压vb3。所述***编程电压的范围为~0v,所述第二编程电压的范围为~,所述第三编程电压vb3的范围为8v~10v,所述第四编程电压vb4的范围为~-1v,编译过程中的脉冲宽度为100μs~150μs。编译通过热电子注入的方式对所述浮栅104中注入电子。可靠性事业部提供各类芯片的老化程序开发调试,可靠性测试实验,出具可靠性报告等一条龙服务。杨浦区HTOL测试机专卖

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