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金山区HTOL测试机排行榜

来源: 发布时间:2022年10月14日

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    1.试验目的标准试验目的备注JESD22-A108F-2017确定偏置条件和温度对于固态器件随时间的影响。试验可以加速地模拟器件的运行状态,主要用于器件的可靠性测试。本实验在较短时间内对器件施加高温偏置,通常也被称为老化或老炼。,这些器件随着时间和应力变化而产生的失效。GJB548B-2015方法,这些器件随着时间和应力变化而产生的失效。AEC-Q100参照JESD220-A108F-2017————————————————版权声明:本文为CSDN博主「月丶匈」的原创文章,遵循,转载请附上原文出处链接及本声明。原文链接:。

自有发明专利的智能HTOL系统,自主研发在线实时单颗监测技术,可灵活配置芯片工作状态,并施加信号,非常方便HTOLSetup,实时监测并记录环境温度,以及每颗芯片电压,电流,频率,寄存器状态等数据,确保芯片处于正常HTOL状态,保证HTOL测试质量,通过监测数据,可实时发现问题并介入分析,大幅度提高HTOL效率,节省更多时间、FA成本,全程数据记录,让HTOL问题更容易分析,更有追溯性,有全程HTOL数据记录,让报告更有说服力,下游客户更放心。TH801智能老化系统,实时监测并记录环境温度,确保芯片处于正常HTOL状态,保证HTOL测试质量。

    进一步的,对所述闪存参考单元进行编译,包括:在所述源极上施加***编程电压,在所述漏极上施加第二编程电压,在所述控制栅上施加第三编程电压,在所述衬底上施加第四编程电压;其中,所述***编程电压小于所述第二编程电压;所述第二编程电压小于所述第三编程电压。进一步的,所述***编程电压的范围为~0v,所述第二编程电压的范围为~,所述第三编程电压的范围为8v~10v,所述第四编程电压的范围为~-1v。进一步的,编译过程中的脉冲宽度为100μs~150μs。进一步的,对所述闪存参考单元进行擦除,包括:将所述源极和漏极均悬空,在所述控制栅上施加***擦除电压,在所述衬底上施加第二擦除电压;其中,所述***擦除电压为负电压,所述第二擦除电压为正电压。进一步的,所述***擦除电压的范围为-10v~-8v,所述第二擦除电压的范围为8v~10v。进一步的,擦除过程中的脉冲宽度为10ms~20ms。进一步的,对所述闪存参考单元进行编译和擦除,循环次数为10次~20次。进一步的,对所述闪存进行htol测试包括:对所述闪存依次进行***时间点读点、第二时间点读点、第三时间点读点至第n时间点读点。

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TH801智能老化系统,监测数据异常自动报警,实时发现问题并介入分析,可以整体降低30~50%的成本。金山区HTOL测试机排行榜

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