芯片HTOL测试如何做到省力省心？上海顶策科技有限公司，提供可靠性测试整体解决方案：可靠性设备，HTOL/LTOL、双85、HAST等几十项可靠性测试方案制定，PCB设计制作，测试试验，满足各类芯片可靠性测试需求。涵盖模拟，数字，混合信号，SOC，RF等各类芯片的可靠性方案设计，原理图设计，PCBlayout加工制作，老化程序开发调试，可靠性测试试验，出具可靠性报告等全方面服务。保证HTOL测试质量，通过监测数据，可实时发现问题并介入分析，大幅度提高HTOL效率，节省更多时间、FA成本，全程数据记录，让HTOL问题更容易分析，更有追溯性，有全程HTOL数据记录，让报告更有说服力，下游客户更放心。TH801智能老化系统，实时监测并记录每颗芯片电压，电流，频率，寄存器状态等数据。智能HTOL测试机多少钱
闪存参考单元的隧穿氧化层103中会捕获一些主要从生产工艺带来的浅能级的空穴，在浮栅里面会注入所需要的电子。编译过程中浮栅104可以捕获电子，擦除过程中隧穿氧化层103会捕获空穴；在经过多次的编译以及擦除后，会在浮栅104中有更多的电子，隧穿氧化层103中有更多的空**7中经编译和擦除循环后电子空穴的净值(差值)与未经编译和擦除循环的电子空穴的净值(差值)相等，从而保证闪存参考单元编译和擦除循环后的输出电流与编译和擦除循环前的输出电流是相等的。擦除过程中隧穿氧化层捕获的空穴为深能级的空穴，这些深能级的空穴不容易移动，而在浮栅里面捕获的电子比较活跃，在htol测试过程中高温下会比较容易丢失，从而补偿了闪存参考单元从生产工艺带来的浅能级的空穴在htol测试过程中的丢失。智能HTOL测试机多少钱可靠性事业部提供各类芯片的老化程序开发调试，可靠性测试实验，出具可靠性报告等一条龙服务。
导致偏移量发生的原因是在htol可靠性验证过程中闪存参考单元会有空穴丢失，而丢失的空穴是在制作闪存的生产工艺过程中捕获(引入)的，短期内无法消除。而闪存产品从工程样品(es，engineeringsample)到客户样品(cs，customersample)的时间不容延期。从测试端找出解决方案非常迫在眉睫。本发明实施例的闪存htol测试方法对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除，以在所述闪存参考单元中引入电子；对所述闪存进行htol测试，所述引入电子在所述htol测试过程中存在丢失，以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。
芯片ATE程序开发及FT测试FT（FinalTest）是芯片在封装完成以后进行的*终的功能和性能测试，是产品质量控制*后环节，通过ATE+Handler+loadboard检测并剔除封装工艺和制造缺陷等生产环节问题的芯片。测试程序覆盖功能和全pin性能参数，并补充CP未覆盖的功能。服务内容：老化方案开发测试硬件设计ATE开发调试可靠性试验在要求点(如0、168、500、1000 hr)进行 ATE 测试，确定芯片是否OK, 记录每颗芯片的关键参数，并分析老化过程中的变化。可靠性事业部提供各类芯片的可靠性测试方案，原理图设计，PCB加工制作，出具可靠性报告等一条龙服务。
本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除的电荷分布示意图；发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除后的电荷分布示意图。图8为本发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除循环后再进行htol测试的输出电流iref分布图。其中，具体标号如下：100-衬底；101-源极；102-漏极；103-隧穿氧化层；104-浮栅；105-栅间介质层；106-控制栅；107-侧墙；具体实施方式本发明提供一种闪存htol测试方法，以下结合附图和具体实施例作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精细的比例，*用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。图1为本发明实施例的闪存htol测试方法流程图，上海顶策科技有限公司，20年以上的丰富测试技术积累及运营经验，拥有多项发明专利及软件著作权。智能HTOL测试机多少钱
TH801智能老化系统，实时参数正态分布图，散点图等分析数据，有利于分析芯片性能参数。智能HTOL测试机多少钱
可靠性测试事业部提供可靠性测试整体解决方案，包括HTOL、LTOL、双85、HAST等可靠性设备，以及测试方案制定，PCB设计制作，测试试验，满足各类芯片可靠性测试需求。自主研发在线实时单颗监测技术；可灵活配置芯片工作状态，并施加信号，非常方便HTOL和Setup；实时监测并记录环境温度，以及每颗芯片电压，电流，频率，寄存器状态等数据，确保芯片处于正常HTOL状态，保证HTOL测试质量；通过监测数据，可实时发现问题并介入分析，大幅提高HTOL效率，节省更多时间、FA成本；全程数据记录，让HTOL问题更容易分析，更有追溯性；有全程HTOL数据记录，让报告更有说服力，下游客户更放心；智能HTOL测试机多少钱