发明人检查失效的原因，发现读点失效为读“0”失效，并且进一步研究发现闪存参考单元的输出电流iref在48小时的测试值iref1与在初始的测试值iref0之间有偏移，具体偏移量经测试统计在4μa以内，而且iref1＜iref0，即48小时后iref往电流变小的方向偏移。闪存测试中，若iref＞i，则读出“0”(即闪存读“0”操作时，iref＞i)。闪存判断读“0”的具体操作过程为：将闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值经由读出放大器进行比对判断。当差值变弱到由读出放大器无法进行识别时，读“0”失效。当htol可靠性验证经过***时间点例如48小时后，由于闪存参考单元的输出电流iref往电流变小的方向偏移即iref变小，如此一来，闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值变小，超出读出放大器识别范围，于是读“0”失效。测试发现经48小时闪存参考单元的输出电流iref往电流变小的方向偏移后，进一步做htol测试，闪存参考单元的输出电流iref在第三时间点例如168小时,第四时间点例如500小时,第五时间点例如1000小时测试均不会进一步偏移。上海顶策科技智能HTOL系统，通过监测数据，可实时发现问题并介入分析,节省更多时间、FA成本。智能化HTOL测试机性能
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技术实现要素：本发明提供了一种闪存htol测试方法，以解决闪存htol测试中读点失效的问题。本发明提供的闪存htol测试方法，包括：提供待测闪存，所述闪存包括闪存参考单元和闪存阵列单元；所述闪存参考单元中捕获有空穴；对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除，以在所述闪存参考单元中引入电子；对所述闪存进行htol测试，所述引入电子在所述htol测试过程中部分丢失，以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。进一步的，所述闪存参考单元包括衬底、位于所述衬底中的导电沟道、位于所述导电沟道两侧的源极和漏极，位于所述导电沟道上方的栅极单元，所述栅极单元从下到上依次包括隧穿氧化层、浮栅、栅间介质层以及控制栅，所述栅极单元的两侧分布有侧墙。 上海顶策科技有限公司可靠性测试服务，涵盖模拟，数字，混合信号，SOC，RF等各类芯片的可靠性方案设计。智能化HTOL测试机性能
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