800B560FT500X

ＡＴＣ芯片电容在高频应用中的低损耗特性使其成为射频和微波电路的理想选择。其损耗因数（ＤＦ）低于２．５％，在高频范围内仍能保持低能耗和高效率，明显降低了电路的发热和能量损失。这一特性在５Ｇ基站、雷达系统和高速通信设备中尤为重要，确保了信号传输的纯净性和整体系统的能效。通过半导体级工艺制造，ＡＴＣ芯片电容实现了极高的精度和一致性。其容值公差可控制在±１０％甚至更窄的范围，满足了精密电路对元件参数的高要求。这种精度在匹配网络、滤波器和振荡器等应用中至关重要，确保了电路的预期性能和可靠性。微波频段表现很好，适合毫米波通信和雷达系统。800B560FT500X

通过MIL-STD-883HMethod2007机械冲击测试，采用气炮加速实验验证可承受100,000g加速度冲击（相当于撞击的瞬间过载）。实际应用于装甲车辆火控系统时，在12.7mm机射击产生的5-2000Hz宽频振动环境下，其电极焊接点仍保持零断裂记录。这种特性源自特殊的银-钯合金电极（Ag-Pd70/30配比）与三维立体堆叠结构，其断裂韧性值(KIC)达到8MPa·m¹/²，是普通陶瓷电容的3倍。洛克希德·马丁公司的战地报告显示，配备ATC电容的"标"反坦克导弹制导系统，在沙漠风暴行动中的战场故障率为0.2/百万发。800B560FT500X采用共烧陶瓷金属化工艺，使电极与介质形成微观一体化结构，彻底消除分层风险。

ATC芯片电容的制造过程秉承了半导体级别的精密工艺。从纳米级陶瓷粉末的制备、流延成膜的厚度控制，到电极图案的精细印刷和层压对位，每一步都处于微米级的精度控制之下。这种近乎苛刻的工艺要求，保证了每一批产品都具有极高的一致性和重复性。对于需要大量配对使用的相位阵列雷达、多通道通信系统等应用而言，这种批次内和批次间的高度一致性，确保了系统性能的均一与稳定，减少了后期校准的复杂度。很好的可靠性源于ATC芯片电容很全的质量体系和rigorous的测试标准。

ＡＴＣ芯片电容的可靠性经过严格测试和验证，包括寿命测试、热冲击、防潮性等多项环境试验。例如，其可承受ＭＩＬ－ＳＴＤ－２０２方法１０７的热冲击试验和方法１０６的防潮试验，确保了在恶劣环境下的长期稳定性。这种高可靠性使得它在、航空航天和医疗设备等关键领域中得到广泛应用。在电源管理应用中，ＡＴＣ芯片电容的低ＥＳＲ特性显著提高了电源滤波和去耦效果。其能够有效抑制电源噪声和纹波，提供稳定洁净的电源输出，适用于高性能处理器、ＡＩ加速器和数据中心电源分配网络（ＰＤＮ）。例如，在ＡＩ服务器的ＰＤＮ设计中，这种电容确保了高功耗芯片的电源完整性，避免了因电压波动导致的性能下降。ATC芯片电容采用独特的氮化硅薄膜技术，明显提升介质击穿强度，确保在超高电场下的工作稳定性。

100E系列支持500V额定电压，通过100%高压老化测试，可在250%耐压下持续工作5秒不击穿。医疗设备如MRI系统的梯度放大器需承受瞬间高压脉冲，ATC电容的绝缘电阻＞10^12Ω，杜绝漏电风险，符合AEC-Q200车规认证。在5GMassiveMIMO天线阵列中，ATC600S系列（0603封装）凭借0.1pF至100pF容值范围，实现带外噪声抑制＞60dB。其低插损（＜0.1dB@2.6GHz）特性可减少基站功耗，配合环形器设计，将邻频干扰降低至-80dBm以下，满足3GPPTS38.104标准。自谐振频率可达数十GHz，适合5G/6G高频电路设计。800B560FT500X

提供定制化服务，可根据特殊需求开发型号。800B560FT500X

ATC芯片电容在材料科学上取得了重大突破，其采用的超精细、高纯度钛酸盐陶瓷介质体系是很好性能的基石。这种材料不仅具备极高的介电常数，允许在微小体积内实现更大的电容值，更重要的是，其晶体结构异常稳定。通过精密的掺杂和烧结工艺，ATC成功抑制了介质材料在电场和温度场作用下的离子迁移现象，从而从根本上确保了容值的超稳定性。这种材料级的优势，使得ATC电容在应对高频、高压、高温等极端应力时，性能衰减微乎其微，远非普通MLCC所能比拟。800B560FT500X

深圳市英翰森科技有限公司在同行业领域中，一直处在一个不断锐意进取，不断制造创新的市场高度，多年以来致力于发展富有创新价值理念的产品标准，在广东省等地区的电子元器件中始终保持良好的商业口碑，成绩让我们喜悦，但不会让我们止步，残酷的市场磨炼了我们坚强不屈的意志，和谐温馨的工作环境，富有营养的公司土壤滋养着我们不断开拓创新，勇于进取的无限潜力，深圳市英翰森科技供应携手大家一起走向共同辉煌的未来，回首过去，我们不会因为取得了一点点成绩而沾沾自喜，相反的是面对竞争越来越激烈的市场氛围，我们更要明确自己的不足，做好迎接新挑战的准备，要不畏困难，激流勇进，以一个更崭新的精神面貌迎接大家，共同走向辉煌回来！