场效应管MOSFET分类MOSFET分为两大类:N沟道和P沟道。在功率系统中,MOSFET起到的作用相当于一个开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时,其开关导通。导通时,电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻,称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端,因此,总 是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空,器件将不能按设计意图工作,并可能在不恰当的时刻导通或关闭,导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电 压为零时,开关关闭,而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭,但仍然有微小电流存在,这称之为漏电流,即IDSS。 根据不同的控制电压,场效应管可以表现为线性或非线性的电阻特性,可用于电路中的电阻调整和分压电路。珠海氮化镓场效应管现货
场效应管的检测方法:(1)准备工作测量之前,先把人体对地短路后,才能摸触MOSFET的管脚。比较好在手腕上接一条导线与大地连通,使人体与大地保持等电位。再把管脚分开,然后拆掉导线。(2)判定电极将万用表拨于R×100档,首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大,证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧,其中阻值较小的那一次,黑表笔接的为D极,红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品,S极与管壳接通,据此很容易确定S极。(3)检查放大能力(跨导)将G极悬空,黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之,可用手分别触摸G1、G2极,其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。 珠海氮化镓场效应管现货场效应晶体管(Field Effect Transistor(FET))简称场效应管。
MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(较高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。耗尽型则是指,当VGS=0时即形成沟道,加上正确的VGS时,能使多数载流子流出沟道,因而“耗尽”了载流子,使管子转向截止。
场效应管非常重要的一个作用是作开关作用,作开关时候多数应用于各类电子负载控制、开关电源开关管,MOS管非常明显的特性是开关特性好,对于NMOS来说,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况,也就是所谓的低端驱动,只要栅极电压达到4V或10V就可以了。而对于PMOS来说,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况,也就是驱动。但是,虽然PMOS可以很方便地用作驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在驱动中,通常还是使用NMOS。如下图是某开关电源其中一部分电路图,在这里的Q1场效应管用作PWM调制器或开关稳压控制器的功率开关管。 场效应管的低功耗和高频率响应使其在高速数字电路和无线通信系统中得到大范围应用。
场效应管具有输入阻抗高、低噪声等特点,因此经常作为多级放大电流的输入级,与三极管一样,根据输入、输出回路公共端选择不同,将场效应管放电电路分为共源、公漏、共栅三种状态,如下图是场效应管共源放大电路,其中:Rg是栅极电阻,将Rs压降加至栅极;Rd是漏极电阻,将漏极电流转换成漏极电压,并影响放大倍数Au;Rs是源极电阻,为栅极提供偏压;C3是旁路电容,消除Rs对交流信号的衰减。由于场效应管是电压型控制器件,它的栅极几乎不取电流,输入阻抗非常高,其实要想获得较大恒流输出,并且精度提高可以采取基准源与比较器结合方法来获得所需要的效果。 场效应管可以用于功率放大器设计。珠海氮化镓场效应管现货
场效应管的开关速度较快。珠海氮化镓场效应管现货
场效应管:当带电荷的生物分子在离子敏感膜上发生识别并形成复合物时,或生物分子在离子敏感膜上发生生化反应形成有离子型产物(如H+) 时,将引起离子敏感膜表面电荷密度的改变,从而改变离子敏感膜电位,这就相当于通过外电源调节栅极电压,达到控制源极与漏极之间的沟道电流的目的。而且,栅极敏感膜上的生物分子吸附量与漏极输出电流在一定范围内有线性相关性。因此,通过测量漏极电流大小就可以定量分析发生在栅极离子敏感膜上的生物反应,这些生物反应包括核酸杂化、蛋白质作用、抗体抗原结合,以及酶底物反应。 珠海氮化镓场效应管现货