电子产品失效故障中,虚焊焊点失效占很大比重,据统计数字表明,在电子整机产品故障中,有将近一半是由于焊接不良引起的,几乎超过电子元器件失效的概率,它使电子产品可靠性降低,轻则噪声增加技术指标劣化,重则电路板无法完成设计功能,更为严重的是导致整个系统在未有任何前兆的情况下突然崩溃,造成重大的经济损失和信誉损失。在电子产品生产的测试环节以及售后维修环节,虚焊造成的故障让技术人员在时间、精力上造成极大的浪费,有时为找一个虚焊点,用上一整天的时间的情况并不鲜见。在电子产品生产过程及维修过程中,即使从各方面努力,也无法杜绝虚焊现象,因此,虚焊一直是困扰电子行业的焦点问题。笔者长期从事电子产品装联、电子电路测试、电子产品优化和电子产品系统维修,浅谈《电子产品生产中虚焊分析及预防》,旨在减少虚焊的危害,提高电子产品质量,也是抛砖引玉,以引起大家对虚焊的注。虚焊:在电子产品装联过程中所产生的不良焊点之一,焊点的焊接界面上未形成良好的金属间化合物(IMC),它使元器件与基板间形成不可靠连接。(这里定义的虚焊指PCBA上的焊点虚焊。)产生原因:基板可焊面和电子元件可焊面被氧化或污染。场效应管是电压控制电流器件,由vGS控制iD,其放大系数gm一般较小,因此场效应管的放大能力较差。中山N沟道场效应管按需定制
简称晶体管)是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型,这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补,所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。按材料来分可分硅和锗管,我国目前生产的硅管多为NPN型,锗管多为PNP型。4、半导体三极管放大的条件:要实现放大作用,必须给三极管加合适的电压,即管子发射结必须具备正向偏压,而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。5、半导体三极管的主要参数a;电流放大系数:对于三极管的电流分配规律Ie=Ib+Ic,由于基极电流Ib的变化,使集电极电流Ic发生更大的变化,即基极电流Ib的微小变化控制了集电极电流较大,这就是三极管的电流放大原理。即β=ΔIc/ΔIb。b;极间反向电流,集电极与基极的反向饱和电流。c;极限参数:反向击穿电压,集电极比较大允许电流、集电极比较大允许功率损耗。6、半导体三极管具有三种工作状态,放大、饱和、截止,在模拟电路中一般使用放大作用。饱和和截止状态一般合用在数字电路中。a;半导体三极管的三种基本的放大电路。b;三极管三种放大电路的区别及判断可以从放大电路中通过交流信号的传输路径来判断,没有交流信号通过的极。中山N沟道场效应管按需定制252封装场效应管盟科电子做得很不错。。
目视可检查出较为严重的氧化,对于氧化后的电子元器件,或弃之不用,或去氧化处理合格后再用。一般处理氧化层采用外力擦、刮;微酸清洗;涂抹助焊剂,然后搪锡使用。(表面贴装元器件因其封装体积小,氧化一般不易处理,通常退回厂家换货或报废处理)元器件是否氧化除目检以外,还有较为复杂详细的可焊性试验检测标准,条件不具备的,可用手工、波峰焊或回流焊方法,对元器件进行批次抽样试焊。电子元器件储存条件及储存期见下表:元器件可焊面的污染在电子产品生产中,元器件要经过来料接收清点、存储、发料、成型和插件(THT工艺)、SMC和SMD的上下料、贴装和手工补焊等工序或操作,难免会产生灰尘、油污及汗渍的污染,造成电子元器件焊面的可焊性下降。在电子装联生产场所,保持洁净的生产环境,穿戴防护用品,严格按操作规程操作,是防止元器件污染的有效措施。元器件引脚变形SMD器件,特别是其中细脚间间距的QFP、SOP封装器件,引脚极易损伤变形,引脚共面性变差,贴装后,部分引脚未紧贴焊盘,造成虚焊,见下图1:预防:对细间距贴装IC,用**工具取放,切记不能用手直接触碰引脚,操作过程中,防止IC跌落,QFP常用盘装,SOP一般为杆式包装。生产过程中切忌弯曲)。
为了安全地使用场效应管,在线路的设计中不能超过管子的耗散功率。比较大漏源电压、比较大栅源电压和最大电流等参数的极限值。各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接入电路中,要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结。N沟道管栅极不能加正偏压,P沟道管栅极不能加负偏压等等。MOS场效应管由于输入阻抗极高,所以,在运输、贮藏中必须将引出脚短路。要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意,不能将MOS场效应管放入塑料盒子内,保存时比较好放在金属盒内同时也要注意管子的防潮。为了防止场效应管栅极感应击穿,要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地,管脚在焊接时,先焊源极;在连入电路之前。管的全部引线端保持互相短接的状态,焊接完后才把短接材科去掉,从元器件架上取下管子时,应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等;当然,如果能采用先进的气热型电烙铁焊接场效应管是比较方便的,并且可确保安全在未关断电源时,相对不可以把管插入电路或从电路中拔出。以上的安全措施在使用场效应管时必须注意。开关mos管选择深圳盟科电子。
场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。三极管通过电流的大小控制输出,输入要消耗功率。场效应管是通过输入电压控制输出,不消耗功率。场效应管和三极管的区别是电压和电流控制,但这都是相对的。电压控制的也需要电流,电流控制的也需要电压,只是相对要小而已。就其性能而言,场效应管要明显优于普通三极管,不管是频率还是散热要求,只要电路设计合理,采用场效应管会明显提升整体性能。三极管是双极型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。场效应管是单极型管子,即管子工作时要么只有空穴,要么只有自由电子参与导电,只有一种载流子;三极管属于电流控制器件,有输入电流才会有输出电流;场效应管属于电压控制器件,没有输入电流也会有输出电流。场效应管是可以用作开关的。中山N沟道场效应管按需定制
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场效应管具有输入阻抗高、低噪声等特点,因此经常作为多级放大电流的输入级,与三极管一样,根据输入、输出回路公共端选择不同,将场效应管放电电路分为共源、公漏、共栅三种状态,如下图是场效应管共源放大电路,其中:Rg是栅极电阻,将Rs压降加至栅极;Rd是漏极电阻,将漏极电流转换成漏极电压,并影响放大倍数Au;Rs是源极电阻,为栅极提供偏压;C3是旁路电容,消除Rs对交流信号的衰减。由于场效应管是电压型控制器件,它的栅极几乎不取电流,输入阻抗非常高,其实要想获得较大恒流输出,并且精度提高可以采取基准源与比较器结合方法来获得所需要的效果。中山N沟道场效应管按需定制
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