而化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP)是集成电路芯片的一个关键制程,国内抛光所用关键材料CMP抛光垫,几乎全部依赖进口。CMP典型的抛光浆料都是纳米级发烟硅石(5Vol%,170-230nm)、高纯硅胶(9Vol%,6-80nm)、氧化铈(6Vol%,200-240nm)或氧化铝颗粒,它们的粒度或粒度分布必须小心地进行控制以免在抛光面上产生刮痕。CMP浆料的分散稳定性和保存期也是必须被认真考虑的重要环节。这种纳米浆料的使用浓度一般在(5-30W%),容易聚集。随着贮存时间延长,它的粒度可能增大从而导致损害的产生。驰光机电科技有限公司不断完善自我,满足客户需求。海南CPS高精度纳米粒度分析仪
CPS纳米粒度分析仪测量参数:粒径、粒形和浓度;粒径范围:0.1-3600μm;浓度范围:高达109颗粒/cm3(对1μm颗粒);供样方式:液体、干粉、表面;系统规格/重量电源:665L×280W×183H(mm);14Kg;100-130V,205-240V,50/60Hz,100VA;2mW He-Ne,632.8nm,硅PIN二极管检测器;全量程的0.3%,小可达0.2μm;同步频闪光源,亮度和持续时间可调;频闪率;可达30次/秒。分辨率B&W CCD摄像机。NTSC 840×640像素;PAL768×572像素。Windows XP操作系统,检测报告自动生成,符合FDA 21 CFRPART11标准。ISO标准;符合多项ISO方法标准;测量池模块:液体、乳液/不透明液体、干粉、纤维、磁性颗粒、加热液体及气溶胶。海南CPS高精度纳米粒度分析仪驰光机电科技有限公司品牌价值不断提升。
为了提高粒径的测量精度,需要较高的圆盘转速,目前市面上常见的运行速度较高在15000RPM,而国内在1500RPM,无法满足CPM化学机械抛光的需求。CPS-24000纳米粒度仪的最高转速为24000转,测试范围在5nm-75um,每次加样只需要0.1ml,降低样液的测试成本,可连续测量多达40个样品。CPS纳米粒度分析仪的使用方法已经列入国标,包括《金属粉末粒度分布的测量-重力沉淀光透法》、《煤矿粉尘粒度分布测定方法》、《橡胶配合剂-炭黑-聚集体尺寸的测定-使用光跟踪盘式离心沉淀仪法》等。
CMP(化学机械抛光)工艺中磨料颗粒的高精度粒径表征随着半导体工业飞速发展,电子器件尺寸缩小,要求晶片表面平整度达到纳米级。CMP工艺作为芯片制造业不可或缺的一个部分,其对于磨料的颗粒粒度表征要求十分重要。CMP过程中使用的磨料颗粒典型尺寸范围是10-200nm,其颗粒表征要求精确地确定纳米级颗粒的尺寸,因此高分辨率纳米粒度分析仪是磨料颗粒表征的完美解决方案。磨料对CMP工艺起着至关重要的作用!欢迎选用CPS纳米粒度分析仪为您完美解决磨料颗粒问题!山东驰光机电科技有限公司以质量求生存,以信誉求发展!
C-Quand在线EDXRF分析仪在PTA工艺中的应用,产品综述:精对苯二甲酸,英文名简称为PTA,它是聚酯生产链的重要组成部分,是中国重要的化工原料。PTA可用于生产聚酯,合成纤维和增塑剂等,它们大量用于工业塑料,薄膜,涂料和其他领域。作为纺织化纤和石油化工两大行业的重要中间体,PTA起着重要的承上启下作用。测量的必要性:通过添加醋酸钴和醋酸锰以及四溴乙烷催化剂,对二甲苯氧化可以制取苯二甲酸(TA)。如果能够对催化剂元素含量(钴、锰和溴Br)进行连续在线分析,可以更好地控制工艺驰光机电科技有限公司不断提高产品的质量。海南CPS高精度纳米粒度分析仪
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因此,需要对其粒径的分布进行测试。而目前对炭黑的粒径测量方法为差速沉淀法。由于常用的炭黑粒径比较均匀,在测试时粒径的分布常呈现正态曲线分布,但在裂解后炭黑中混有橡胶纤维,导致粒径变大,不同粒径炭黑的含量不同,不再呈现均匀的正态分布。造成样品的测试比较困难。美国CPS24000纳米粒度分析仪可以真实反映样品在溶液中的真实粒径分布状态,粒径测试结果的精确度只次于扫描电镜。主要特点如下:所需样品量少,每次只需要0.1ml,这在疫苗研发、化学合成方面具有较大的优势。海南CPS高精度纳米粒度分析仪