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MM1Z18是一款稳压二极管，以下是关于该产品的详细参数和特性：产品描述与精度：MM1Z18的精度为±5%，意味着其性能参数在一定的范围内波动，但整体稳定性较高。稳压值与反向漏电流：该稳压二极管的典型稳压值为18V，并且在13V时的反向漏电流为100nA。这些参数决定了其在电路中的稳定电压输出和反向电流性能。功率与封装：MM1Z18的最大功率为500mW，这意味着在正常工作条件下，它能够承受的最大功率消耗为500毫瓦。其封装形式为SOD123，这是一种常用的表面贴装封装，适用于各种电子设备的组装和集成。制造商与产地：该产品由山东晶导微电子有限公司制造，这是一家专注于半导体分立器件的研发、生产与销售的大型企业。产品原产于中国香港，并由SemtechElectronicsLimited作为原始制造商生产。其他特性与参数：MM1Z18还具有其他重要参数，如正向压降VFMax为900mV，测试电流Izt为5mA，元件生命周期为Active（活跃状态），存储温度范围为-55℃至+150℃，引脚数为2Pin，高度为1.15mm，尺寸为2.70x1.65mm等。安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐MM1Z18这款稳压二极管，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。MMBT9012H是一款三极管 封装为SOT-23。中文资料ST先科BC857

MM1Z5B1是一款常见的电子元器件，具体为稳压二极管。以下是对其部分参数的介绍：品牌：MM1Z5B1的品牌可能是HTSEMI（金誉）或其他制造商，具体品牌可能会因供应商不同而有所差异。封装类型：常见的封装形式为SOD-123，这是一种小型化的封装，适用于多种应用场景。特性：MM1Z5B1稳压二极管具有高效率、低功耗和低压降的特点，同时它还具备快恢复的特性，这使得它在电路设计中能够稳定电压并提高电路的效率。除了以上提到的参数，MM1Z5B1还可能具有其他的技术规格和性能指标，如功率耗散、反向耐压、正向压降等。这些参数的具体数值可能会因制造商和具体产品批次的不同而有所差异。安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐MM1Z5B1这款稳压二极管，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。中文资料ST先科BC857MM1Z24是一款稳压二极管 封装为SOD-123。

MM1Z5253B是一款电子元器件，具体为贴片稳压二极管。它的封装形式为SOD-123，这意味着它在电路板上占用的空间相对较小，有利于电路板的布局和设计。此外，该元器件符合RoHS标准，即不含有害物质，符合环保要求。在电气性能方面，MM1Z5253B的稳压值（或称为齐纳电压）是其关键参数之一，但很遗憾，我并未找到关于其确切的稳压值的信息。然而，一般稳压二极管的主要作用是提供稳定的电压输出，因此，在具体应用中，需要根据电路需求选择合适的稳压值。此外，MM1Z5253B的工作温度范围较广，从-20℃到125℃，这意味着它可以在多种环境条件下正常工作。其电源电压的范围为5V到8V，这也是设计电路时需要考虑的重要因素。在物理尺寸上，MM1Z5253B的长度为2.1mm，宽度为3mm，高度为1.1mm，这些尺寸信息对于在电路板上布局和安装元器件非常有用。安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐MM1Z5253B这款稳压二极管，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。

MMBT5551是一款NPN型三极管，广泛应用于各种电子设备和电路中。以下是关于MMBT5551的详细参数和特性：主要参数：集电极-基极电压(Vcbo)：160V集电极-发射极电压(Vceo)：160V发射极-基极电压(Vebo)：6V集电极电流(Ic)：比较大600mA总功耗(Ptot)：225mW电流增益(hFE)：在10mA时为100至400转换速度：100MHz工作温度范围：-55℃至150℃这些参数决定了MMBT5551在各种电路中的工作性能和应用范围。典型应用：小信号放大器：MMBT5551可以用于音频、射频和其他类型的小信号放大电路。电流源：MMBT5551可以用于设计恒流源电路，为电子设备和电路提供稳定的电流。电压比较器：MMBT5551可以用于构建简单的电压比较器电路，用于检测和比较电压信号。其他特性：MMBT5551的封装形式为SOT-23，这是一种常用的表面贴装封装，适用于各种电子设备的组装和集成。该三极管符合RoHS标准，不含限制性物质，满足环保要求。安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐MMBT5551这款三极管，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。MMBT9014C是一款三极管 封装为SOT-23。

LS4148是一款二极管，具体属于开关二极管（小信号）类别。其重要参数包括：正向压降（VFMax）为1V，正向浪涌峰值电流（Ifsm）为500mA，反向击穿电压为100V，反向耐压（VR）为75V，平均整流电流为200mA，反向漏电流（IR）在75V时为5µA，反向恢复时间（trr）为4ns，总电容（C）为4pF等。此外，它的封装形式为LL-34或LS34，引脚数为2Pin，原产国家为中国香港，原始制造商为SemtechElectronicsLimited。LS4148二极管在电路中起到开关的作用，允许电流在正向偏置时通过，而在反向偏置时几乎完全阻止电流通过。由于其具有快速的开关速度和良好的稳定性，LS4148二极管广泛应用于各种电子设备中，如电源、信号处理电路、保护电路等。安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐LS4148这款开关二极管，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。MMBT5551是一款三极管 封装为SOT-23。中文资料ST先科BC857

ZMM3V3PF-M是一款稳压二极管 封装为LL-34。中文资料ST先科BC857

BC857是一款半导体器件，具体来说，它是一款晶体管。该器件具有Si-PNP性质，表面帖装型（SMD）和通用型（Uni）的封装形式。其主要参数包括极限工作电压为50V，最大电流允许值为0.1A，比较大工作频率为150MHZ，引脚数为3。此外，BC857的最大耗散功率和放大倍数也是其重要的性能指标。在实际应用中，BC857晶体管可以作为开关使用，或者用于信号放大等电路。由于其优良的性能和稳定的工作特性，BC857被广泛应用于各种电子设备中，如通信设备、计算机、消费电子等。此外，如果需要替换BC857，可以考虑一些可代换的型号，如BCW69、BCW70、BCW89等。这些型号在性能和封装形式上可能与BC857相似，因此可以作为潜在的替代品。需要注意的是，虽然BC857具有广泛的应用场景和稳定的性能，但在具体使用时仍需要根据电路设计和应用需求进行选择。同时，由于半导体器件的制造和测试过程可能存在差异，因此在实际应用中可能需要对器件的性能进行进一步的测试和验证。安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐BC857这款三极管，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。中文资料ST先科BC857