上海氮化镓器件及电路芯片设计

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台设备齐全，具备优良的半导体芯片研发条件。公司旨在为客户提供技术支持和服务，以满足不断发展的市场需求。公司不仅具备设备齐全的优势，还在芯片研发方面拥有非常好的人才、场地等条件。通过不断创新和自主研发，南京中电芯谷高频器件产业技术研究院旨在为客户提供高性能的芯片产品。通过公共技术服务平台，公司将不断提升服务水平和技术能力，为客户提供更加可靠的技术支持，以满足客户多样化的需求。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院将以专业的态度与客户合作，共同推动行业的发展，实现共赢。芯谷高频研究院在背面工艺方面，拥有键合机、抛光台、磨片机等，可以进行晶片的减薄、抛光以及划片工艺。上海氮化镓器件及电路芯片设计

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司研发的太赫兹放大器系列产品具有多项优势。首先，其技术成熟。其次，由于采用了国产技术，产品造价相对更为合理，进一步降低了使用成本。同时，缓解了我国太赫兹芯片领域的供需矛盾，有力地推动了相关产业链的发展。太赫兹放大器系列产品的应用前景广阔，太赫兹技术在通讯、安全检测、材料表征等众多领域都具有重要意义。例如，在通讯领域，太赫兹技术可以实现高速无线通信，将极大地提升网络带宽和传输速度。在安全检测领域，太赫兹技术可以用于无损检测等方面。在材料表征领域，太赫兹技术可以用于材料成分的分析、生物体结构的研究等方面，为科学研究提供有力支持。上海氮化镓器件及电路芯片设计南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供太赫兹放大器系列芯片技术开发服务。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供异质集成工艺服务，如：1）晶圆键合：提供6英寸及以下超高真空键合、表面活化键合、聚合物键合、热压键合、共晶键合等多种类晶圆及非标准片键合服务；2）衬底减薄：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料衬底减薄服务；3）表面平坦化：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料表面亚纳米级精细抛光服务。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的多种异质集成技术服务包括：超高真空键合、衬底减薄和表面平坦化等，都是基于先进的技术和设备，以满足客户的不同需求。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司热情欢迎上下游企业入驻园区。中电芯谷科技产业园位于南京秦淮区，是一个拥有完善基础设施的现代化产业园区。中电芯谷科技产业园以高科技产业为主，聚集了多家企业。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司作为中电芯谷科技产业园的重要组成部分，自成立以来致力于高频器件的研发。公司拥有多项重要技术和成果。同时，公司也非常重视与上下游企业的合作与交流，在产品设计、市场营销等方面积极寻求合作伙伴，推动产业链的不断完善与创新，对于提升整个产业的竞争力和市场份额具有积极的意义。中电芯谷科技产业园还提供完备的服务支持，包括研发创新、财务税务、人力资源、营销推广等方面的专业指导和支持，帮助入驻企业在竞争激烈的市场中立足并获得成功。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司诚邀各位上下游企业加入中电芯谷科技产业园，共同谋求发展和进步，为行业带来更多的创新和机遇。南京中电芯谷高频器件产业研究院可提供微波测试、直流测试、光电测试、微结构表征分析、热特性测试等服务。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供Si基GaN微波毫米波器件与芯片技术开发服务，该芯片相对于Si LDMOS，具有工作频率高、功率大、体积小等优势；相对于传统SiC基GaN芯片，具备低成本、高密度集成、大尺寸等优势；适应于C、Ka、W等主流波段的攻放、开关、低噪放等芯片；南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司可提供定制化的Si基GaN射频器件和电路芯片研制与代工服务；该芯片可用于5G通信基站、高效能源、汽车雷达、手机终端、人工智能等领域。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院的CVD用固态微波功率源产品具有集成度高，尺寸小、寿命高等特性。上海氮化镓器件及电路芯片设计

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司晶片加工尺寸覆盖不规则片、3寸晶圆片以及4寸晶圆片。上海氮化镓器件及电路芯片设计

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台可为客户提供全流程芯片制造工艺技术服务。平台拥有先进的设备和专业的团队，通过多道工艺环节，包括光刻、金属化、高温处理、键合等，提供技术支持，帮助客户实现芯片从设计到制造的全过程。该技术服务平台的优势在于，能够为客户提供高效、准确、定制化的服务。不论是在工艺的选择，还是在设备操作和技术咨询方面，平台都能够全力满足客户的需求。从技术咨询，到流片调试、产品测试，研究院将贴心地为客户提供技术服务。上海氮化镓器件及电路芯片设计

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