济南变压整流器生产厂家

为了减小器件因过压击穿造成损坏的可能性和提高整流装置的可靠性，可采用硅雪崩整流器。在这种器件中，当反向电压超过允许峰值时，在整个PN结上发生均匀的雪崩击穿，器件可工作在高压大电流下，故能承受相当大的反向浪涌功率。制作这种器件时要求材料缺点少，电阻率均匀，结面平整，外露结区还应进行适当保护，避免发生表面击穿。硒整流器的抗过载容量大，承受反向浪涌功率的能力也较强。

在以大功率二极管或晶闸管为基础的两种基本类型的整流器中，电网的高压交流功率通过整流器变换为直流功率。提到未来（不久的或遥远的）的其它类型整流器：以不可控二极管前沿产品为基础的斩波器、斩波直流/直流变换器或电流源逆变型有源整流器。显然，这种型的整流器在技术上包含较多要开发的内容，但是它能显示出优点，例如它以非常小的谐波干扰和1的功率因数加载于电网。

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高频整流器不能充分利用输入功率

  由于输入功率中含有大量的无功分量，有功功率被吸收，无功功率在电缆中往复流动，使正常的有效电流通道变窄，由于线路的“拥挤”而使单位截面积伤的电流密度加大，功耗加大。根据欧姆定律。导线上的功耗P为

  P=I2R

  由上式可以看出，线路上的功耗和电流I的平方值成正比，与导线的电阻R成正比，而发热量又是功耗P和时间T的函数，即

  Q=0.24Pt

  这样一个长期效应造成了电力的浪费。 济南变压整流器生产厂家奥凯电气锐意进取，持续创新为各行各业提供专业化服务。

整流器/充电机应有蓄电池充电电流限流电路，将蓄电池充电电流限制到UPS额定输出容量（KW）的15%。在发电机组供电时（当接收到一个外部低电压信号时），应将蓄电池充电电流限制到零。

1.蓄电池充电电压温度补偿

当采用远端温度检测器时，整流器/充电机应自动调节蓄电池浮充电压（一般按−5mv/只/℃）。通常蓄电池的浮充电压为2.25V/只，终止电压为1.67V/只，因此DC母线电压在浮充和终止电压时分别为N×2.25V，N×1.67V（N为蓄电池的只数）。

2．输入功率的逐步增加

整流器/充电机应具有将初始功率要求限制到额定负载的20%，并在10秒的时间间隔内逐渐将输入功率增加到****额定容量。在冗余UPS系统中，各整流器/充电机的输入功率的加入时间应延迟5至300秒，以减少对发电机组的影响。

可控硅整流器是一种常用的电力半导体电子器件，具有控制开关数千瓦乃至兆瓦级电功率的能力.从结构上说，它是 一种反向截止三极管型的闸流晶体管，由三个PN结(PN-PN四层)构成.器件的外引线有阴极、阳极、控制极三个电极，典型大电流可控硅整流器的示意剖面见图.器件的反向特性(阳极接负)和PN结二极管的反向特性相似;其正向特性，在 一定范围内器件处于阻抗很高的关闭状态(正向阻断态，即伏安特性一象限中虚线下的实线部分).当正向瞬间电压大于转折电压时，器件迅速转变到低电压大电流的通导状态.

处于正向阻断态的器件，如果给予控制极一低功率的触发信号(使控制极-阴极PN结导通)，则器件可迅速被激发到导通状态，之后毋须继续保持触发电流即可维持在通导状态，此时若将电流降至维持电流(伏安特性虚线处)以下，器件可恢复到阻断状态. 奥凯电气生产工艺得到了长足的发展，优良的品质使我们的产品****各地。

整流器的结构：

1、输入功率的逐步增加

整流器/充电机应具有将初始功率要求限制到额定负载的20%，并在10秒的时间间隔内逐渐将输入功率增加到****额定容量。在冗余UPS系统中，各整流器/充电机的输入功率的加入时间应延迟5至300秒，以减少对发电机组的影响。

2、输入隔离开关

整流器/充电机应有输入隔离开关并有保护。隔离开关应能同时提供满足负载的电流和蓄电池的再充电电流，并能承受较大的短路电流。

3、DC滤波器

整流器/充电机应有输出滤波器以将加在蓄电池的纹波电压减少到**小。整流器的DC输出电压的AC纹波电压应小于浮充电压（RMS）的1%。滤波器应充分保证整流器/充电机的DC输出电压在蓄电池未连接的情况下满足逆变器的要求。

4、蓄电池的再充电

除了为负载供电外，整流器/充电机应能在10倍于放电时间的时间内，将蓄电池的放电功率恢复到95%。蓄电池再充电后，整流器/充电机应使蓄电池保持在满充电状态，直到下一次放电。

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整流器是一个整流装置，简单的说就是将交流（AC）转化为直流（DC）的装置。它有两个主要功能：

一，将交流电（AC）变成直流电(DC)，经滤波后供给负载，或者供给逆变器；

二，给蓄电池提供充电电压。因此，它同时又起到一个充电器的作用。

三极管的hFE参数与贮存时间ts相关，一般hFE大的三极管ts也较大，过去人们对ts的认识以及ts的测量仪器均较为欠缺，人们更依赖hFE参数来选择三极管。

在开关状态下，hFE的选择通常有以下认识：、hFE应尽可能高，以便用**少的基极电流得到比较大的工作电流，同时给出尽可能低的饱和电压，这样就可以同时在输出和驱动电路中降低损耗。

但是，如果考虑到开关速度和电流容限，则hFE的比较大值就受到限制；第二、中国的厂家曾经倾向于选用hFE较小的器件，例如hFE为10到15，甚至8到10的三极管就一度很受欢迎(后来，由于基极回路流行采用电容触发线路，hFE的数值有所上升)，hFE的数值小则饱和深度小，从而有利于降低晶体管的发热。

实际上，晶体管的饱和深度受到Ib、hFE两个因素的影响，因而通过磁环及绕组参数、基极电阻Rb的调整，也可以降低饱和深度。 济南变压整流器生产厂家

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