回顾集成电路的发展历程产业结构的三次变革：一次变革：以加工制造为主导的IC产业发展的初级阶段。70年代，集成电路的主流产品是微处理器、存储器以及标准通用逻辑电路。这一时期IC制造商（IDM）在IC市场中充当主要角色，IC设计只作为附属部门而存在。这时的IC设计和半导体工艺密切相关。IC设计主要以人工为主，CAD系统只作为数据处理和图形编程之用。IC产业只处在以生产为导向的初级阶段。第二次变革：Foundry公司与IC设计公司的崛起。80年代，集成电路的主流产品为微处理器（MPU）、微控制器（MCU）及专门的IC（ASIC）。这时，无生产线的IC设计公司（Fabless）与标准工艺加工线（Foundry）相结合的方式开始成为集成电路产业发展的新模式。第三次变革："四业分离"的IC产业90年代，随着INTERNET的兴起，IC产业跨入以竞争为导向的高级阶段，国际竞争由原来的资源竞争、价格竞争转向人才知识竞争、密集资本竞争。半导体三极管的三种基本的放大电路？电子元器件哪里找
IC工艺线宽：线宽：4微米、1微米、0.6微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、0.11微米等， 是指IC生产工艺可达到的比较小导线宽度，是IC工艺先进水平的主要指标。线宽越小，集成度就高，在同一面积上就集成更多电路单元。前工序:IC制造工程中，晶圆光刻的工艺（即所谓流片），被称为前工序，这是IC制造比较要害的技术。后工序晶圆流片后，其切割、封装等工序被称为后工序。了解更多相关资讯，欢迎来电咨询；我们真诚期待您的来电。电子元器件哪里找怎么判别半导体三极管的类型？
半导体三极管的分类：a;按频率分：高频管和低频管；b;按功率分：小功率管，中间功率管和的功率管；c;按机构分：PNP管和NPN管；d;按材质分：硅管和锗管；e;按功能分：开关管和放大；半导体三极管特性：三极管具有放大功能（三极管是电流控制型器件－通过基极电流或是发射极电流去控制集电极电流；又由于其多子和少子都可导电称为双极型元件）；三极管各区的工作条件：1．放大区：发射结正偏，集电结反偏：2．饱和区：发射结正偏，集电结正偏；截止区：发射结反偏，集电结反偏。
世界集成电路产业结构的变化及其发展历程：自1958年美国德克萨斯仪器公司(TI)发明集成电路（IC）后，随着硅平面技术的发展，二十世纪六十年代先后发明了双极型和MOS型两种重要的集成电路，它标志着由电子管和晶体管制造电子整机的时代发生了量和质的飞跃，创造了一个前所未有的具有极强渗透力和旺盛生命力的新兴产业集成电路产业。回顾集成电路的发展历程，我们可以看到，自发明集成电路至今40多年以来，"从电路集成到系统集成"这句话是对IC产品从小规模集成电路（SSI）到现在特大规模集成电路（ULSI）发展过程的比较好总结，即整个集成电路产品的发展经历了从传统的板上系统（System-on-board）到片上系统（System-on-a-chip）的过程。在这历史过程中，世界IC产业为适应技术的发展和市场的需求，其产业结构经历了三次变革。以加工制造为主导的IC产业发展的初级阶段。
电容器的好坏测量：脱离线路时检测——采用万用表Ｒ×１ｋ挡，在检测前，先将电解电容的两根引脚相碰，以便放掉电容内残余的电荷.当表笔刚接通时，表针向右偏转一个角度，然后表针缓慢地向左回转，表针停下。表针停下来所指示的阻值为该电容的漏电电阻，此阻值愈大愈好，比较好应接近无穷大处。如果漏电电阻只有几十千欧，说明这一电解电容漏电严重。表针向右摆动的角度越大（表针还应该向左回摆），说明这一电解电容的电容量也越大，反之说明容量越小。常用的电子元器件有哪些？电子元器件哪里找
用指针万用表判定电阻的好坏，欢迎来电咨询。电子元器件哪里找
晶振在线路中的符号是＂X”,＂Y”；晶振的名词解释:能产生具有一定幅度及频率波形的振荡器.晶振的测量方法:测量电阻方法:用万用表RX10K档测量石英晶体振荡器的正,反向电阻值.正常时应为无穷大.若测得石英晶体振荡器有一定的阻值或为零,则说明该石英晶体振荡器已漏电或击穿损坏.动态测量方法:用是波器在电路工作时测量它的实际振荡频是否符合该晶体的额定振荡频率,如果是,说明该晶振是正常的,如果该晶体的额定振荡频率偏低,偏高或根本不起振,表明该晶振已漏电或击穿损坏电子元器件哪里找