为获得平坦而均匀的光刻胶涂层并使光刻胶与晶片之间有良好的黏附性,通常在涂胶前对晶片进行预处理。预处理第一步常是脱水烘烤,在真空或干燥氮气的机台中,以150~200℃烘烤。工艺目的是除去晶片表面吸附的水分,在此温度下,晶片表面大约保留了一个单分子层的水。涂胶后,晶片须经过一次烘烤,称之软烘或前烘。工艺作用是除去胶中大部分溶剂并使胶的曝光特性固定。通常,软烘时间越短或温度越低会使得胶在显影剂中的溶解速率增加且感光度更高,但对比度会有降低。实际上软烘工艺需要通过优化对比度而保持可接受感光度的试凑法用实验确定,典型的软烘温度是90~100℃,时间从用热板的30秒到用烘箱的30分钟。在晶片显影后,为了后面的高能工艺,如离子注入和等离子体刻蚀,也须对晶片进行高温烘烤,称之后烘或硬烘。这一工艺目的在于:减少驻波效应;激发化学增强光刻胶PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。 干燥完成后,先将放气阀打开,放出里面气体,再进行打开真空干燥箱箱门,取出物料。丽水快速干燥真空烘箱
橡胶配方中硫化体系的类型按照制品不同性能的要求,橡胶配方选用不同的硫化体系。通常,普通硫磺硫化体系,其硫化温度选取范围为130-160℃,具体需要根据所使用的促进剂的活性温度和制品的物理机械性能来确定。有效、半有效硫化体系,硫化温度一般掌握在160-165℃之间,过氧化物及树脂等非硫磺硫化体系,硫化温度适合选择170-180℃.3.橡胶制品的结构橡胶属于热的不良导体,受热升温较慢。对于夹织物的橡胶制品,通常硫化温度不高于140℃.而发泡橡胶,需要按照发泡剂和发泡助剂的分解温度选择适宜的硫化温度。丽水快速干燥真空烘箱真空泵不能长时期工作。
在CCD(电荷耦合器件)制造过程中,颗粒沾污对CCD的薄膜质量、光刻图形完整性等有很大的影响,降低CCD的成品率。CCD制造过程中的颗粒来源主要有两个方面:一个制造过程中工艺环境产生的颗粒;另一个是薄膜的淀积、光刻和离子注入等CCD工艺过程中产生的颗粒。工艺环境的颗粒可来源于墙体、设施、设备、材料和人员,工艺过程的颗粒来源于易产生粉尘的工艺,比如说LPCVD淀积多晶硅和氮化硅及刻蚀工艺等。无尘烘箱,即使在普通环境下使用,能够确保烘箱内部等级达到Class 100,为CCD(电荷耦合器件)制造过程中烘烤提供洁净环境,预防颗粒沾污
常用PI/BCB/BPO胶的固化方法如下:1、在半导体芯片表面涂覆一层粘附剂;2、通过旋转方式在半导体芯片表面的粘附剂上涂覆一层液态PI/BCB/BPO胶,接着将涂覆好PI/BCB/BPO胶的半导体芯片放入固化炉中,并通入氮气保护;3、加热固化炉,使涂覆PI/BCB/BPO胶的半导体芯片达到一温度,稳定一段时间,使PI/BCB/BPO胶中的溶剂分布均匀4、再将加热固化炉升高到第二温度,稳定一段时间,使PI/BCB/BPO胶中的溶剂充分挥发;5、再将加热固化炉升高至第三温度,稳定一段时间,在半导体芯片表面形成低介电常数PI/BCB/BPO胶薄膜;6、将加热固化炉的温度降至一预定温度,关氮气,取出样品,完成固化工艺。加热方式有:蒸汽、热水、导热油、电热。
高温真空烘箱主要是针对各种电子、塑胶、金属.....耐高温性能测试。用于干燥、烘烤、预热各种材料或试片。采用特殊设计之强制循环送风系统,可靠保证工作温度分布均匀度。性能特点箱体结构:整机结构为一体式;真空泵安装:真空泵安装于机器下部面板安装:控制面板安装于机台下方开门方式:单门由右至左开启;可视窗:门上带可视窗,规格W200*H250mm安装带刹车活动脚轮,可任意推动温度控制为PID数显仪表(台**松仪表EM705),单点式控温,可自动演算,PV/SV同时显示,按键设定定时器设定:1秒-9999时(可选择设定小时、分钟、秒)温到计时,时间到停止加热,同时报警提示300度高温真空烘箱技术参数型号:GT-TK-125温度范围:常温+20℃~+300℃内尺寸:500(宽)×500(深)×500(高)mm;(单箱式)外尺寸约:800(宽)×820(深)×1420(高)mm+110轮高,以实物为准内材质为:304#不锈钢板外材质为:冷轧钢板保温材质为:耐高温岩棉,保温效果好控制精度:±℃;显示精度:℃;温度过冲:≤3℃真空感应器为:压力感应;真空度使用范围:真空保压泄漏率:约;真空控制方式为,自动控制,达到上限停止,低于下限启动,循环工作300度高温真空烘箱使用说明超温保护系统:温度失控时。利用真空泵进行抽气抽湿,使工作室内形成真空状态,降低水的沸点,加快干燥的速度。丽水快速干燥真空烘箱
工作室采用不锈钢钢板。丽水快速干燥真空烘箱
COB生产流程:晶粒进料→晶粒检测→清洗PCB→点胶→粘晶粒→烘烤→打线→过境→OTP烧录→封胶→测试→QC抽检→入库。其中烘烤这一环节是很重要的一步之一,烘烤的目的是将前一道的工序中的胶烘干,使得IC在PCB上粘牢,以确保下一道工序中IC在打线过程中不会移动。不同的胶需要的烘烤时间和温度也是不一样的。缺氧胶烘烤温度90度烘烤10分钟,银胶烘烤温度120度烘烤90分钟,红胶烘烤温度120度烘烤30分钟。无尘烘箱主要应用于半导体晶圆片光刻涂胶镀膜前的基片清洗后的前烘烤(Prebaking)、涂胶后的软烘焙Softbaking),曝光、显影后的坚膜硬烘(Hardbaking)等工艺,适用半导体制造中硅片、砷化镓、铌酸锂、玻璃等材料的洁净、防氧化烘烤,亦可用于LCD、TFT、COMS、生物、医药、光学镀膜、精密元件干燥等生产工艺以及研发机构。 丽水快速干燥真空烘箱