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重庆KP10790必易非隔离恒流驱动资料

来源: 发布时间:2024年01月18日

合理使用电磁干扰滤波器,EMI滤波器的主要目的之一,电网噪声是电磁干扰的一种,它属于射频干扰(RFI),其传导噪声的频谱大致为10KHz~30MHz,比较高可达150MHz.在一般情况下,差模干扰幅度小,频率低,所造成的干扰较小;共模干扰幅度大,频率高,还可以通过导线产生辐射,所造成的干扰较大。欲削弱传导干扰,***的方法就是在开关电源输入和输出电路中加装电磁干扰滤波器。LED电源一般采用简易式单级EMI滤波器,主要包括共模扼流圈和滤波电容。EMI滤波器能有效抑制开关电源适配器的电磁干扰。**长和**短的关断时间是多少?重庆KP10790必易非隔离恒流驱动资料

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高集成、高效率、降压型恒流驱动功率开关KP1059A是一款内部高度集成的降压型准谐振式LED恒流功率开关。KP1059A集成有高压功率MOSFET、600V续流二极管、800V整流桥和控制器。此外,芯片还集成有高压启动电路和无需辅助绕组的电感电流过零检测电路,利用此功能系统工作在准谐振模式下并且很大程度地简化系统的设计。KP1059A集成有完备的保护功能以保障系统安全可靠的运行,如HVDD欠压保护功能、逐周期电流限制、过热保护、LED短路保护等。主要特点•集成高压500VMOSFET•集成600V超快恢复二极管•集成800V整流桥•集成式高压稳压器•无辅助绕组、无VDD电容设计•准谐振工作模式提高系统效率•±4%恒流精度•**工作电流•集成式线电压补偿优化调整率•集成式过热功率补偿•内部保护功能:•LED短路保护•芯片过热保护•逐周期电流限制•前沿消隐•HVDD脚欠压保护•封装类型ASOP-7重庆KP10790必易非隔离恒流驱动资料我们有完善的保护功能确保系统的稳定工作。

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生产LED照明及相关的技术人员对开关电源的了解不够,做出的电源是可以正常工作,但一些关键性的评估及电磁兼容的考虑不够,还是有一定得隐患;大部分LED电源生产都是从普通的开关电源转型过来做LED电源,对LED的特点及使用认识还不够;关于LED的标准几乎没有,大部分都是参考开关电源和电子整流器的标准;现在大部分LED电源没有统一,所以量大部分都比较小。采购量小,价格就偏高,而且元器件供应商也不太配合;LED电源的稳定性:宽电压输入,高温和低温工作,过温、过压保护等问题都没有一一解决。

近年来,受环境以及经济等因素的影响,LED照明市场呈现爆发式增长趋势,不过目前LED照明灯具也并非那么的“无懈可击”,其中散热问题无疑是**为棘手的一项,散热不畅或散热有限都会成为LED照明灯具进一步发展的阻碍。自从固态电容问世以来,能很大程度上有效解决了因散热不当造成的电解液蒸发、泄漏、易燃等难题,但即使如此,现实中经常也会出现铝电解电容与LED不相匹配的事情,这不仅会对总体可靠性造成影响,还会直接关系到LED照明灯具工作寿命长短。不得不说,铝电解电容的有效工作寿命往往取决于环境温度及由作用在内部阻抗上的纹波电流导致的内部温升影响。现在中小功率主要以非隔离恒流驱动为主!

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KP1075X非隔离、降压型准谐振LED功率开关KP1075X系列是高度集成的恒流LED功率开关,芯片采用了准谐振的工作模式,无需辅助绕组检测消磁。同时内部集成有高压500V功率MOSFET、600V超快恢复二极管和高压自供电电路,简化了系统的设计和生产成本。芯片集成高精度的电感电流采样技术,可以获得高精度的恒流输出,且输出的线电压和负载调整率表现优异。KP1075X集成有完备的保护功能以保障系统安全可靠的运行,如:VDD欠压保护功能(UVLO)、逐周期电流限制(OCP)、过热保护(OTP)、LED短路保护等。主要特点•集成高压500VMOSFET•集成600V超快恢复二极管•集成高压自供电电路•无VDD电容设计•±5%恒流精度•准谐振模式高效率工作•**工作电流•优异的线电压和负载调整率•内部保护功能:•逐周期电流限制(OCP)•前沿消隐(LEB)•LED短路保护•过热保护(OTP)•封装类型SOP-4KP1059A系列是一款单晶0.5PF的非隔离全集成的驱动芯片!重庆KP10790必易非隔离恒流驱动资料

LED照明驱动芯片为什么要用非隔离的?重庆KP10790必易非隔离恒流驱动资料

KP1079XWP系列是一款高度集成的恒流LED功率开关,芯片采用了准谐振的工作模式,无需辅助绕组检测消磁,芯片同时集成500V功率开关、600V超快恢复二极管、800V整流桥和高压自供电电路,只需极少的**器件即可达到优异的恒流特性,系统成本极低。HVDD供电KP1079XWP集成650V高压供电电路,功率MOSFET的栅极驱动直接通过高压供电电路供电,无需外置VDD电容。KP1079XWP利用内部集成消磁检测电路,无需辅助绕组,极大减小了系统成本。**长和**短关断时间当功率MOSFET关断后,在KP1079XWP内部设计有典型值1us的**短关断时间限制以避免干扰。同时,芯片内部典型的**长关断时间设计为270us。重庆KP10790必易非隔离恒流驱动资料

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